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[发明专利]场限环-沟槽负斜角复合终端结构的制备方法-CN202011005385.2有效
发明人：刘雯娇;刘琦;李恩求;李铁生;徐西昌 -专利权人：龙腾半导体股份有限公司
申请日： 2020-09-23 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及场限环‑沟槽负斜角复合终端结构及其制备方法，步骤为：制备器件的有源区和终端区，终端区设置至少一个以上的场限环；用掩模版1进行掩蔽曝光，在终端区刻蚀垂直沟槽；用掩模版2进行掩蔽曝光，在终端区进行二次刻蚀，形成负斜角沟槽；在负斜角沟槽区填充氮氧化硅绝缘材料，最后进行背面减薄、镀金及三端电极引出，得到场限环‑沟槽负斜角复合终端结构。本发明适用于功率MOS器件的场限环‑沟槽负斜角复合终端结构，由于工艺简单，高温稳定性好，并且能在芯片面积与击穿电压两者之间取得较好的折衷，因此，该复合终端也可推广到IGBT和IEGT等功率器件。
场限环沟槽斜角复合终端结构制备方法

[发明专利]ONO屏蔽栅的SGT结构及其制造方法-CN202110055819.8有效
发明人：杨乐;李铁生;楼颖颖;李恩求;刘琦 -专利权人：龙腾半导体股份有限公司
申请日： 2021-01-15 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及ONO屏蔽栅的SGT结构及其制造方法，在Si衬底片表面生长N型外延层，在外延层表面形成硬掩膜；刻蚀出深沟槽，内填硼硅玻璃BSG；将沟槽内BSG腐蚀至沟槽指定位置，进行第二层氮化硅淀积和厚氧化层淀积；沟槽内回填源极多晶硅并回刻；去除露出的厚氧化层；将沟槽内源极多晶硅刻蚀至沟槽指定位置；形成源极多晶硅氧化层，同时使硼硅玻璃BSG中硼Boron扩散至深沟槽外围的Si材料中形成P柱；去除露出的氮氧化物、薄氧化物；形成栅极氧化层,回填栅极多晶硅并回刻，形成器件的栅极；开接触孔和金属布线。本发明在暴露的硼硅玻璃上方淀积了高密度氮化硅，能有效阻止硼在后续的高温炉管工艺过程中析出。
ono 屏蔽 sgt 结构及其制造方法

[发明专利]基于元胞结构的沟槽型肖特基二极管器件结构及制造方法-CN202110448706.4在审
发明人： 李恩求;李铁生;杨乐;刘琦 -专利权人：龙腾半导体股份有限公司
申请日： 2021-04-25 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明涉及基于元胞结构的沟槽型肖特基二极管器件结构，所述器件采用蜂窝状点阵排列的元胞结构，在整个元胞区上方覆盖有肖特基势垒金属，元胞区相邻沟槽之间不连通，肖特基势垒之间连通。本发明的元胞结构采用蜂窝式的沟槽分布，硅表面沟槽与沟槽之间除了沟槽侧壁的氧化物外，其余部分均为肖特基接触区域，这样在保证减小表面电场的前提下，将肖特基接触区域最大化，从而实现用相同的芯片面积达到VF大幅下降，进而降低二极管导通损耗的效果。
基于结构沟槽型肖特基二极管器件制造方法

[发明专利]三段式氧化层屏蔽栅沟槽MOSFET结构-CN202011024231.8在审
发明人：杨乐;李铁生;楼颖颖;李恩求;刘琦 -专利权人：龙腾半导体股份有限公司
申请日： 2020-09-25 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种三段式氧化层屏蔽栅沟槽MOSFET结构，所述MOSFET结构位于外延衬底上，其源极沟槽下方有一区域，该区域内填满与外延反型的材料并借此扩散源扩散形成的P柱和外延来实现电荷平衡。该结构通过CVD工艺在沟槽内填充BSG材料，再经热过程使Boron自动扩散到沟槽外围的硅材料中形成P柱，改变BSG浓度和褪火温度可以有效调节P柱的高宽度及浓度，实现与N型外延层的电荷平衡。采用该SGT MOSFET结构及工艺结构，因其不需要在沟槽内生长更厚的屏蔽电极介质层，同时BSG具有良好的高温回流特性，具备良好的沟槽填充能力，可以将沟槽CD极大程度缩小，因而可以缩小单位元胞尺寸，采用更高掺杂浓度的外延片实现同样的击穿电压，降低器件Rsp，增强市场竞争力。
三段式氧化屏蔽沟槽 mosfet 结构

