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[发明专利]一种单向可控硅及其制作方法-CN202210963031.1在审
发明人： 朱法扬;俞荣荣 -专利权人：江苏捷捷微电子股份有限公司
申请日： 2022-08-11 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本申请提供了一种单向可控硅及其制作方法，涉及单向可控硅技术领域。该单向可控硅包括：第一掺杂类型的第一半导体层，位于第一半导体层两侧的第二半导体层与第三半导体层；其中，第二半导体层与第三半导体层均为第二掺杂类型，位于第二半导体层远离第一半导体层一侧的阳极区，位于第三半导体层远离第一半导体层一侧的导通区与控制极区，其中，导通区为第一掺杂类型，导通区包括主导通区、辅助导通区以及阻尼区，且主导通区的结深、掺杂浓度均小于辅助导通区的结深与掺杂浓度，位于主导通区与阻尼区远离第一半导体层一侧的阴极区。本申请提供的单向可控硅及其制作方法具有拥有更高的dv/dt的优点。
一种单向可控硅及其制作方法

[发明专利]印刷玻璃钝化工艺方法-CN202111515964.6在审
发明人： 朱法扬;周榕榕;薛治祥;朱森梅;沈广宇 -专利权人：江苏捷捷微电子股份有限公司
申请日： 2021-12-13 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明公开一种印刷玻璃钝化工艺方法，包括下列步骤：1）上片，在印刷区域放入硅单晶片，将不锈钢印刷板覆盖在硅单晶片表面，不锈钢印刷板的中心印刷通槽位于硅单晶片的中部；2）涂覆玻璃糊、刮涂，在不锈钢印刷板上倒入玻璃糊，用刮刀沿芯片的对角线方向将玻璃糊刮入硅单晶片的沟槽内，重复1‑2次填满沟槽，刮刀材质为树脂、不锈钢、特氟龙、橡胶或聚氨脂；3）玻璃糊烘干，硅单晶片放到热板上烘干；4）装舟，硅单晶片装入石英舟；5）玻璃烧结。能够有效防止对硅片进行玻璃浆料涂刷的时候，对硅片本身造成伤害。
印刷玻璃钝化工艺方法

[实用新型]高正向阻断电压门极灵敏触发单向可控硅芯片-CN201920615765.4有效
发明人：俞荣荣;王成森;朱法扬 -专利权人：江苏捷捷微电子股份有限公司
申请日： 2019-04-30 - 公布日： 2019-11-29 - 主分类号： H01L29/74 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高正向阻断电压门极灵敏触发单向可控硅芯片，包括阳极电极A、背面P型短基区、P型对通隔离环、门极电极G、N‑型长基区、正面P型短基区、N+型发射区、阴极电极K、隔离钝化槽和设置在正面的氧化膜。制造方法：生长氧化层、光刻对通隔离环、离子注入铝、对通隔离环扩散、双面P型短基区扩散、正面光刻发射区、N+发射区磷扩散、光刻隔离钝化槽及腐蚀、Sipos+Gpp钝化保护、光刻引线、双面蒸发电极、双面光刻反刻、真空合金、芯片测试、划片分离。本实用新型满足VDRM＞2200V，实现极高的正向阻断电压。
发射区隔离环光刻本实用新型阻断电压钝化槽门极正向隔离单向可控硅扩散钝化保护双面光刻芯片测试阳极电极阴极电极蒸发电极正面光刻长基区磷扩散氧化层氧化膜电极触发反刻划片离子背面合金灵敏芯片腐蚀生长制造

[实用新型]利用对称性双向划片的单台面高压可控硅芯片-CN201920614728.1有效
发明人：俞荣荣;朱法扬 -专利权人：江苏捷捷微电子股份有限公司
申请日： 2019-04-30 - 公布日： 2019-11-22 - 主分类号： H01L29/747 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种利用对称性双向划片的单台面高压可控硅芯片，包括N‑型长基区正面的P型短基区与N+型发射区连接成一体，N‑型长基区背面的背面P型短基区通过P型对通隔离环与正面P型短基区相连。制造方法：硅片检验、生长氧化膜、光刻隔离窗、隔离划片、双面注入铝、隔离扩散、双面注入硼、双面注入铝、P型短基区扩散、光刻发射区、发射区磷扩散、光刻钝化槽、钝化槽腐蚀、钝化槽保护、光刻引线区、双面蒸发电极、光刻反刻区、合金、测试、划切。本实用新型解决了焊锡膏焊接时因溢料导致成品管的电压失效问题；解决了因树脂填充不完全出现成品管内部空气击穿问题；解决了因采用厚片而出现的不衔接，不受控等问题，提高了生产效率和良品率。
光刻钝化槽发射区本实用新型长基区成品管划片隔离高压可控硅扩散内部空气生产效率失效问题树脂填充蒸发电极单台面隔离窗隔离环焊锡膏良品率磷扩散氧化膜引线区硅片击穿反刻厚片受控溢料焊接背面合金芯片测试腐蚀衔接生长检验制造

