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[发明专利]显示屏的激光修复及检查方法和适合其的修复及检查装置-CN201880097086.0在审
发明人：李真远;金源旼;李圣宰 -专利权人：株式会社考恩斯特
申请日： 2018-09-06 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： G02F1/13 文献下载
摘要：本发明提供一种激光修复及检查方法和用于其的装置。激光修复及检查方法从利用激光的屏修复装置照射激光，为了确认状态，在作为拍摄对象的屏区域的里侧设置照射相应区域而能够透过屏的红外线透过光源，在照射用于修复的激光同时或照射激光之后，在对屏表面不存在照明光及可视光透光照射的情况下，在屏里侧照射红外线光，并进行用于对相应区域的检查的拍摄，在摄像装置中确认该拍摄影像，而确认相应区域的修复工艺的成功与否。根据本发明，在对屏进行激光修复加工时，减少该成果的重新检查负担，并及时具有高的准确率，由此，并容易确认修复加工的成果，从而，能够提高激光修复加工的效率及运用率。
显示屏激光修复检查方法适合装置

[发明专利]用于填充微细图案间隙的间隙填充聚合物及使用其制造半导体器件的方法-CN201710265882.8有效
发明人：文志原;张镇旭;李相烈;李圣宰;李根守;李永善;金玟秀 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2017-04-21 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： C08G77/42 文献下载
摘要：一种用于填充微细图案间隙的间隙填充聚合物，其具有低的介电常数(低k)和优异的间隙填充性能，该聚合物可以包括通过由式1表示的第一低聚物和由式2表示的第二低聚物的缩聚反应形成的化合物。
用于填充微细图案间隙聚合物使用制造半导体器件方法

[发明专利]用于电动车的电池充电入口的紧急断开装置-CN201910590106.4在审
发明人：朴晟喆;郑又源;李圣宰 -专利权人：现代自动车株式会社;起亚自动车株式会社;裕罗有限公司
申请日： 2019-07-02 - 公布日： 2020-07-07 - 主分类号： B60L3/00 文献下载
摘要：一种用于电动车的电池充电入口的紧急断开装置，可包括：壳体；安装在壳体内的手柄，且该手柄通过部分地暴露穿过形成于壳体的一侧的凹槽可旋转；以及紧急断开缆绳，该缆绳的一端与手柄相连，另一端与紧急断开杆相连，该紧急断开杆由安装在用于电动车充电的入口上的入口驱动器提供。
用于电动车电池充电入口紧急断开装置

[发明专利]硬罩幕组成物及使用硬罩幕组成物的图案形成方法-CN201380053489.2有效
发明人：李哲虎;朴惟廷;尹龙云;李圣宰;赵娟振;金永珉;李忠宪 -专利权人：第一毛织株式会社
申请日： 2013-09-02 - 公布日： 2019-03-19 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：揭示硬罩幕组成物以及使用硬罩幕组成物的图案形成方法。硬罩幕组成物包括由下列化学式1表示的高分子、由下列化学式2表示的单体以及溶剂，其中所包含的单体的含量等同于或高于高分子的含量。一实施例的硬罩幕组成物确保耐热性以及耐蚀刻性，且满足填沟特性。
硬罩幕组成使用图案形成方法

[发明专利]用于硬遮罩组成物的单体、包含所述单体的硬遮罩组成物及使用所述组成物形成图案的方法-CN201380073499.2有效
发明人：尹龙云;李圣宰;文俊怜;朴惟廷;李哲虎;赵娟振 -专利权人：第一毛织株式会社
申请日： 2013-05-08 - 公布日： 2018-01-16 - 主分类号： C07D407/10 文献下载
摘要：本发明揭示一种用于硬遮罩组成物的单体、包含所述单体的硬遮罩组成物及使用所述组成物形成图案的方法。本发明的用于硬遮罩组成物的单体，是以下列化学式1表示[化学式1]其中，在以上的化学式1中，A是取代或未取代的多环芳香基，A'是取代或未取代的C6‑C20亚芳基，X是环氧基，Y是氢、羟基、C1至C10的烷基氨基、氨基、＝O或它们的组合，l是0至6的整数，及m和n是各自独立地为1至4的整数。本发明提供的用于硬遮罩组成物的单体，由于优异的交联而减少释气。
单体包含硬遮罩组成使用述硬遮罩形成图案方法

