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[发明专利]基于SOI衬底的DTI隔离形成工艺-CN202310721133.7在审
发明人：王俊杰;蔡莹;朱兆强;金锋 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2023-06-19 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于SOI衬底的DTI隔离形成工艺，在SOI衬底上进行刻蚀形成DTI沟槽；所述DTI沟槽的刻蚀，其底部仍保留一定厚度的外延硅层；进行热氧化工艺，充分氧化使所述DTI沟槽底部剩余的外延硅层全部转化为氧化层；对所述DTI沟槽进行多晶硅膜层淀积，将所述DTI沟槽的剩余空间填充满多晶硅。本发明工艺为了防止DTI沟槽底部产生空洞而降低隔离环耐压，采用在DTI沟槽刻蚀完成后，DTI沟槽底部保留一定厚度的外延硅层，然后通过热氧化工艺将DTI沟槽底部的残余外延硅层氧化成氧化膜，该氧化膜与SOI衬底自带的氧化层形成为一体完全包围隔离环，不会形成空洞或者空隙，从而形成良好的隔离介质。
基于 soi 衬底 dti 隔离形成工艺

[发明专利]一种光伏组串装配车间内的网络目标定位方法-CN202310664725.X在审
发明人：杨嘉;朱兆强;钟灿;姚旺;王雪刚;杨国亚;车宣豪;杨靖 -专利权人：中国电建集团贵州工程有限公司
申请日： 2023-06-06 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H04W64/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种光伏组串装配车间内的网络目标定位方法，针对车间室内环境下目标定位困难，目标定位精度不高的问题，首先构建了基于改进阿基米德优化算法的三维无线传感器网络目标定位方法；其次，对于改进的阿基米德优化算法，在原始阿基米德优化算法中引入了Halton序列，使初始化种群更加均匀，有利于算法的寻优。本发明在原始阿基米德优化算法中引入了非线性参数改进算法的位置更新策略，提升了算法的收敛速度与精度；在原始阿基米德优化算法中引入了精英反向学习策略，在算法当前最优解解的位置产生对反向解，对算法进行扰动，提升算法跳出局部最优值的能力，有效的提升了车间内目标定位的精度。
一种光伏组串装配车间网络目标定位方法

[发明专利]基于SOI衬底的DTI隔离形成工艺-CN202310721137.5在审
发明人：蔡莹;王俊杰;朱兆强;金锋 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2023-06-19 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于SOI衬底的DTI隔离形成工艺，在SOI衬底上进行刻蚀形成DTI沟槽，DTI沟槽底部没有硅残留；在所述的DTI沟槽中进行一定厚度的第一次的多晶硅膜层的淀积，所述的多晶硅膜层覆盖DTI沟槽的侧壁及底部，以及所述SOI衬底的表面；所述的DIT沟槽底部淀积的多晶硅膜层与SOI衬底中的氧化层接触；对所述的第一次淀积的多晶硅膜层进行氧化工艺，使所述多晶硅膜层全部转化为氧化膜层；对所述DTI沟槽进行第二次的多晶硅膜层淀积，将所述DTI沟槽的剩余空间填充满多晶硅。通过该工艺方法氧化膜与SOI衬底的氧化层完全包围隔离环，不会形成空洞，从而形成良好的隔离介质。
基于 soi 衬底 dti 隔离形成工艺

[发明专利]一种光伏组串装配车间异构无线传感器网络覆盖方法-CN202310668908.9在审
发明人：钟灿;杨嘉;朱兆强;姚旺;兰力元;王雪刚;杨国亚;车宣豪;曾垂杰;杨靖 -专利权人：中国电建集团贵州工程有限公司
申请日： 2023-06-06 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H04W16/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种光伏组串装配车间异构无线传感器网络覆盖方法，为了对车间进行全面的感知，针对车间环境下传感器部署困难，造成的传感器覆盖率与连通率不足，网络服务质量差等问题，首先构建了一个线性加权的光伏组串装配车间车间异构无线传感器网络覆盖优化模型；其次，对于原始白骨顶鸡算法，引入了SPM混沌映射模型初始化种群，提高种群质量，并在更新领导者鸡群位置阶段，引入了Levy飞行策略，加快算法的收敛速度；最后，引入了反向学习策略，在最优解处构建反向解扰动最优解，加强了算法跳出局部最优的能力。本发明有效的提升了异构传感器在有障碍物情况下的光伏组串装配车间内部署时的覆盖率与连通率。
一种光伏组串装配车间无线传感器网络覆盖方法