[发明专利]利用对称性双向划片的单台面高压可控硅芯片和制造方法-CN201910360164.8在审
发明人：俞荣荣;朱法扬 -专利权人：江苏捷捷微电子股份有限公司
申请日： 2019-04-30 - 公布日： 2019-08-06 - 主分类号： H01L29/747 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用对称性双向划片的单台面高压可控硅芯片，包括N‑型长基区正面的P型短基区与N+型发射区连接成一体，N‑型长基区背面的背面P型短基区通过P型对通隔离环与正面P型短基区相连。制造方法：硅片检验、生长氧化膜、光刻隔离窗、隔离划片、双面注入铝、隔离扩散、双面注入硼、双面注入铝、P型短基区扩散、光刻发射区、发射区磷扩散、光刻钝化槽、钝化槽腐蚀、钝化槽保护、光刻引线区、双面蒸发电极、光刻反刻区、合金、测试、划切。本发明解决了焊锡膏焊接时因溢料导致成品管的电压失效问题；解决了因树脂填充不完全出现成品管内部空气击穿问题；解决了因采用厚片而出现的不衔接，不受控等问题，提高了生产效率和良品率。
光刻钝化槽发射区划片高压可控硅长基区成品管单台面芯片隔离扩散内部空气生产效率失效问题树脂填充蒸发电极隔离窗隔离环焊锡膏良品率磷扩散氧化膜引线区硅片击穿反刻厚片受控溢料焊接制造背面合金测试腐蚀衔接生长检验

[发明专利]高正向阻断电压门极灵敏触发单向可控硅芯片和制造方法-CN201910360828.0在审
发明人：俞荣荣;王成森;朱法扬 -专利权人：江苏捷捷微电子股份有限公司
申请日： 2019-04-30 - 公布日： 2019-07-26 - 主分类号： H01L29/74 文献下载
摘要：本发明公开了一种高正向阻断电压门极灵敏触发单向可控硅芯片，包括阳极电极A、背面P型短基区、P型对通隔离环、门极电极G、N‑型长基区、正面P型短基区、N+型发射区、阴极电极K、隔离钝化槽和设置在正面的氧化膜。制造方法：生长氧化层、光刻对通隔离环、离子注入铝、对通隔离环扩散、双面P型短基区扩散、正面光刻发射区、N+发射区磷扩散、光刻隔离钝化槽及腐蚀、Sipos+Gpp钝化保护、光刻引线、双面蒸发电极、双面光刻反刻、真空合金、芯片测试、划片分离。本发明满足VDRM＞2200V，实现极高的正向阻断电压。
阻断电压发射区隔离环光刻门极正向单向可控硅钝化槽触发灵敏芯片隔离扩散钝化保护双面光刻芯片测试阳极电极阴极电极蒸发电极正面光刻长基区磷扩散氧化层氧化膜电极反刻划片离子背面合金制造腐蚀生长

[发明专利]单一负信号触发的双向晶闸管芯片及其制造方法-CN201610142561.4有效
发明人：周健;朱法扬;王成森;俞荣荣 -专利权人：捷捷半导体有限公司
申请日： 2016-03-14 - 公布日： 2019-03-05 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：本发明公开了单一负信号触发的双向晶闸管芯片，其P型对通隔离环的正面设有正面氧化膜和门极电极，门极电极与P型对通隔离环之间设有N+型门极区，正面P型短基区的正面设有正面氧化膜和主端子T2，主端子T2与正面P型短基区之间设有带短路孔的正面N+型发射区，背面P型短基区的背面沿边缘设有背面氧化膜，背面氧化膜的内侧设有主端子T1，主端子T1与背面P型短基区之间设有带短路孔的背面N+型发射区。本发明的晶闸管芯片结构合理可靠，能有效避免由于信号干扰导致的误触发现象；背面氧化膜提高了芯片触发电流的一致性。在制造该芯片时，由于双面N+型发射区和N+型门极区同时光刻、扩散形成，减少了工艺流程，降低了生产成本。
单一信号触发双向晶闸管芯片及其制造方法

