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[发明专利]一种斜孔的形成方法-CN201911156747.5在审
发明人： 曾绍海;李铭 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2019-11-22 - 公布日： 2020-03-24 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明公开了一种斜孔的形成方法，包括以下步骤：步骤S01：提供一半导体衬底，在所述半导体衬底上形成氧化物层；步骤S02：在所述氧化物层上形成光刻图形，以所述光刻图形为掩模，并采用第一倾斜角度对所述氧化物层进行离子注入氢气；步骤S03：通过退火，在所述氧化物层中形成具有第二倾斜角度的所述氧化物层的还原物层；步骤S04：去除位于所述还原物层之间剩余的所述氧化物层，在所述还原物层中形成斜孔。本发明解决了现有刻蚀技术无法刻蚀斜孔的问题，并可与常规硅基超大规模集成电路制造技术兼容，具有简单，方便，周期短的特点，能显著降低工艺成本。
一种形成方法

[发明专利]一种斜孔的形成方法-CN201911156761.5在审
发明人： 曾绍海;李铭;易春艳 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2019-11-22 - 公布日： 2020-03-24 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种斜孔的形成方法，包括以下步骤：步骤S01：提供一半导体衬底，在所述半导体衬底上形成光刻图形；步骤S02：以所述光刻图形为掩模，并采用第一倾斜角度对所述半导体衬底进行离子注入氧气；步骤S03：通过退火，在所述半导体衬底中形成具有第二倾斜角度的氧化物层；步骤S04：对所述半导体衬底进行刻蚀，去除所述氧化物层，在所述半导体衬底中形成斜孔。本发明解决了现有刻蚀技术无法刻蚀斜孔的问题，并可与常规硅基超大规模集成电路制造技术兼容，具有简单，方便，周期短的特点，能显著降低工艺成本。
一种形成方法

[发明专利]一种降低外延自掺杂效应的装置和方法-CN201910433135.X在审
发明人： 曾绍海;王俊丰;李铭 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2019-05-23 - 公布日： 2019-09-10 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种降低外延自掺杂效应的装置，包括半导体反应腔，以及设于所述半导体反应腔内的基座，所述基座设有贯通其上下表面的多个通孔，所述基座的底部设有聚气罐，并将所述通孔包覆在内，所述聚气罐连接抽气泵，所述基座、聚气罐和抽气泵一起形成一个密闭容器。本发明能有效解决外延淀积工艺期间的硅片正面不希望的自掺杂，装置结构简单，成本较低。本发明还公开了一种降低外延自掺杂效应的方法。
自掺杂气罐抽气泵反应腔通孔半导体外延淀积工艺硅片正面密闭容器上下表面有效解决装置结构包覆贯通

[发明专利]一种增大离子注入束流的离子发射装置及方法-CN201710456328.8有效
发明人：康晓旭;曾绍海 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2017-06-16 - 公布日： 2019-08-20 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：本发明公开了一种增大离子注入束流的离子发射装置，包括离子源、第一吸极、储存磁场和磁性分析部件，所述第一吸极设置在离子源的出口方向，所述储存磁场与所述第一吸极的出口偏转一定的角度，该角度使得经过第一吸极的离子进入储存磁场中做圆周运动，所述磁性分析部件用于对储存磁场中的离子进行检测分离；所述离子源电离的离子经过第一吸极引出，被第一吸极引出的离子进入储存磁场中做圆周运动，当储存磁场中的离子数量达到规定值时，将储存磁场中的离子释放至所述磁性分析部件中。本发明提供的增大离子注入束流的离子发射装置可以增大离子注入束流，进而提高离子注入工艺的均匀性和效率。
一种增大离子注入发射装置方法

[发明专利]一种防止高K材料氧扩散的方法-CN201511002977.8有效
发明人： 曾绍海;李铭 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2015-12-28 - 公布日： 2019-07-19 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种防止高K材料氧扩散的方法，通过在超薄界面层和高K材料界面处增加淀积一层金属Ru作为缓冲层，并在高K材料淀积完好后进行退火，使高K材料中的氧和金属Ru结合，形成稳定的RuO₂，从而可防止氧和衬底中的硅反应形成氧扩散；同时，还可阻止超薄界面层中的OH^—和高K材料生成Hf的亚氧化物HfO₂H₂x,避免电子由Hf向功函数金属转移形成界面，造成有效功函数的降低，从而提高了电路的电学特性和可靠性。
一种防止材料扩散方法