[发明专利]一种装配车间物料配送路径规划方法-CN202310698847.0在审
发明人：邹杨;宫少伟;朱兆强;陆海;黄隆恒;刘东亮;谭发均;李荣;刘欢 -专利权人：中国电建集团贵州工程有限公司
申请日： 2023-06-13 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： G06Q10/047 文献下载
摘要：本申请公开了路径规划技术领域的一种装配车间物料配送路径规划方法，包括以下步骤：1：输入车间面积，输入障碍区位置，输入加工工位信息，输入起点和终点，输入路径数量，输入算法相关参数；2：构建路径规划适应度函数；3：按比例选择发现者、跟随者与警戒者，引入Circle序列初始化种群，计算路径规划选举适应度函数，准备路径寻优；4：赋值iter＝1；5：引入正余弦搜索策略，更新发现者的位置；6：根据位置更新公式更新跟随者的位置；7：根据位置更新公式更新侦察者的位置；8：引入柯西变异因子，在最优解处进行扰动；9：计算路径规划适应度函数，得到当前适应度值；10：比较适应度值；11：判断是否满足终止条件。
一种装配车间物料配送路径规划方法

[发明专利]一种光伏电站平单轴组串的装配工艺方法-CN202310585043.X在审
发明人：张连超;央兴德;朱兆强;吕逸旻;高茂鑫 -专利权人：中国电建集团贵州工程有限公司
申请日： 2023-05-23 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： B23P19/06 文献下载
摘要：本申请公开了一种光伏平单轴组串的装配工艺方法，基于光伏平单轴组串装配生产线完成一根平单轴通过多个光伏支架对多块光伏面板进行组串装配的工艺过程。通过一根平单轴通过多个光伏支架对多块光伏面板进行组串装配的工艺过程，解决了工人操作技术熟练程度差导致整个光伏电站施工进度降低的问题，提高了光伏电站施工进度。
一种电站平单轴组串装配工艺方法

[发明专利]深沟槽隔离结构及其制造方法-CN202310341203.6在审
发明人：王俊杰;蔡莹;朱兆强;金锋 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明提供一种深沟槽隔离结构，包括硅衬底，硅衬底上的隔离结构区上形成有多个孔状的深沟槽；其中，相邻的两深沟槽之间的间距均位于预设范围内，间距小于在深沟槽热氧化形成氧化层所需的硅厚度；深沟槽中形成有氧化层，氧化层上形成有间隙，间隙中填充有绝缘材料层。本发明的深沟槽结构设计成间隔合理的通孔状深沟槽阵列，剩余的硅相互连接，不会有倒掉的风险。
深沟隔离结构及其制造方法

[实用新型]一种光伏桩强度的检测装置-CN202223350453.6有效
发明人：余登敏;朱兆强;洪成孝;范圆成;仁科杰;蒋田 -专利权人：中国电建集团贵州工程有限公司
申请日： 2022-12-14 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： G01N3/12 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种光伏桩强度的检测装置，包括：为两个的滑套，能伸缩的伸缩缸，伸缩缸两端与两个滑套对应安装；手动施压泵，手动施压泵通过输送管与伸缩缸中空内部连通。两个滑套对应套在两个间隔并处在混凝土基础中的光伏桩上，滑套可滑动固定套在光伏桩某一位置上，通过手动施压泵打压，高压介质通过输送管输送至伸缩缸中空内部使伸缩缸两端相对伸长，伸缩缸两端通过两个滑套对竖立在两个混凝土基础上的光伏桩施压，当混凝土基础发生破裂使光伏桩移位或光伏桩变形时，通过手动施压泵本身携带的压力表获取具体强度数据，解决了人工扳动光伏桩检测不能获取光伏桩变形或移位具体强度数据的问题。
一种光伏桩强度检测装置