[实用新型]单一负信号触发的双向晶闸管芯片-CN201620192790.2有效
发明人：周健;朱法扬;王成森;俞荣荣 -专利权人：江苏捷捷微电子股份有限公司
申请日： 2016-03-14 - 公布日： 2016-08-03 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：本实用新型公开了单一负信号触发的双向晶闸管芯片，其P型对通隔离环的正面设有正面氧化膜和门极电极，门极电极与P型对通隔离环之间设有N+型门极区，正面P型短基区的正面设有正面氧化膜和主端子T2，主端子T2与正面P型短基区之间设有带短路孔的正面N+型发射区，背面P型短基区的背面沿边缘设有背面氧化膜，背面氧化膜的内侧设有主端子T1，主端子T1与背面P型短基区之间设有带短路孔的背面N+型发射区。该晶闸管芯片结构合理可靠，能有效避免由于信号干扰导致的误触发现象；背面氧化膜提高了芯片触发电流的一致性。在制造该芯片时，由于双面N+型发射区和N+型门极区同时光刻、扩散形成，减少了工艺流程，降低了生产成本。
单一信号触发双向晶闸管芯片

[实用新型]一种改进的可控硅结构-CN201220348436.6有效
发明人：耿开远;周建;朱法扬 -专利权人：启东吉莱电子有限公司
申请日： 2012-07-18 - 公布日： 2013-03-06 - 主分类号： H01L29/74 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种改进的可控硅结构，包括台面槽、穿通环、长基区、正面短基区、背面短基区、阴极区和门极区，其特征在于：阴极区和门极区之间开有阴极门极间槽，阴极门极间槽内填充有玻璃粉。本实用新型的优点是：耐压高，漏电低，也不存在反型条件和表面烧毁现象，大大提高了可控硅的可靠性。
一种改进可控硅结构

[发明专利]一种改进的可控硅结构及其生产工艺-CN201210248864.6有效
发明人：耿开远;周建;朱法扬 -专利权人：启东吉莱电子有限公司
申请日： 2012-07-18 - 公布日： 2012-11-21 - 主分类号： H01L29/74 文献下载
摘要：本发明公开了一种改进的可控硅结构，包括台面槽、穿通环、长基区、正面短基区、背面短基区、阴极区和门极区，其特征在于：阴极区和门极区之间开有阴极门极间槽，阴极门极间槽内填充有玻璃粉。生产上述可控硅结构的生产工艺，包括双面抛光片步骤、氧化步骤、光刻穿通、穿通扩散、短基区扩散、光刻阴极、阴极扩散、光刻台面槽、化学腐蚀台面槽、光刻引线孔、正面蒸铝、铝反刻、铝合金、背面喷砂、背面金属化、芯片测试、划片包装步骤，在化学腐蚀台面槽和光刻引线步骤之间增加了光刻阴极门极间槽步骤、化学腐蚀阴极门极间槽步骤和玻璃钝化步骤。本发明的优点是：耐压高，漏电低，也不存在反型条件和表面烧毁现象，大大提高了可控硅的可靠性。
一种改进可控硅结构及其生产工艺

[发明专利]一种可控硅的生产工艺-CN201210248841.5有效
发明人：耿开远;周建;朱法扬 -专利权人：启东吉莱电子有限公司
申请日： 2012-07-18 - 公布日： 2012-11-21 - 主分类号： H01L21/332 文献下载
摘要：本发明公开了一种可控硅的生产工艺，包括双面抛光片步骤、氧化步骤、光刻穿通步骤、进行穿通扩散步骤、光刻阴极步骤、阴极扩散步骤、光刻台面槽步骤、化学腐蚀台面槽步骤、光刻阴极门极槽步骤、化学腐蚀阴极门极槽步骤、玻璃钝化步骤、光刻引线孔步骤、正面蒸铝步骤、铝反刻步骤、铝合金步骤、背面喷砂步骤、背面金属化步骤、芯片测试步骤、划片步骤和芯片包装步骤，其特征在于：所述进行穿通扩散步骤和光刻阴极步骤之间增加了短基区扩散步骤，所述短基区扩散步骤包括镓预淀积步骤和镓再分布步骤。优点是：提高了可控硅的可靠性和适用性。
一种可控硅生产工艺

