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[发明专利]一种封装管壳体-CN201610531649.5有效
发明人：宋亮;彭虎 -专利权人： 昆山华太电子技术有限公司
申请日： 2016-07-07 - 公布日： 2019-01-22 - 主分类号： H01L23/49 文献下载
摘要：本发明公开了一种封装管壳体，包括金属法兰，所述金属法兰上设置有绝缘陶瓷环，所述绝缘陶瓷环的两端均设有VBW拓展引脚，所述缘陶瓷环的上侧设置有VBW拓展引脚和一对输出翅片，设于缘陶瓷环上侧的VBW拓展引脚位于该对输出翅片之间，并且与输出翅片之间留有距离，所述缘陶瓷环的下侧设置有一对输入翅片。本发明的一对输出翅片之间设置有VBW拓展引脚，该引脚的引入更有利于配合两端的VBW拓展引脚从外匹配电路上实现VBW的进一步拓展，同时省去了管壳内置的电容，降低系统成本。
一种封装壳体

[发明专利]一种用于功率晶体管的控制谐波阻抗的内匹配结构-CN201410425313.1有效
发明人：曾大杰;尹利娟;张耀辉 -专利权人： 昆山华太电子技术有限公司
申请日： 2014-08-27 - 公布日： 2017-12-12 - 主分类号： H03F1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于功率晶体管的控制谐波阻抗的内匹配结构，包括管芯、连接管芯与输入引脚或者输出引脚的匹配电路，所述匹配电路包括至少一只电容，与输入引脚或者输出引脚通过键合线直接相连的电容与另一端和输入引脚或者输出引脚相连的由键合线构成的电感在晶体管工作频率的两倍处谐振。通过键合线构成的电感与电容在器件工作频率的2倍处谐振，形成短路。这样管芯M1所呈现的谐波阻抗，就不随着外匹配电路的变化而变化。可以通过L4的选取，来调节谐波阻抗，从而提高效率。谐波的阻抗是一个纯感性的，不会消耗任何功率，因此采用这种结构，能够提高功率放大器的效率。
一种用于功率晶体管控制谐波阻抗匹配结构

[发明专利]一种高可靠性HEMT制作方法-CN201710086139.6在审
发明人：彭虎;张耀辉;莫海锋 -专利权人： 昆山华太电子技术有限公司
申请日： 2017-02-17 - 公布日： 2017-07-04 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明公开了一种高可靠性HEMT制作方法，包括步骤1，在成型后的HEMT器件上淀积介质层，并对介质层进行平坦化处理；步骤2，在平坦化处理后的介质层上刻蚀若干通孔或槽；步骤3，在通孔或槽中淀积金属层，并对金属层进行平坦化处理；步骤4，在平坦化处理后的金属层和介质层上淀积钝化层。本发明采用先开孔后金属填充，然后淀积钝化层，通过优化钝化层结构，可以保障器件的防潮能力，使器件具有在潮湿环境工作的高可靠性；同时通过调节钝化层的厚度和应力，可以实现对器件性能的调节优化。
一种可靠性 hemt 制作方法

[发明专利]一种低成本的大功率电子器件封装工艺-CN201410257016.0有效
发明人：马文珍;张耀辉;曾大杰;彭虎 -专利权人： 昆山华太电子技术有限公司
申请日： 2014-06-11 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种低成本大功率电子器件封装工艺，准备好封装大功率电子器件的芯片和法兰，在芯片背面制作厚金层或者金锡层，在法兰表面先镀镍层，再镀薄金层，芯片和法兰之间通过金硅共晶焊或者金锡共晶焊贴片。本发明所述的低成本大功率电子器件封装工艺在芯片背面制备厚金层或者金锡层，在法兰表面镀薄金，既可以达到良好的金硅共晶焊和金锡共晶焊效果，减小芯片和法兰之间热界面层的空洞率，保证芯片的散热效率，又可以大幅度的降低封装工艺中的镀金成本，并减少工序。
一种低成本大功率电子器件封装工艺

[发明专利]一种高导热的功率器件封装结构和制作方法-CN201610709649.X在审
发明人：李琳松;张耀辉 -专利权人： 昆山华太电子技术有限公司
申请日： 2016-08-24 - 公布日： 2016-12-07 - 主分类号： H01L23/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种高导热的功率器件封装结构，功率器件通过金硅或金锗共晶层连接到热沉上，功率器件的衬底为非硅和非锗衬底；同时也公开了该结构的制作方法，包括步骤1，功率器件背金和热沉镀层处理；步骤2，将经过背金处理的功率器件以及镀层处理的热层，进行金硅或金锗共晶焊。本发明通过优化非硅和非锗衬底功率器件背金工艺和热沉镀层工艺，实现高导热的金硅共金焊，可以满足大功率散热需求的低成本封装方法。
一种导热功率器件封装结构制作方法

[发明专利]一种高导热的功率器件封装-CN201610590550.2在审
发明人：李琳松;张耀辉 -专利权人： 昆山华太电子技术有限公司
申请日： 2016-07-26 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明公开了一种高导热的功率器件封装，包括高导热法兰，所述高导热法兰上从下往上依次镀有第一阻挡层、若干缓冲层以及第二阻挡层，所述第二阻挡层上焊接有芯片。本发明基于现有的成熟法兰材料，对镀层工艺的合理优化，引入缓冲层概念，既保留的法兰高导热的优点，又有效地解决了应力匹配难点。
一种导热功率器件封装

