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- [发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202211616740.9在审
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赵南奎;金锡勋;柳廷昊;李峭蒑;朴判贵;申东石
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三星电子株式会社
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2022-12-15
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2023-10-20
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H01L23/48
- 提供了半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：衬底，所述衬底包括第一有源图案；第一沟道图案，所述第一沟道图案位于所述第一有源图案上，并且包括彼此间隔开并且垂直堆叠的第一半导体图案、第二半导体图案和第三半导体图案；第一源极/漏极图案，所述第一源极/漏极图案连接到所述第一半导体图案至所述第三半导体图案；以及栅电极，所述栅电极位于所述第一半导体图案至所述第三半导体图案上。所述第一源极/漏极图案包括朝向所述第一半导体图案突出的第一突起、朝向所述第二半导体图案突出的第二突起、以及朝向所述第三半导体图案突出的第三突起。所述第二突起的宽度大于所述第一突起的宽度。所述第三突起的宽度大于所述第二突起的宽度。
- 半导体器件及其制造方法
- [发明专利]半导体装置-CN202211558963.4在审
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申东石;刘贤琯;金锡勳;朴判贵;金容丞;金正泽
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三星电子株式会社
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2022-12-06
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2023-07-25
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H01L29/78
- 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：有源图案，包括沿第一方向延伸的下图案和在第二方向上与下图案间隔开的多个片图案；栅极结构，在下图案上且包括栅极绝缘层、栅极间隔件和沿与第一方向垂直的第三方向延伸的栅电极；源极/漏极图案，在下图案上且与每个片图案和栅极绝缘层接触；以及第一蚀刻阻挡图案，在栅极间隔件与源极/漏极图案之间。栅极间隔件包括面对栅电极并沿第三方向延伸的内侧壁和沿第一方向从栅极间隔件的内侧壁延伸的连接侧壁。源极/漏极图案包括在半导体衬垫层上的半导体填充层，半导体衬垫层与片图案接触且包括从栅极间隔件的连接侧壁延伸的刻面表面。第一蚀刻阻挡图案与半导体衬垫层的刻面表面和连接侧壁接触。
- 半导体装置
- [发明专利]多栅极半导体器件-CN202211712947.6在审
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赵南奎;金锡勋;李相吉;朴判贵
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三星电子株式会社
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2022-12-27
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2023-06-30
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H01L27/092
- 一种半导体器件包括第一有源图案，第一有源图案具有第一下图案和在第一下图案上的第一片图案。第一栅极结构包括第一栅电极。第二有源图案包括第二下图案。第二片图案在第二下图案上。第二栅极结构包括围绕第二片图案的第二栅电极。第一源极/漏极凹陷在相邻的第一栅极结构之间。第二源极/漏极凹陷在相邻的第二栅极结构之间。第一源极/漏极图案沿着第一源极/漏极凹陷延伸。第一硅锗填充膜在第一硅锗衬垫上。第二源极/漏极图案包括沿着第二源极/漏极凹陷延伸的第二硅锗衬垫。第二硅锗填充膜在第二硅锗衬垫上。
- 栅极半导体器件
- [发明专利]半导体装置-CN202111326140.4在审
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郑㥠珍;高到贤;金锡勳;金正泽;朴判贵;梁炆承;崔珉姬;河龙
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三星电子株式会社
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2021-11-10
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2022-06-17
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H01L29/78
- 提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括：有源图案，包括下图案和多个片图案；栅极结构，设置在下图案上并且围绕多个片图案；以及源极/漏极图案，填充源极/漏极凹陷并且形成在栅极结构的至少一侧上。源极/漏极图案包括沿着源极/漏极凹陷延伸并且接触下图案的第一半导体图案以及依次地设置在第一半导体图案上的第二半导体图案和第三半导体图案，第三半导体图案的下表面设置在最下面的片图案的下表面下方，第三半导体图案的侧表面包括平面部分，并且在第三半导体图案的下表面上的第二半导体图案的厚度与在第三半导体图案的侧表面的平面部分上的第二半导体图案的厚度不同。