[实用新型]一种用于光伏桩基立柱固定的工具-CN202223419627.X有效
发明人：杨国亚;韦玉金;黄忠俊;李均;朱兆强;杨涛;王雪刚;车宣豪;吴林禹;朱宇坤 -专利权人：中国电建集团贵州工程有限公司
申请日： 2022-12-20 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： E04H12/34 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于光伏桩基立柱固定的工具，包括固定支架、桩基立柱，所述固定支架下部放置在地面上，固定支架设有四根支脚，桩基立柱竖直放置在固定支架中部，且固定支架下部和上部分别通过活动架A和活动架B与桩基立柱连接，所述支脚的下部通过滑杆A连接，支脚的上部通过滑杆B连接，活动架A通过滑套A与滑杆A滑动连接，活动架B通过滑套B与滑杆B滑动连接。本实用新型通过在固定支架上设置活动架A和活动架B，可以将桩基立柱下部进行固定后，在水平方向上进行移动，将桩基立柱调整至竖直状态后，可以进行锁紧，防止在浇注时桩基立柱移位，从而保证桩基立柱的安装精度。
一种用于桩基立柱固定工具

[实用新型]一种桩孔护壁桶的复位器-CN202223331971.3有效
发明人：范圆成;朱兆强;洪成孝;余登敏;蒋田;仁科杰;熊竹青 -专利权人：中国电建集团贵州工程有限公司
申请日： 2022-12-13 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： E02D13/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种桩孔护壁桶的复位器，包括：为圆弧体的座套，座套至少为两块；支架组件，支架组件固定在座套内壁并位于座套中部，两块座套能通过支架组件进行调节大小卡套在护壁桶中，在座套卡套在护壁桶中时的支架组件中心为测量仪器提供受力点。测量仪器支撑在支架组件中心处，此时支架组件中心为测量仪器提供受力点，解决了护壁桶中心为通孔形状不能为测量仪器提供受力点的问题，座套之间通过支架组件进行调节大小卡套在护壁桶中，解决了不能与直径不一致的护壁桶匹配使用的问题。
一种护壁复位

[实用新型]一种光伏桩浇筑位置保持架-CN202223352356.0有效
发明人：余登敏;朱兆强;范圆成;洪成孝;蒋田;仁科杰;熊竹青 -专利权人：中国电建集团贵州工程有限公司
申请日： 2022-12-13 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： E02D13/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种光伏桩浇筑位置保持架，包括：架体，架体有滑梁；可前后滑动安装在滑梁上的前后调节组件，前后调节组件为两组上下分布在滑梁上；可左右滑动安装在前后调节组件上的左右调节组件，左右调节组件为两组分别安装在上下分布的两组前后调节组件上，左右调节组件对光伏桩顶部及底部进行稳定夹紧支撑。架体的滑梁上通过两组前后调节组件安装有两组左右调节组件对光伏桩顶部及底部进行稳定夹紧支撑，实现光伏桩底部悬空伸入桩孔内，混凝土排出时的冲击力冲击光伏桩底部时，由于光伏桩底部也被稳定夹紧支撑，光伏桩底部相对光伏桩顶部支点处距离短绕臂短，解决了钢材预制薄壁体的光伏桩底部会绕顶部支点被冲击弯曲的问题。
一种光伏桩浇筑位置保持

