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[发明专利]半导体器件-CN201810730781.8有效
发明人：金钟旭;朴正熙;朴盛健;朴淳五;李政武 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-07-05 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H10B63/10 文献下载
摘要：一种半导体器件包括第一存储单元、第二存储单元、第一盖膜和第二盖膜。第一存储单元包括在第一相变存储器上的第一双向阈值开关(OTS)。第二存储单元包括在第二相变存储器上的第二OTS。第一盖膜在第一存储单元和第二存储单元的侧表面上。第二盖膜在第一盖膜上并填充第一存储单元与第二存储单元之间的空间。
半导体器件

[发明专利]形成层的方法及使用该层制造可变电阻存储器件的方法-CN201810239016.6有效
发明人： 朴正熙;金暻善 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-03-22 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H10N70/00 文献下载
摘要：公开了一种在半导体制造中形成目标层的方法，该方法包括以下步骤：通过执行第一处理至少一次来形成第一层，以及通过执行第二处理至少一次来形成第二层，其中，第一处理可以包括供给第一源气体、供给第二源气体若干次以及供给惰性气体若干次。
形成层方法使用制造可变电阻存储器件

[发明专利]非易失性存储器件-CN201710654882.7有效
发明人：吴哲;朴正熙;安东浩;李镇宇;申喜珠;李兹傧 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-08-03 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：提供一种非易失性存储器件，该非易失性存储器件能够通过使用包括多层结构的双向阈值开关(OTS)选择元件而提高存储器件的可靠性。非易失性存储器件包括：彼此间隔开的第一电极和第二电极；选择元件层，在第一电极和第二电极之间，其与到第一电极相比，更靠近第二电极设置，并且其包括第一硫族化物层和第二硫族化物层。第一硫族化物层包括第一硫族化物材料，第二硫族化物层包括第二硫族化物材料。在第一电极和选择元件层之间的存储层包括不同于第一硫族化物材料和第二硫族化物材料的第三硫族化物材料。
非易失性存储器

[发明专利]再生能源融合型智能农场综合管理系统-CN202111183670.8在审
发明人：金耀汉;金世权;朴正熙 -专利权人： ELSYS有限公司
申请日： 2021-10-11 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H02J13/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种再生能源融合型智能农场综合管理系统。根据实施例的用于提高智能农场能源运营效率的综合管理系统包括：再生能源融合系统，包括太阳光发电设备监控系统和地热监控系统；以及环境数据监控系统，并且所述综合管理系统收集和分析两种以上的再生能源融合数据和智能农场内部以及外部环境数据以执行智能农场的综合管理。另外，将从智能农场中收集的一系列数据转换为数据库，并分析智能农场每个区域的数据变化趋势，使得可以预测能源需求。同时，在实施例中，通过太阳热和地热能源的融合向智能农场供应能源，从而提高智能农场的能源消耗效率。
再生能源融合智能农场综合管理系统

[发明专利]具有余热回收功能的线材热处理系统-CN202111381890.1在审
发明人：金耀汉;金元彬;郑贤哲;朴正熙;罗明赞 -专利权人：埃尔西斯株式会社
申请日： 2021-11-22 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： C21D9/573 文献下载
摘要：根据本发明的实施例的具有余热回收功能的线材热处理系统，包括：加热炉(14)，其加热一次拉线的线材；铅浴炉(17)，其形成有铅浴以浸渍所述加热的线材；炉子(13a、13b)，其分别形成于所述加热炉及铅浴炉；燃料‑空气混合室(12)，其从燃料供应部(11)接收燃料并与外部空气混合之后，向所述炉子供应；回收管道(102)，其将所述加热炉与所述铅浴炉连接；排气管道(103)，其排放所述铅浴炉内部的尾气；及主换热器(20)，其在一侧连接所述排气管道以使高温的所述尾气流入，并且外部空气从其另一侧流入，由此，使得所述尾气与所述外部空气进行热交换后，将热交换的所述外部空气向所述燃料‑空气混合室供应。
具有余热回收功能线材热处理系统

[发明专利]一种燃料电池系统的空气切断阀装置-CN201910347802.2有效
发明人：李炳胜;河景九;金贤裕;朴正熙 -专利权人：现代自动车株式会社;起亚自动车株式会社
申请日： 2019-04-26 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： F16K17/02 文献下载
摘要：提供了一种燃料电池系统的空气切断阀装置。所述装置包括阀体，所述阀体具有供给气流经的入口侧空气通道和排放气流经的出口侧空气通道。阀瓣，所述阀瓣安装在阀体内，用于打开或关闭入口侧空气通道和出口侧空气通道。入口侧止回阀，所述入口侧止回阀在供给气的压力大于或者等于预定压力时打开，即使阀瓣关闭时，也能引导供给气通过入口侧空气通道进入燃料电池堆。出口侧止回阀，所述出口侧止回阀在排放气的压力大于或者等于预定压力时打开，即使阀瓣关闭时，也能引导从燃料电池堆释放的排放气流经出口侧空气通道。
一种燃料电池系统空气切断装置