- 半导体装置
- [发明专利]半导体器件-CN202111116770.9在审
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金正泽;金锡勋;朴判贵;梁炆承;郑㥠珍;崔珉姬;河龙
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三星电子株式会社
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2021-09-23
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2022-06-14
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H01L29/10
- 一种半导体器件包括：多沟道有源图案；多个栅极结构，位于所述多沟道有源图案上并在第一方向上彼此间隔开，所述多个栅极结构包括在与所述第一方向不同的第二方向上延伸的栅电极；源极/漏极凹陷，位于相邻的所述栅极结构之间；以及源极/漏极图案，在所述源极/漏极凹陷中位于所述多沟道有源图案上，其中，所述源极/漏极图案包括：半导体衬垫层，包括硅锗并沿着所述源极/漏极凹陷延伸；半导体填充层，包括硅锗并位于所述半导体衬垫层上；以及至少一个半导体插入层，位于所述半导体衬垫层和所述半导体填充层之间，其中，所述至少一个半导体插入层具有鞍结构。
- 半导体器件
- [发明专利]集成电路器件-CN202111211674.2在审
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崔珉姬;郑谞珍;金锡勋;金正泽;朴判贵;梁炆承;河龙
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三星电子株式会社
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2021-10-18
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2022-06-14
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H01L29/06
- 一种集成电路器件包括：鳍型有源区，位于衬底上；至少一个纳米片，具有面对鳍顶的底表面；栅极线，位于所述鳍型有源区上；以及源极/漏极区，位于所述鳍型有源区上，与所述栅极线相邻，并且与所述至少一个纳米片接触，其中，所述源极/漏极区包括下主体层和上主体层，所述下主体层的顶表面包括下刻面，所述下刻面在其在从所述至少一个纳米片到所述源极/漏极区的中心的方向上延伸时朝向所述衬底下降的，并且所述上主体层包括与所述下刻面接触的底表面和具有上刻面的顶表面。对于垂直截面，所述下刻面沿着相应的第一线延伸，所述上刻面沿着与所述第一线相交的第二线延伸。
- 集成电路器件
- [发明专利]半导体装置-CN202111388186.9在审
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金正泽;金锡勋;河龙;朴判贵;申东石
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三星电子株式会社
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2021-11-22
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2022-06-07
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H01L29/10
- 提供了一种半导体装置，包括：有源图案，其包括在第一方向上延伸的下图案和在垂直于第一方向的第二方向上与下图案间隔开的多个片图案；多个栅极结构，其位于下图案上以在第一方向上彼此间隔开，并且包括包围多个片图案的栅电极和栅极绝缘膜；源极/漏极凹部，其限定在彼此相邻的栅极结构之间；以及源极/漏极图案，其位于源极/漏极凹部内部，并且包括沿着源极/漏极凹部连续地形成的半导体阻挡膜，其中，源极/漏极凹部包括多个宽度延伸区域，并且宽度延伸区域中的每一个在第一方向上的宽度随着其远离下图案的上表面而增大并且随后减小。
- 半导体装置
- [发明专利]半导体器件-CN202010998536.2在审
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河龙;金东宇;金傔;金容丞;朴判贵;李承勋
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三星电子株式会社
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2020-09-21
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2021-07-16
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H01L29/08
- 一种半导体器件，包括：有源图案，在第一方向上延伸；沟道图案，在有源图案上，并且包括竖直堆叠的半导体图案；源极/漏极图案，在有源图案中的凹部中；栅电极，在有源图案上并在与第一方向交叉的第二方向上延伸，栅电极围绕每个半导体图案的顶表面、至少一个侧表面和底表面；以及栅极间隔物，覆盖栅电极的侧表面，并且具有向半导体图案的开口，其中，源极/漏极图案包括覆盖凹部的内侧的缓冲层，缓冲层包括彼此相对的外侧表面和内侧表面，并且外侧表面和内侧表面中的每一个是朝向栅电极凸出地弯曲的弯曲表面。
- 半导体器件
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