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[发明专利]抗辐照、可集成的垂直双扩散金属氧化物半导体功率器件-CN200610021068.3无效
发明人： 李泽宏;张子澈;易黎;张磊;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2006-06-01 - 公布日： 2006-10-25 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：抗辐照、可集成的垂直双扩散金属氧化物半导体功率器件，属于半导体功率器件技术领域。采用漏引出端位于器件层表面的高功率SOI V－DMOS内引入由绝缘体区域4构成的部分埋氧结构，所述部分埋氧结构位于器件主要垂直导电通路的两旁，可紧靠重掺杂区3做在外延层5的体内，也可与重掺杂区3有一定距离地做在外延层5的体内；其形状可为矩形、梯形、椭圆形等；并可由二氧化硅或氮化硅等绝缘材料制作。本发明通过部分埋氧结构提供的高耐压、高电子—空穴对复合通道来提高器件耐压及抗辐照能力。此外，由于采用漏引出端9位于器件层表面的高功率SOI垂直DMOS结构，可以制作各种性能优良的抗辐照、高压、高速、高集成度垂直DMOS器件及功率集成电路、功率系统集成电路。
辐照集成垂直扩散金属氧化物半导体功率器件

[发明专利]射频DMOS功率器件-CN200610020175.4无效
发明人： 李泽宏;王小松;张波;李肇基;王一鸣;王卓;杨舰 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2006-01-19 - 公布日： 2006-09-06 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：射频DMOS功率器件，属于半导体功率器件技术以及射频集成电路技术领域。在现有部分SOI射频DMOS功率器件中，在部分氧化绝缘层下方加入低掺杂的n(或p)埋层，做成具有埋层的部分SOI射频DMOS器件，利用PN结原理增加漏区/外延层结的下极板结电容对应的耗尽宽度，以此来降低输出电容，从而提高器件的输出功率；用部分空隙绝缘层代替部分氧化绝缘层，也可做成部分SON射频DMOS器件，利用空隙相对介电常数为1的性质来减小器件的输出电容并提高器件的输出功率；利用部分空隙绝缘层和低掺杂的n(或p)埋层还可做成具有埋层的部分SON射频DMOS器件，能够更好的降低器件输出电容和提高输出功率。本发明所述器件工作在微波段频率下，同时耐压性能更高，散热性能和频响性能也能够得到保证。
射频 dmos 功率器件

[发明专利]一种垂直双扩散金属氧化物半导体功率器件-CN200610020155.7无效
发明人： 李泽宏;张子澈;张磊;易黎;张波;李肇基 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2006-01-16 - 公布日： 2006-08-23 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种垂直双扩散金属氧化物半导体功率器件，属于半导体功率器件技术领域。本发明在功率器件中引入部分埋氧区4，所述部分埋氧区4位于器件主要垂直导电通路的两旁，可做在外延层3上，或同时占据衬底2和外延层3的部分区域，或同时占据外延层3和p/n区5的部分区域，还可同时占据衬底2、外延层3和p/n区5的部分区域；其形状可为矩形、梯形、椭圆形等；并可由二氧化硅或氮化硅等绝缘材料制作。本发明通过部分埋氧结构提供的高耐压、高电子一空穴对复合通道来提高器件耐压及抗辐照能力。与传统的垂直DMOS相比，在相同导通电阻下，耐压提高20％以上，抗瞬态辐照能力提高2倍以上，单粒子失效阈值提高近1倍。采用本发明可以制作各种性能优良的抗辐照、高压、高速垂直DMOS器件。
一种垂直扩散金属氧化物半导体功率器件

[实用新型]一种全自动循环画面广告机-CN03217818.2无效
发明人： 李泽宏 -专利权人： 李泽宏
申请日： 2003-06-05 - 公布日： 2004-07-07 - 主分类号： G09F11/295 文献下载
摘要：一种全自动循环画面广告机，含箱体、光源、控制电路、电机、传动带、卷画轴和广告面，箱体两侧壁间由上而下设有上导向轴、上卷画轴、电机、下卷画轴、下导向轴，箱体内还设有安装有传感器的横杆，传感器头贴住广告面；电机上还设有导向轮，导向轮由转动盘、导向齿轮、带孔导向盘和导向棒组成；广告面两端分别由上导向轴、下导向轴托住并卷绕在上卷画轴和下卷画轴上，上卷画轴和下卷画轴与电机通过传动带传动。其有益效果是：通过电机正、反转及延迟时间控制广告面上广告图画在一定时间内定格循环展示，在一个广告位中展示多个广告内容，节约了广告空间并提高广告之效果，也方便了人们对广告内容的了解，且结构简单、成本较低，有利于推广应用。
一种全自动循环画面广告