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[发明专利]一种发光二极管及其制作方法-CN202310919461.8在审
发明人：李家安;陈志豪;常安;戴志祥;李政鸿;林兓兓 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2023-07-24 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本申请提供了一种发光二极管及其制作方法，其中，该发光二极管包括第一半导体层；位于所述第一半导体层上的发光层；位于所述发光层上的低温层；位于所述低温层上的第二半导体层；所述发光层包括叠层设置的量子垒层与量子阱层，以一层所述量子垒层与一层所述量子阱层为一个周期，所述发光层包括≤4个周期的所述量子垒层与量子阱层；所述发光层的厚度为10‑75nm。本申请降低了发光层的周期数及厚度，发光层结合低温层搭配使电子和空穴集中于发光层的量子阱层中，提高发光层二极管的VF4能力。较少的发光层周期数使有效的辐射复合的能隙更收敛，有助于提高发光二极管的发光一致性。
一种发光二极管及其制作方法

[发明专利]发光二极管及发光装置-CN202311069473.2在审
发明人：王瑜;王亚伟;周宏敏;陈志豪;李政鸿;林兓兓 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2023-08-23 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，尤其涉及一种发光二极管及发光装置，所述发光二极管依次包括第一半导体层、V坑开辟层、发光层和第二半导体层。发光层包括第一发光层和第二发光层，第一发光层包括n1个周期的第一量子阱结构，第二发光层包括n2个周期的第二量子阱结构，其中，第一发光层或第二发光层中还包括m个周期的第三量子阱结构，单个周期的第三量子阱结构比位于同一发光层中的其他量子阱结构具有更大的厚度。本发明能有效改善V形坑的质量，降低非辐射复合的几率，保障发光二极管内有效的电子空穴复合效率。
发光二极管发光装置

[发明专利]半导体发光元件和发光装置-CN202180003206.8在审
发明人：王瑜;蓝永凌;马明彬;唐超;周宏敏;董金矿;李政鸿;林兓兓 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2021-07-15 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，尤其涉及半导体发光元件和发光装置，包括半导体叠层，该半导体叠层包括：第一半导体层，具有n型掺杂；第二半导体层，位于所述第一半导体层上，具有p型掺杂，所述第二半导体层包括靠近第一半导体层的第一表面和远离第一半导体层的第二表面；有源层，位于所述第一半导体层和第二半导体层之间，所述有源层包括靠近第一半导体层的第三表面和靠近第二半导体层的第四表面；其特征在于：该半导体叠层还包括氢杂质，该氢杂质的浓度至少包括靠近有源层的第一峰值和远离有源层的第二峰值，所述第二峰值大于第一峰值。本发明的发光元件具有高亮度的性能。
半导体发光元件装置

[发明专利]氮化物半导体发光元件及其制作方法-CN202180003207.2在审
发明人：王瑜;史志结;常安;师修磊;李政鸿;林兓兓 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2021-06-17 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明属于半导体领域，尤其涉及氮化物半导体发光元件及其制作方法，其中氮化物半导体发光元件包括N型半导体层；P型半导体层；有源层，所述有源层位于所述N型半导体层和P型半导体层之间；盖层，所述盖层位于有源层和P型半导体层之间；空穴注入层，所述空穴注入层位于所述盖层和P型半导体层之间；电子阻挡层，所述电子阻挡层位于所述空穴注入层和P型半导体层之间；其特征在于：所述空穴注入层包括第一含铝层、第二含铝层以及第三含铝层，所述第二含铝层的铝含量高于第一含铝层的铝含量，且高于第三含铝层的铝含量。本发明在空穴注入层内插入高铝含量的第二含铝层，可以阻挡电子溢流以及改善电子阻挡层的极化电场。
氮化物半导体发光元件及其制作方法

[发明专利]氮化物发光二极管及发光装置-CN202310752116.X在审
发明人：李家安;李君杰;戴志祥;黄文宾;朱振强;蔡吉明;李政鸿;林兓兓;黄少华 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2023-06-25 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L33/08 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，尤其涉及氮化物发光二极管及发光装置，所述氮化物发光二极管至少包括：外延结构，包括n个外延层（n≥2），各外延层均包括第一半导体层、有源层和第二半导体层，其中，所述有源层至少包括InGaN阱层，各外延层中有源层的InGaN阱层具有不同In组分含量，使得各外延层激发后辐射不同的出光波长；隧穿层，位于相邻的两个外延层之间；电极结构，位于所述外延结构上，且与外延结构之间形成电连接。本发明的氮化物发光二极管具有较小的尺寸面积，且能实现控制单个发光二极管即可获得不同颜色的出光源。
氮化物发光二极管发光装置