[发明专利]低导通电阻的深沟槽MOSFET器件结构-CN202011355464.6在审
发明人： 李恩求;李铁生;杨乐;刘琦 -专利权人：龙腾半导体股份有限公司
申请日： 2020-11-27 - 公布日： 2021-01-26 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明涉及一种低导通电阻的深沟槽MOSFET器件结构，所述器件的屏蔽栅极多晶硅和其上方的栅极多晶硅短接，在MESA区靠近深沟槽区域形成积累层；栅极多晶硅左右两侧往下延伸，在深沟槽侧壁形成低阻区域。本发明将传统的屏蔽栅极与源区短接改进为与栅极短接，进而将多晶硅间介质降低到最小，使得上层栅极多晶硅层往下延伸，将器件的部分MESA电阻转化为电阻率更低的积累层电阻，并通过栅极多晶硅层的延伸，将MESA内等势线从体区与漂移区之间的PN结转移至深沟槽中部位置，以实现深沟槽MOSFET平台纵向电场强度由驼峰分布转化为更均匀的近似矩形分布。
通电深沟 mosfet 器件结构

[发明专利]三段式氧化层屏蔽栅沟槽MOSFET结构的制造方法-CN202011020301.2在审
发明人：杨乐;李铁生;楼颖颖;李恩求;刘琦 -专利权人：龙腾半导体股份有限公司
申请日： 2020-09-25 - 公布日： 2020-11-13 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及三段式氧化层屏蔽栅沟槽MOSFET结构的制造方法。传统SGT器件源漏击穿电压受控于氧化层厚度，击穿电压越高，需要的氧化层厚度越厚，但为了获得更低的Rsp，需尽可能缩小单位元胞尺寸。本发明通过CVD工艺在深沟槽内填充硼硅玻璃BSG材料，再经热过程使硼硅玻璃BSG材料中的Boron扩散至深沟槽外围的Si材料中形成P柱，改变BSG浓度和退火温度从而调节P柱的高宽度及浓度，实现与N型外延层的电荷平衡。本发明不需在沟槽内生长厚的屏蔽电极介质层，BSG具有良好高温回流特性，沟槽填充能力良好，可将沟槽CD大幅缩小，因而可缩小单位元胞尺寸，采用更高掺杂浓度的外延片实现同样的击穿电压，降低器件Rsp。
三段式氧化屏蔽沟槽 mosfet 结构制造方法

[发明专利]铈钇共掺钛酸锶钡纳米材料及其制备方法-CN200810044613.X无效
发明人：廖家轩;李恩求;潘笑风;王洪全 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2008-06-03 - 公布日： 2008-12-31 - 主分类号： C30B29/32 文献下载
摘要：铈钇共掺钛酸锶钡纳米材料及其制备方法，属于无机电子功能材料技术领域。铈钇共掺钛酸锶钡纳米材料，主体成分为Ba_xSr_1－xTiO₃(0.2≤x≤0.8)，部分Ba²⁺离子和Sr²⁺离子被Y³⁺离子替位取代，部分Ti⁴⁺离子被Ce⁴⁺离子替位取代，各成分原子摩尔比为：(Ba²⁺+Sr²⁺)∶TiO₃^2－∶(Y³⁺+Ce⁴⁺)等于100∶100∶0.1到100∶100∶5之间，而Y³⁺与Ce⁴⁺的原子摩尔比为：Y³⁺∶Ce⁴⁺等于0.1∶4.9到4.9∶0.1之间。分别制得钡锶、钛和铈钇的前驱液，然后将这三种前驱液混合加热搅拌得铈钇共掺的BST溶胶；最后将BST溶胶制成BST纳米薄膜或BST纳米粉。本发明具有介电常数高、调谐率高、介电损耗低以及介电温度稳定性高等综合介电性能，可应用于随机存储器、热释电红外探测器、微波调谐器件等领域。
铈钇共掺钛酸锶钡纳米材料及其制备方法

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