专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种用于受控记录的印章及印台-CN201810329230.0有效
  • 杨永清 - 李友洪
  • 2018-04-13 - 2020-12-15 - B41K1/02
  • 本发明公开了一种用于受控记录的印章,包括转印体、基板,其特征在于转印体连接在基板下部,基板上方设有一电路组件容纳腔,穿过转印体设有至少一个下孔,基板上设有分别与各下孔相对的上孔,容纳腔内设有由上孔探出转印面的开关;本发明设有探出转印面的监测开关,使用时转印面每次落到纸张上监测开关都会动作输出监测到的信号,监测区域为转印面为转印面覆盖,每次盖章均可检测到。
  • 一种用于受控记录印章印台
  • [发明专利]半导体功率器件、半导体功率器件的终端结构及其制作方法-CN201711299201.6有效
  • 不公告发明人 - 李友洪
  • 2017-12-08 - 2020-08-28 - H01L29/06
  • 本发明提供一种半导体功率器件、半导体功率器件的终端结构及其制作方法。所述半导体功率器件的终端结构包括N型衬底、形成于所述N型衬底表面的第一P型注入区与第二P型注入区、形成于所述N型衬底、所述第一及第二P型注入区表面的N型外延层、贯穿所述N型外延层且分别对应所述第一P型注入区与第二P型注入区的第一沟槽与第二沟槽、形成于所述两个沟槽中的多晶硅、形成于所述两个沟槽一侧的N型外延层表面的第三P型注入区、形成于所述两个沟槽之间的N型外延层表面的第四P型注入区、及形成于所述两个沟槽另外一侧的N型注入区。
  • 半导体功率器件终端结构及其制作方法
  • [发明专利]离子注入工艺的监控方法-CN201711366148.7有效
  • 不公告发明人 - 李友洪
  • 2017-12-18 - 2020-08-28 - H01L21/66
  • 一种离子注入工艺的监控方法包括:提供衬底,在衬底上形成第一氧化层;在第一氧化层上形成多晶硅层,对多晶硅层进行光刻与刻蚀,形成多个间隔设置的多晶硅区域、连接于多个多晶硅区域一端的第一多晶硅及连接多个多晶硅区域另一端的第二多晶硅,多晶硅区域的宽度沿预定方向依次增大;进行光刻及离子注入使得第一多晶硅形成饱和掺杂N型多晶硅、第二多晶硅形成注入掺杂P型多晶硅;在多晶硅区域及第一氧化层上形成绝缘层,对绝缘层进行光刻与蚀刻,形成对应多晶硅区域的多个开口,多个开口的宽度随着多晶硅区域的间距的增大而依次增大;利用多个开口以注入角度对多个多晶硅区域进行离子注入;进行热退火,激活注入的离子;及连接测试电压进行测试。
  • 离子注入工艺监控方法
  • [发明专利]一种功率器件及其封装方法-CN201810456260.8有效
  • 袁霞;翟丽丽 - 李友洪
  • 2018-05-14 - 2020-08-21 - H01L23/31
  • 本发明公开了一种功率器件及其封装方法,其功率器件包括芯片、形成在所述芯片上的金属层、形成在所述金属层上的钝化层和封装层,所述钝化层上开设有多个打线窗口,所述封装层塞在所述打线窗口内,所述封装层包括与所述金属层电性连接的反射层、覆盖在所述反射层上的第一防水层、固定在所述第一防水层上的第二防水层和引线,所述引线依次穿过所述的第一防水层和所述第二防水层与所述反射层电性连接。其可靠性高、封装方法简单。
  • 一种功率器件及其封装方法
  • [发明专利]多晶硅高阻的制作方法-CN201711429247.5有效
  • 不公告发明人 - 李友洪
  • 2017-12-25 - 2020-08-21 - H01L29/04
  • 本发明提供了一种多晶硅高阻的制作方法,包括:在具有预设厚度的多晶硅层进行掺杂,以形成轻掺杂多晶硅上层和非掺杂多晶硅下层;在所述轻掺杂多晶硅上层表面形成二氧化硅阻挡层;对所述二氧化硅阻挡层和所述轻掺杂多晶硅上层进行刻蚀,以将多晶硅高阻区域刻蚀出来;在所述多晶硅高阻区域的周围形成氮化硅侧墙;利用所述氮化硅侧墙和所述二氧化硅阻挡层的阻挡,对所述非掺杂多晶硅下层进行重掺杂,以在所述多晶硅高阻区域的侧下方形成重掺杂多晶硅区域;通过刻蚀将所述重掺杂多晶硅区域和所述多晶硅高阻区域相互隔离。
  • 多晶硅高阻制作方法

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