[发明专利]半导体外延结构及LED芯片-CN202310486540.4在审
发明人：陈志豪;汤恒;武梦鸽;王瑜;李政鸿;林兓兓 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2023-05-04 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，尤其涉及一种半导体外延结构及LED芯片，其中，半导体外延结构，包括半导体叠层：N型半导体层；有源层，设置于所述N型半导体层上；电子阻挡层，设置于所述有源层上，所述电子阻挡层为含Al的半导体层；缺陷阻挡层，设置于所述电子阻挡层上，所述缺陷阻挡层为不含Al的半导体层；P型半导体层，设置于所述缺陷阻挡层上。本发明能优化提升P型半导体层和电子阻挡层的生长界面，缓解两者之间的晶格失配，提高发光二极管的质量及光电性能。
半导体外延结构 led 芯片

[发明专利]一种发光二极管及其制作方法-CN202310570280.9在审
发明人：王瑜;毛洪涛;王亚伟;陈志豪;李家安;李政鸿;林兓兓 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2023-05-19 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明涉及发光半导体技术领域，具体涉及一种发光二极管及其制作方法，包括外延层，所述外延层自下而上依次包括N型半导体层、发光层、第一P型半导体层、电子阻挡层和第二P型半导体层；所述第二P型半导体层为超晶格结构，所述超晶格结构包括上下交替排列的第一半导体层和第二半导体层，所述第二半导体层的能级小于第一半导体层的能级。本发明第一半导体层和第二半导体层交叉生长，可以形成高低能级有效控制空穴移动速度，进而提升空穴电子辐合效率，可以有效改善位错，提升空穴浓度，进而提高发光二极管质量。
一种发光二极管及其制作方法

[发明专利]一种发光二极管的外延结构及其制备方法-CN202211326384.7在审
发明人：王瑜;李跃华;武梦鸽;汤恒;李家安;陈志豪;李政鸿;林兓兓 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2022-10-27 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L33/04 文献下载
摘要：本发明涉及发光半导体技术领域，具体涉及一种发光二极管的外延结构，包括衬底，述外延结构还包括依次设于衬底上的缓冲层、3D成核层、2D填平层、N型层、过渡层、有源层和P型层，所述3D成核层和2D填平层中均采用n型掺杂，且3D成核层中n型掺杂的浓度高于2D填平层中n型掺杂。本发明通过在成核层调整Si掺杂浓度高于填平层，通过成核层通入高掺Si的方式，获得较多的插排位错，便于后续过渡层提升Pits密度，降低电压和提升亮度。
一种发光二极管外延结构及其制备方法

[发明专利]一种图形化衬底及其制作方法-CN202211284846.3在审
发明人：王瑜;董金矿;丁祥;陈志豪;周宏敏;李政鸿;林兓兓 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2022-10-20 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，尤其涉及一种图形化衬底及其制作方法，所述图形化衬底包括：基板，所述基板包括第一区域和包围第一区域的第二区域；图形结构，复数个所述图形结构间隔设置于基板上，图形结构包括设置于基板上的第一部分以及设置于第一部分上的第二部分，第一部分的材料与第二部分的材料不同，其中，位于第一区域内单个图形结构的第二部分体积小于位于第二区域内单个图形结构的第二部分体积。本发明能有效降低第二区域内的外延生长速率，提高第二区域内形成的发光二极管的外延生长质量、发光效率和良率。
一种图形衬底及其制作方法

[发明专利]一种发光二极管及其制作方法-CN202110777409.4有效
发明人：周宏敏;唐超;王瑜;董金矿;李政鸿;林兓兓 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2021-07-09 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明属于半导体领域，尤其涉及一种发光二极管及其制作方法，至少包括衬底，以及依次层叠于所述衬底之上的第一半导体层、应力释放层、有源层和第二半导体层，所述第一半导体层与所述应力释放层之间设有不含Al且不含In的第三半导体层，所述第三半导体层与应力释放层之间设有含Al的第四半导体层，所述第四半导体层与第三半导体层的厚度比为1:5~1:100。本发明可以有效降低电子的迁移速率，降低非辐射复合的几率并改善Droop效应，提高发光二极管的发光效率。
一种发光二极管及其制作方法