[发明专利]一种离子注入机的靶盘装置-CN201710456645.X有效
发明人：康晓旭;曾绍海 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2017-06-16 - 公布日： 2019-02-12 - 主分类号： H01J37/07 文献下载
摘要：本发明公开了一种离子注入机的靶盘装置，包括靶盘平台和支撑架，支撑架的上端安装靶盘平台，用于放置待加工晶圆，高能离子束进入所述靶盘装置，入射在待加工晶圆上，实现离子注入工艺，其中，还包括石墨电极单元和供电单元，所述支撑架的下端安装石墨电极单元，所述石墨电极单元为中空结构，包括石墨电极和中空区域Ⅰ，所述石墨电极和所述供电单元连接。本发明提供的一种离子注入机的靶盘装置，放置硅片的靶盘面积小于硅片面积，同时在靶台后面放置石墨电极，并在其上施加一定电压，对轰击在其上的束流进行减速，从而避免高能离子束轰击靶盘装置的其他部件，产生二次污染离子和轰击产生的颗粒。
一种离子注入装置

[发明专利]一种高压应力氮化硅薄膜的制备方法-CN201310170301.4有效
发明人： 曾绍海;左青云 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2013-05-09 - 公布日： 2019-02-05 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明提供一种高压应力氮化硅薄膜的制备方法，包括：将半导体器件层置于反应腔内；开启偏压功率源，设定偏压功率，设定反应温度，通入反应气体，在半导体器件层上淀积氮化硅薄膜；关闭偏压功率源，将反应腔内的残余气体抽空；保持反应温度不变，向反应腔内通入的含有氩气的保护气体；开启直流功率源，设定直流功率，同时通入含有氩气的增强压应力的混合气体，对氮化硅薄膜进行后处理，形成高压应力氮化硅薄膜；将反应腔内的残余气体抽空。本发明的后处理过程是在淀积过程的基础上原位完成的，且后处理选择性强，既降低了制造工艺的复杂程度，又节约了成本。
一种高压应力氮化薄膜制备方法

[发明专利]一种超低介电常数薄膜的制作方法-CN201410593456.3有效
发明人： 曾绍海;李铭 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2014-10-29 - 公布日： 2019-01-18 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种超低介电常数薄膜的制作方法，通过先对沉积形成的低介电常数薄膜进行刻蚀，形成所需的图形结构(此时的介质薄膜孔隙率较低，有足够的机械强度支撑硬掩膜引入的高应力)，然后再进行碳注入和紫外照射，以恢复介质薄膜中的孔径和孔隙率，进一步形成超低介电常数薄膜，既能避免介质薄膜倒线的现象，又能使介质薄膜的有效介电常数(K值)保持最小，且可与现有业界工艺相兼容。
一种介电常数薄膜制作方法

[发明专利]一种用于高温离子注入的加热装置和加热方法-CN201810809595.3在审
发明人： 曾绍海;李铭;夏亮 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2018-07-23 - 公布日： 2019-01-01 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于高温离子注入的加热装置，包括：基座，其形成有加热空腔，加热空腔的侧面具有窗口；至少两个承片台，分设于加热空腔上方的基座外周上，用于从边缘部位承载和固定硅片；上加热单元和下加热单元，用于分别从硅片的正面和背面对硅片进行加热，下加热单元设于加热空腔中。本发明采用点支撑式承片台结构承载和固定硅片，并采用双面同时加热的方式，解决了导体衬底在高温离子注入工艺中的翘曲问题，提高了高温离子注入工艺的均匀性，装置结构简单，成本较低。本发明还公开了一种用于高温离子注入的加热方法。
高温离子加热空腔加热固定硅片加热单元加热装置承片台硅片上加热单元导体边缘部位结构承载装置结构点支撑均匀性衬底翘曲外周分设承载侧面

[发明专利]一种全耗尽绝缘层硅晶体管的形成方法-CN201610363634.2有效
发明人： 曾绍海;李铭 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2016-05-27 - 公布日： 2018-12-18 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种全耗尽绝缘层硅晶体管的形成方法，在SOI衬底上，通过在源漏层淀积一层金属，并连接在局部区域形成的高掺杂、激活的源漏区，可使串联电阻得到显著减小，从而解决了传统技术中因使用硅化物掺杂层所带来的接触电阻高的问题。
一种耗尽绝缘晶体管形成方法