[实用新型]一种混凝土浇筑引流座-CN202223331468.8有效
发明人：洪成孝;朱兆强;余登敏;范圆成;蒋田;熊竹青 -专利权人：中国电建集团贵州工程有限公司
申请日： 2022-12-13 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： E02D15/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种混凝土浇筑引流座，包括：引流道，引流道一端有开口供混凝土排出；座壳，座壳顶面上设有凹口，引流道可拆卸嵌入安装在座壳顶面的凹口中；靠向桩孔的座壳前侧底面固定有前座脚，远离桩孔的座壳后侧底面固定有后座脚，前座脚低于后座脚，使座壳及座壳上的引流道呈现倾斜状态靠向桩孔。混凝土浇筑完成后，内壁吸附凝固混凝土的引流道从座壳顶面凹口取出更换，更换后的引流道拉到临时工棚内进行清理，更换后的引流道在座壳顶面凹口中对下一个桩孔的混凝土浇筑进行引流，解决了每次引流浇筑混凝土后均需清理吸附凝固混凝土才能使用的问题，提高了施工效率。
一种混凝土浇筑引流

[实用新型]一种驱动绳组件的装配工装-CN202223350465.9有效
发明人：范圆成;朱兆强;余登敏;洪成孝;仁科杰;蒋田 -专利权人：中国电建集团贵州工程有限公司
申请日： 2022-12-14 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： B25B27/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种驱动绳组件的装配工装，包括：底座；板斜撑，板斜撑固定在底座上；绳索斜撑，绳索斜撑固定在底座上，绳索斜撑与板斜撑有间隔；L卡板，L卡板固定在板斜撑上，L卡板上固定有卡板，卡板与L卡板背部之间有间隔；底夹口，底夹口固定在绳索斜撑上；活动夹口，活动夹口可旋转铰接在底夹口夹口前端处。钢丝驱动绳在活动夹口和底夹口夹口前端夹紧固定，连接板卡装在卡板与L卡板背部之间间隔中，再在螺杆套上弹簧及旋上后螺母，后螺母旋合抵着弹簧进行预紧，旋合力通过卡板与L卡板抵抗，钢丝驱动绳被活动夹口和底夹口夹紧固定不动，解决了人工作业人手需克服旋合力来拉住连接板和螺杆不动而存在装配时作业人员劳动强度大的问题。
一种驱动组件装配工装

[实用新型]一种C型钢檩位置装配台-CN202223376892.4有效
发明人：洪成孝;朱兆强;范圆成;余登敏;蒋田 -专利权人：中国电建集团贵州工程有限公司
申请日： 2022-12-14 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： B25B11/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种C型钢檩位置装配台，包括：底座；定位板，定位板可调节位置安装在底座上，定位板在使用时供C型钢檩背部靠向定位；顶压板，顶压板一端可旋转安装在底座上，顶压板经旋转轴可旋转装配到底座上；顶压板另一端来对C型钢檩进行顶紧在定位板上和压紧在底座上；设有外螺纹的定位螺栓，定位螺栓外螺纹旋合贯穿底座的螺纹通孔及顶压板的螺纹通孔，实现对顶压板固定在底座上。顶压板以旋转轴为旋转轴旋转，顶压板圆弧端来对C型钢檩进行顶紧在定位板上和压紧在顶压板上，定位螺栓对顶压板固定在底座上，C型钢檩被顶紧和压紧不动来作为基础，再将背板安装到C型钢檩上，解决了工人握住C型钢檩不动作业安装背板强度大的问题。
一种型钢位置装配

[发明专利]半导体集成器件的制造方法-CN202211316324.7在审
发明人：张晗;金锋;杨新杰;朱兆强 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2022-10-26 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体集成器件的制造方法方法，应用于半导体技术领域。具体的，其通过在去除了低压器件区的厚氧形成该区域的MOS器件的栅氧的过程中，同时在SGT器件中的表面形成一层薄氧层，从而弥补在刻蚀形成SGT器件的栅极多晶硅时，由于刻蚀过程中的误差导致的SGT器件的栅氧的损伤，进而避免了SGT器件发生漏电的问题，即，提高了器件的性能。并且，本发明提供了一种可以在同一块芯片同步生产SGT分离器件和BCD功率IC器件的方法，进而避免了现有技术中需要分步分别形成所述器件之后，再将二者键合连接，而导致的二者之间的寄生Rs和Rc比较大的问题，同时也提高了SGT器件和BCD器件的性能匹配度。
半导体集成器件制造方法

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