[发明专利]发光二极管及发光装置-CN202211186456.2在审
发明人：李家安;毛洪涛;李政鸿;林兓兓 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2022-09-28 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01L33/04 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，尤其涉及发光二极管及发光装置，包括：衬底，以及依次位于所述衬底上的第一半导体层、发光层、最后势垒层、电子阻挡层和第二半导体层；所述发光层包括n个周期的量子阱结构，所述量子阱结构包括一层量子垒层和一层量子阱层；所述最后势垒层厚度为发光层厚度的0.2倍~0.7倍。本发明可以有效提高电子和空穴在发光层里的分布均匀性，减少无效辐射复合的概率，提高整体的发光效率。
发光二极管发光装置

[发明专利]发光二极管及其制备方法-CN202080004960.9在审
发明人：徐志波;张志华;马明彬;李政鸿;林兓兓;张家豪 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2020-09-14 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：一种发光二极管及其制备方法，包括衬底（10）、第一导电型半导体层（20）、应力释放层（30）、发光层（40）、第二导电型半导体层（50），其中的应力释放层包括交替层叠的阱层（31）和垒层（32），至少一个阱层内部分布有至少一个阻挡区（311），阻挡区的能隙高于阱层的能隙。在阱层内部设置阻挡区，阻挡区可以阻挡阱层内的载流子横向扩展至位错区域发生非辐射复合，从而提高发光二极管的发光效率。
发光二极管及其制备方法

[实用新型]一种图形化衬底及发光二极管-CN202220798622.3有效
发明人：周宏敏;李政鸿;林兓兓 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2022-04-08 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种图形化衬底及发光二极管，图形化衬底包括衬底以及位于衬底的表面的若干个间隔分布的图形结构，图形结构包括形成于衬底表面的第一部分以及形成于第一部分表面的第二部分和第三部分。其中，第一部分自衬底的表面延伸形成高于衬底的表面的凸台，且第一部分远离衬底的表面包括中心区以及围绕中心区的边缘区；第二部分位于第一部分的中心区，并沿远离衬底的表面的方向延伸；第三部分位于第一部分的边缘区，自边缘区沿远离第一部分的方向围绕第二部分延伸，第三部分的顶端齐平于或者低于第二部分的顶端。本实用新型能够有效改善位于图形化衬底的衬底表面以及图形结构表面的外延材料的晶格质量，提高LED的光提取效率及器件良率。
一种图形衬底发光二极管

[实用新型]一种图形化衬底及发光二极管-CN202220798681.0有效
发明人：周宏敏;李政鸿;林兓兓 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2022-04-08 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种图形化衬底及发光二极管，该图形化衬底包括衬底以及位于衬底的表面的若干个间隔分布的图形结构，图形结构包括形成于衬底表面的第一部分以及形成第一部分上方的第二部分；第一部分自衬底的表面延伸形成高于衬底的表面的凸台，且第一部分的表面形成有凹陷结构；第二部分位于第一部分上方，并且填充第一部分的凹陷结构。本实用新型能够减小生长于图形化衬底顶端的外延层内的线缺陷，提高LED的光提取效率。
一种图形衬底发光二极管

[发明专利]一种发光二极管及制作方法-CN202210722495.3在审
发明人：王瑜;李遥;赵豆豆;师修磊;李政鸿;林兓兓 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2022-06-24 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：本发明提供一种发光二极管及制作方法，该发光二极管形成于图形化衬底上，该图形化衬底的凸起包括叠置的锥体及台体，该锥体的形成有利于提升发光二极管的出光效率。同时通过调整外延生长条件，还在该凸起的顶端形成有孔洞结构，该孔洞结构不仅有效规避了从凸起侧壁生长的外延层在合并时的应力问题，从而避免纵向缺陷的产生，提升了内量子效率；同时，该孔洞结构的内部为真空或填充有气体，其与周围外延层材料的折射率相差更大，因此更容易发生全反射，从而提升出光效率。经测试本发明中发光二极管的发光亮度、抗静电能力均有提高，从而具有较高的产业实用价值。
一种发光二极管制作方法

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