[发明专利]一种鳍式场效应晶体管结构的形成方法-CN201810509583.9在审
发明人： 曾绍海;李铭;陈张发 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2018-05-24 - 公布日： 2018-11-06 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种鳍式场效应晶体管结构的形成方法，包括以下步骤：步骤S01：提供一半导体衬底，在所述半导体衬底上淀积一层金属薄膜；步骤S02：图形化金属薄膜；步骤S03：以氢氟酸和双氧水为刻蚀剂，对铺有金属薄膜图形的半导体衬底表面进行整片刻蚀，在原金属薄膜图形位置之间形成相对凸起的鳍部；步骤S04：在鳍部的顶部和侧壁形成横跨鳍部的栅极结构；其中，通过利用金属颗粒作为局域阴极和催化剂，与作为局域阳极的半导体衬底颗粒之间发生局域微观电化学反应，将金属薄膜图形下方区域的半导体衬底表面优先腐蚀形成凹陷，从而在原金属薄膜图形位置之间形成相对凸起的鳍部。本发明可以精确地控制鳍部的宽度和高度。
鳍部金属薄膜图形衬底鳍式场效应晶体管半导体半导体衬底表面凸起双氧水阴极图形化金属微观电化学阳极金属薄膜金属颗粒栅极结构刻蚀剂氢氟酸凹陷侧壁淀积催化剂薄膜横跨腐蚀

[发明专利]一种低衬底损耗的体硅CMOS结构及制作方法-CN201810563554.0在审
发明人：王全;刘林林;曾绍海 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司
申请日： 2018-05-24 - 公布日： 2018-11-06 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明公开了一种低衬底损耗的体硅CMOS结构及其制备方法，该CMOS结构自下而上依次包括硅衬底、场区和有源区、第一介质层、无源器件区和第二介质层以及钝化层，所述有源区和场区位于同一水平面上，所述无源器件区和第二介质层位于同一水平面上；所述无源器件区位于所述场区的正上方，且所述无源器件区在水平方向上的面积小于场区在水平方向上的面积，位于所述无源器件区正下方的硅衬底背面含有特定图样的硅槽，且所述硅槽中填充绝缘介质材料。本发明提供的一种低衬底损耗的体硅CMOS结构及制作方法，可以降低硅衬底的寄生效应，减小衬底的损耗，提高器件的品质因子。
无源器件场区衬底硅衬底介质层体硅同一水平硅槽源区填充绝缘介质寄生效应品质因子钝化层减小图样制备制作背面

[发明专利]一种检测管道内壁粗糙度的装置及方法-CN201810390944.2在审
发明人： 曾绍海;刘谆骅;李铭 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2018-04-27 - 公布日： 2018-10-19 - 主分类号： G01B11/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种检测管道内壁粗糙度的装置及方法，通过在待检测管道的一端设置光源，在管道的另一端设置光强吸收模块和信号处理模块，当光线从管道的一端通过管道时，由于管道内壁表面存在粗糙度不一样的情况，将在管道内壁表面发生双向反射，从而导致在管道另一端检测到的光强发生变化，根据光强值的变化即可确定管道内壁表面的粗糙度；本发明可解决现有技术无法测量管道内壁表面粗糙度的问题，并具有装置结构简单，成本较低的优点。
管道内壁粗糙度一端设置种检测光强测量管道内壁信号处理模块表面粗糙度光强吸收双向反射装置结构检测光源

[发明专利]一种提升注入离子平行性的装置及其方法-CN201710456644.5有效
发明人：康晓旭;曾绍海 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2017-06-16 - 公布日： 2018-10-16 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：本发明公开了一种提升注入离子平行性的装置及其方法，其中，所述装置包括靶盘平台、法拉第杯阵列、微磁场阵列和控制单元，所述靶盘平台用于放置待加工晶圆，所述法拉第杯阵列由位于同一平面的法拉第杯排列组成，所述法拉第杯阵列和所述待加工晶圆位于同一平面上，且在该平面内位置可相互切换，在靶盘平台朝向离子束方向的上方设置微磁场阵列，所述控制单元分别连接微磁场阵列和法拉第杯阵列。本发明提供的一种提升注入离子平行性的装置，采用法拉第杯阵列检测离子束的平行性，并通过微磁场阵列调整离子束的平行性，避免了入射离子发散的现象，提升了注入离子的平行性。
法拉第杯平行性注入离子微磁场离子束靶盘晶圆阵列检测发散入射加工离子

[发明专利]浅沟槽隔离的制造方法-CN201310753728.7有效
发明人： 曾绍海 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2013-12-31 - 公布日： 2018-10-16 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明一种浅沟槽隔离的制造方法，提供衬底，在所述衬底上依次形成有衬垫氧化层和刻蚀阻挡层；刻蚀所述刻蚀阻挡层、衬垫氧化层和衬底，以形成位于所述衬底中的浅沟槽；于所述浅沟槽表面形成隔离层；在所述隔离层表面形成填充满所述浅沟槽的多晶硅层；对上述所形成的层叠结构离子注入锗，并进行退火处理。为此，本发明在与现有工艺相兼容的基础上，在沟槽内填充应变隔离材料以提高沟道应力，提高了CMOS器件的性能，大大减少了改善工艺环境所带来的投资，降低了生产成本。
沟槽隔离制造方法