[发明专利]肖特基势垒二极管及其制造方法-CN202110834993.2在审
发明人：千大焕;朴正熙;洪埩熀;郑永均;周洛龙 -专利权人：现代自动车株式会社;起亚株式会社
申请日： 2021-07-23 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：一种肖特基势垒二极管，包括：n+型衬底；n‑型外延层，设置在n+型衬底的第一表面上并具有在面对n+型衬底的表面的相对侧开口的沟槽；p型区域，设置在沟槽的侧面上；肖特基电极，设置在n‑型外延层上并位于沟槽内；以及欧姆电极，设置在n+型衬底的第二表面上。
肖特基势垒二极管及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202111403740.6在审
发明人： 朴正熙;千大焕;洪埩熀;郑永均;周洛龙 -专利权人：现代自动车株式会社;起亚株式会社
申请日： 2021-11-24 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括：在衬底的第一表面上的n‑型层、在n‑型层的一部分上的p型区、在n‑型层和p型区上的栅极、在栅极上的第一栅极保护层和在第一栅极保护层上的第二栅极保护层、在第二栅极保护层和p型区上的源极，以及在衬底的第二表面上的漏极。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]可变电阻存储器件-CN201710089322.1有效
发明人：吴哲;朴淳五;朴正熙;安东浩;堀井秀树 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-02-20 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：一种可变电阻存储器件包括：选择图案；中间电极，接触选择图案的第一表面；可变电阻图案，相对于选择图案在中间电极的相反侧；以及第一电极，接触选择图案的第二表面并包括n型半导体材料，选择图案的第二表面与其第一表面相反。
可变电阻存储器件

[发明专利]用于燃料电池系统的运行压力调节阀装置-CN201811191983.6有效
发明人： 朴正熙;李炳胜;河景九;金贤裕 -专利权人：现代自动车株式会社;起亚自动车株式会社
申请日： 2018-10-12 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： F16K47/02 文献下载
摘要：本公开提供一种阀装置，包括：阀壳体，其具有与气流通道连接的阀通道；阀盘，其通过阀驱动器可旋转地设置在阀壳体内并改变阀通道的气流截面积；以及多孔构件，其安装在阀盘上并设置在阀盘和阀通道之间的开放区段中。
用于燃料电池系统运行压力调节装置

[发明专利]半导体器件以及用于制造半导体器件的方法-CN201710119656.9有效
发明人：千大焕;郑永均;周洛龙;朴正熙;李钟锡 -专利权人：现代自动车株式会社
申请日： 2017-03-02 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件以及用于制造半导体器件的方法。一种半导体器件包括n+型碳化硅基板、n‑型层、n型层、多个沟槽、p型区域、n+型区域、栅极绝缘膜、栅电极、源电极、漏电极和沟道。多个沟槽被布置为平面矩阵形状。n+型区域被布置为具有开口的平面网格类型、围绕沟槽中的每一个、并且在平面对角线方向上彼此相邻的沟槽之间与源电极接触。p型区域被布置在平面网格类型的n+型区域的开口中。
半导体器件以及用于制造方法

[发明专利]连接器系统-CN202110130046.5在审
发明人： 朴正熙;金兑映;吴秉华;金钟明 -专利权人：现代自动车株式会社;起亚自动车株式会社
申请日： 2021-01-29 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01R13/629 文献下载
摘要：本公开涉及一种连接器系统，该连接器系统包括：第一连接器，被配置为电连接到需要排出空气的特定装置，并且将从特定装置排出的空气引入到第一连接器中；第一连接线，包覆电连接到第一连接器的第一电缆，第一连接线的一侧连接到第一连接器；以及第二连接器，连接到第一连接线的相对侧并电连接到第一电缆，其中第一连接器、第一连接线和第二连接器被配置为彼此连通，使得被引入到第一连接器中的空气在经过第一连接线之后通过第二连接器排出。
连接器系统

[发明专利]半导体器件-CN202111138971.9在审
发明人：周洛龙;郑永均;朴正熙;李钟锡;千大焕 -专利权人：现代自动车株式会社;起亚株式会社
申请日： 2016-11-22 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了半导体器件。一种半导体器件，包含：n‑型层，布置在n+型碳化硅衬底的第一表面上；第一沟槽和第二沟槽，形成在n‑型层中并且彼此分离；n+型区，布置在第一沟槽的侧面与第二沟槽的侧面之间并且布置在n‑型层上；栅极绝缘层，布置在第一沟槽内；源极绝缘层，布置在第二沟槽内；栅极，布置在栅极绝缘层上；氧化层，布置在栅极上；源极，布置在氧化层、n+型区、及源极绝缘层上；以及漏极，布置在n+型碳化硅衬底的第二表面上。
半导体器件

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201611031572.1有效
发明人：周洛龙;郑永均;朴正熙;李钟锡;千大焕 -专利权人：现代自动车株式会社
申请日： 2016-11-22 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了半导体器件及其制造方法。一种半导体器件，包含：n‑型层，布置在n+型碳化硅衬底的第一表面上；第一沟槽和第二沟槽，形成在n‑型层中并且彼此分离；n+型区，布置在第一沟槽的侧面与第二沟槽的侧面之间并且布置在n‑型层上；栅极绝缘层，布置在第一沟槽内；源极绝缘层，布置在第二沟槽内；栅极，布置在栅极绝缘层上；氧化层，布置在栅极上；源极，布置在氧化层、n+型区、及源极绝缘层上；以及漏极，布置在n+型碳化硅衬底的第二表面上。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201610561758.1有效
发明人：千大焕;郑永均;周洛龙;朴正熙;李钟锡 -专利权人：现代自动车株式会社
申请日： 2016-07-15 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件。该器件包括具有设置在n+型碳化硅衬底的第一表面中的沟槽的n‑型层。n+型区和第一p型区设置在n‑型层和沟槽的侧面处。多个第二p型区设置在n‑型层处并与第一p型区隔开。栅极包括分别设置在沟槽处的第一栅极和从第一栅极延伸的多个第二栅极。源极设置在栅极上并与其绝缘。漏极设置在n+型碳化硅衬底的第二表面上。源极接触彼此隔开的多个第二p型区，在第二p型区中设置有n‑型层。
半导体器件及其制造方法

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