[发明专利]用于硬掩模的组合物、利用其形成图案的方法以及包括所述图案的半导体集成电路装置-CN201280065651.8有效
发明人： 李圣宰;文俊怜;赵娟振;金永珉;尹龙云 -专利权人：第一毛织株式会社
申请日： 2012-11-23 - 公布日： 2017-11-28 - 主分类号： G03F7/11 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于形成硬掩模的组合物，其包括溶剂和包含由式1和2表示的重复单元的共聚物，一种利用其形成图案的方法，以及一种包括通过所述方法形成的图案的半导体集成电路装置。
用于形成硬掩模组合利用图案方法以及包括半导体集成电路装置

[发明专利]单体、包含所述单体的硬掩膜组成物、以及使用所述硬掩膜组成物形成图案的方法-CN201380056460.X有效
发明人：朴惟廷;金惠廷;朴曜徹;尹龙云;李圣宰;李哲虎;赵娟振 -专利权人：第一毛织株式会社
申请日： 2013-03-19 - 公布日： 2017-11-14 - 主分类号： C07C49/792 文献下载
摘要：本发明是关于一种由化学式1表示的硬掩膜组成物用单体、一种含括所述单体的硬掩膜组成物，及一种使用所述硬掩膜组成物形成图案的方法。由所述硬掩膜组成物形成的薄层具有对抗蚀刻气体的充分的耐蚀刻性且因而具有更低的蚀刻速率。
单体包含硬掩膜组成以及使用述硬掩膜形成图案方法

[发明专利]用于硬掩模组合物的单体和包含单体的硬掩模组合物及使用硬掩模组合物形成图案的方法-CN201310300799.1有效
发明人： 李圣宰;田桓承;赵娟振;李哲虎;李忠宪 -专利权人：第一毛织株式会社
申请日： 2013-07-17 - 公布日： 2017-06-23 - 主分类号： C07C33/26 文献下载
摘要：本发明公开了用于硬掩模组合物的单体和包含单体的硬掩模组合物及使用硬掩模组合物形成图案的方法。用于硬掩模组合物的单体，由下面化学式1表示，其中在化学式1中，A0、A1、A2、L1、L1′、L2、L2′、X1、X2、m和n与具体实施方式中相同。[化学式1]
用于模组单体包含使用形成图案方法

[发明专利]形成半导体器件的双镶嵌结构的方法以及由其制造的半导体器件-CN201310516715.8有效
发明人：文俊怜;赵娟振;李圣宰;朴惟廷;尹龙云;李哲虎;李忠宪 -专利权人：第一毛织株式会社
申请日： 2013-10-28 - 公布日： 2014-07-02 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了形成半导体器件的双镶嵌结构的方法以及由其制造的半导体器件。该方法包括：（a）在衬底上形成第一和第二绝缘层；（b）形成具有在第二绝缘层上形成通孔的图案的抗蚀剂掩模；（c）形成向下至第一绝缘层下端的通孔；（d）以旋涂法在通孔中和第二绝缘层上形成硬掩模层；（e）形成具有在硬掩模层上形成槽孔的图案的抗蚀剂掩模；（f）形成通过抗蚀剂掩模向下深入到第二绝缘层下端的第一槽孔；（g）去除通孔中和第二绝缘层上的硬掩模层的一部分；（h）通过去除通孔的顶角和第一槽孔的底角之间的第二绝缘层的一部分形成第二槽孔；（i）去除保留在通孔中和第二绝缘层上的硬掩模层；（j）通过用导电材料填充通孔和第二槽孔形成上部导线。
形成半导体器件镶嵌结构方法以及制造