[实用新型]一种提高晶闸管高电压和大电流耐量的短基区结构-CN201120093276.0有效
发明人：周建;耿开远;朱法扬;李建新 -专利权人：启东吉莱电子有限公司
申请日： 2011-04-01 - 公布日： 2011-11-02 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种提高晶闸管高电压和大电流耐量的短基区结构，包括隔离穿通区和基片，所述基片位于隔离穿通区之间，其特征在于：所述隔离穿通区之间设有镓短基区，所述镓短基区表面还设有浓硼短基区，所述镓短基区和浓硼短基区均设于隔离穿通区之间。本实用新型的优点是：采用先镓扩，再在镓表面上补一层浓硼形成的短基区，前沿与基片有良好的缓变结，镓层与浓硼层距离几乎就是整个短基区宽度，电压高。镓表面补了浓硼后，整体浓度大大提高，电流耐量大幅改善，同时抗干扰性能和通态压降（VTM）也得到改善。
一种提高晶闸管电压电流短基区结构

[实用新型]一种提高可靠性的晶闸管结构-CN201120093117.0有效
发明人：耿开远;周建;朱法扬;李建新 -专利权人：启东吉莱电子有限公司
申请日： 2011-04-01 - 公布日： 2011-11-02 - 主分类号： H01L29/74 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种提高可靠性的晶闸管结构，所述该晶闸管的阴极区均布有短路条。本实用新型所采用的晶闸管的阴极区均布有短路条，不仅改善了短路点的能力，而且短路条相比于短路点面积大幅增加，电流泄放能力也大大增加，大电流高电压冲击时能够快速泄放，短路条抗击穿能力大大增加，使得晶闸管的可靠性大大提高。
一种提高可靠性晶闸管结构

[发明专利]一种提高可靠性的晶闸管结构及生产方法-CN201110081546.0无效
发明人：耿开远;周建;朱法扬;李建新 -专利权人：启东吉莱电子有限公司
申请日： 2011-04-01 - 公布日： 2011-08-17 - 主分类号： H01L29/74 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高可靠性的晶闸管结构，该晶闸管的阴极区均布有短路条。本发明还公开了提高晶闸管可靠性的生产方法，包括：生长氧化层、光刻穿通步骤、穿通扩散步骤、短基区扩散步骤、光刻台面槽步骤和化学腐蚀台面槽步骤，在短基区扩散步骤和光刻台面槽步骤之间还增加了光刻阴极步骤和阴极扩散步骤，所述的光刻阴极步骤为：将晶闸管阴极的正面使用均布有短路条的阴极版进行光刻，背面使用光刻胶保护；所述阴极扩散步骤为：采用磷源对阴极进行扩散。本发明不仅改善了短路点的能力，而且短路条相比于短路点面积大幅增加，电流泄放能力也大大增加，大电流高电压冲击时能够快速泄放，短路条抗击穿能力大大增加，使得晶闸管的可靠性大大提高。
一种提高可靠性晶闸管结构生产方法

[发明专利]一种提高晶闸管高电压和大电流耐量的短基区结构及其生产方法-CN201110081666.0无效
发明人：周建;耿开远;朱法扬;李建新 -专利权人：启东吉莱电子有限公司
申请日： 2011-04-01 - 公布日： 2011-08-17 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种提高晶闸管高电压和大电流耐量的短基区结构及其生产方法，一种提高晶闸管高电压和大电流耐量的短基区结构，包括隔离穿通区和基片，所述隔离穿通区之间设有镓短基区，所述镓短基区表面还设有浓硼短基区；其生产方法，包括短基区扩散步骤，所述短基区扩散步骤包括镓预淀积和硼预淀积，所述镓预淀积温度T=1200±20℃，时间t=1.5h，浓度R□=100-200Ω/□，再分布温度T=1250±10℃，时间t=18-25h，结深Xj=50-70μm，所述硼预淀积温度T=1080±20℃，时间t=3h，浓度R□=3-7Ω/□，再分布温度T=1200±10℃，时间t=5h，结深Xj=3-7μm。本发明的优点是：电压高、电流耐量大、抗干扰性强、通态压降小。
一种提高晶闸管电压电流短基区结构及其生产方法

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