[发明专利]用于填充半导体装置内小间隙的化合物、包含该化合物的组合物及制造半导体电容器的方法-CN200880130954.7有效
发明人： 李圣宰;金熙宰;金兑镐;尹祥根;禹昌秀 -专利权人：第一毛织株式会社
申请日： 2008-12-31 - 公布日： 2011-08-03 - 主分类号： C08G77/04 文献下载
摘要：本发明提供一种适合用于制造半导体电容器的节点分离工艺的化合物。聚合物的分子量在贮存期间维持基本不改变。此外，聚合物以所需要的速率溶解于碱性显影溶液中，且在溶解速率(DR)无任何显著改变的情况下，在贮存期间具有高度稳定性。本发明还提供包含此化合物的组合物。该组合物在贮存期间具有高度稳定性。因此，该组合物适合用于填充半导体装置内部的小间隙。
用于填充半导体装置间隙化合物包含组合制造电容器方法

[发明专利]聚合物、用于保护层的组合物、以及使用其的图案化方法-CN201010237809.8无效
发明人：尹祥根;崔相俊;崔承集;李圣宰;李珍泳 -专利权人：第一毛织株式会社
申请日： 2010-07-23 - 公布日： 2011-05-25 - 主分类号： C08F120/28 文献下载
摘要：本发明披露了一种聚合物、用于保护层的组合物、以及使用其的图案化方法，尤其是一种通过聚合由化学式1表示的单体所获得的聚合物、包括该聚合物的保护层组合物、以及图案化方法。[化学式1]在化学式1中，每个符号与在具体实施方式中限定的相同。
聚合物用于保护层组合以及使用图案方法

[发明专利]用于抗蚀剂的保护层的聚合物以及包括其的聚合物组合物-CN201010299478.0无效
发明人：尹祥根;崔相俊;崔承集;李圣宰 -专利权人：第一毛织株式会社
申请日： 2010-09-30 - 公布日： 2011-05-25 - 主分类号： C08F220/28 文献下载
摘要：本发明披露了一种用于抗蚀剂保护层的聚合物、包括该聚合物的抗蚀剂保护层组合物、以及形成图案的方法。该聚合物包括由以下化学式1表示的第一重复单元以及第二重复单元，该第二重复单元包括由以下化学式2至6表示的至少一种重复单元。[化学式1]、[化学式2]、[化学式3][化学式4]、[化学式5]、[化学式6]在化学式1至6中，每种取代基与在具体实施方式中限定的相同。
用于抗蚀剂保护层聚合物以及包括组合

[发明专利]纯化鹅去氧胆酸的方法-CN200680050036.4有效
发明人：金泰利;金英洙;林永默;金月永;尹然贞;秦庸硕;李炳具;崔秀珍;李圣宰 -专利权人：株式会社大熊制药;大熊化学株式会社
申请日： 2006-07-31 - 公布日： 2009-02-11 - 主分类号： C07H21/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种纯化鹅去氧胆酸(3α，7α－二羟基－5β－胆酸)的方法。尤其，本发明涉及一种以高产率和高纯度、由低等级的鹅去氧胆酸混合物纯化鹅去氧胆酸的方法。
纯化鹅去氧胆酸方法

[发明专利]鹅去氧胆酸的纯化方法-CN200680050155.X有效
发明人：金泰利;金英洙;林永默;金月永;尹然贞;秦庸硕;李炳具;崔秀珍;李圣宰 -专利权人：株式会社大熊制药;大熊化学株式会社
申请日： 2006-07-28 - 公布日： 2009-01-21 - 主分类号： C07J9/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种纯化鹅去氧胆酸(3α，7α－二羟基－5β－胆酸)的方法。尤其，本发明涉及一种以高产率和高纯度、由低等级的鹅去氧胆酸混合物纯化鹅去氧胆酸的方法。
鹅去氧胆酸纯化方法

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