[发明专利]一种LDMOS器件结构及制作方法-CN201610325621.6在审
发明人：彭虎;张耀辉;莫海锋 -专利权人： 昆山华太电子技术有限公司
申请日： 2016-05-17 - 公布日： 2016-08-10 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种LDMOS器件结构，包括金属连接层，所述金属连接层将LDMOS器源极从表面连接至衬底，所述LDMOS器件的沟道为浓度渐变沟道。同时也公开了该器件结构的制作方法。本发明采用多晶硅刻蚀后淀积一层台阶覆盖率高的介质层作为注入阻挡层，解决了光刻对位精度问题，可以实现0.25um以下栅长的自对准注入；同时采用金属连接层将源极从表面连接至衬底，金属连接层工艺在器件形成后进行，从而可以实现0.25um以下的栅长，制造良率和均匀性都可以得到保障。
一种 ldmos 器件结构制作方法

[发明专利]一种提高鲁棒性的RF-LDMOS器件结构-CN201610005753.0在审
发明人：刘正东 -专利权人： 昆山华太电子技术有限公司
申请日： 2016-01-07 - 公布日： 2016-03-30 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高鲁棒性的RF-LDMOS器件结构，在传统RF-LDMOS器件的衬底和漏区之间增加埋层掺杂区，通过调节该埋层掺杂区的深度和浓度，可以优化RF-LDMOS器件在击穿条件下漏区的电场分布，增加由漏区垂直向衬底走电流的能力，从而达到快速泄放过冲电流，保护器件的目的，使器件具有更好的鲁棒性，本发明结构简单，易于实现，具有良好的应用前景。
一种提高鲁棒性 rf ldmos 器件结构

[实用新型]一种具有异质埋层的RF LDMOS器件-CN201420417035.0有效
发明人：刘正东;曾大杰;张耀辉 -专利权人： 昆山华太电子技术有限公司
申请日： 2014-07-28 - 公布日： 2015-01-21 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有异质埋层的RF LDMOS器件，本实用新型在传统的器件结构基础上，在高掺杂衬底和外延层之间加入异质埋层，该异质埋层与高掺杂衬底和外延层具有相反的掺杂类型，源端金属引线与高掺杂衬底之间通过导电沟槽相连接，导电沟槽穿过异质埋层与高掺杂衬底相接触。本实用新型的RF LDMOS器件由于异质埋层对高掺杂衬底和外延层的耗尽作用，降低了管芯的损耗，是管芯能方便地与无源元件集成，有助于降低封装管内匹配电路的难度，同时芯片可进一步减薄，改善散热性能。
一种具有异质埋层 rf ldmos 器件

[实用新型]一种RF-LDMOS漏端场板结构-CN201420453674.2有效
发明人：刘正东;曾大杰;张耀辉 -专利权人： 昆山华太电子技术有限公司
申请日： 2014-08-13 - 公布日： 2015-01-14 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种RF-LDMOS漏端场板结构，包括电极层（1）、衬底（2）、外延层（3）、源极-衬底连接层（4）、漂移区（5）、固定电位区（7）、源极（8）、沟道（9）、漏极（15）、绝缘层（10）、栅极（20）、栅极金属硅化物（21）、源极-沟道连接区（22），还包括SiO₂层（23）、非晶硅（12）和金属硅化物（17）;非晶硅（12）包括横向延伸结构和纵向延伸结构，纵向延伸结构与漂移区（5）相接触，横向延伸结构设置在SiO₂层（23）上；金属硅化物（17）设置在非晶硅（12）上。本实用新型能够提高器件的击穿电压，同时降低热载流子效应，减小静态电流的漂移，显著降低Cds电容。
一种 rf ldmos 漏端场板结

[发明专利]一种用于功率晶体管的内匹配结构-CN201410425387.5在审
发明人：曾大杰;尹利娟;张耀辉 -专利权人： 昆山华太电子技术有限公司
申请日： 2014-08-27 - 公布日： 2014-12-17 - 主分类号： H01L23/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于功率晶体管的内匹配结构，包括管芯、设于输入端的输入内匹配结构、设于输出端的输出内匹配结构，在输入内匹配结构或者输出内匹配结构中包括至少两个电容，至少两个电容包括一个主电容与至少一个次电容，用于连接电容与管芯的键合线首先从管芯打到次电容上面，然后键合线从次电容再打到主电容上面。本发明通过次电容的设置，键合线从管芯打到次电容上再从次电容打到主电容上，这就拉长了键合线的长度，换句话说也就拉长了管芯到主电容的距离，从而达到增加电感线电感的目的，在不增加功率晶体管体积有效增加键合线的电感值，从而使得生产处的功率晶体管更适用于低频的应用。
一种用于功率晶体管匹配结构

[发明专利]RF-LDMOS自对准的漏端场板结构及制作方法-CN201410395633.7在审
发明人：刘正东;曾大杰;张耀辉 -专利权人： 昆山华太电子技术有限公司
申请日： 2014-08-13 - 公布日： 2014-12-03 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：本发明公开了一种RF-LDMOS自对准的漏端场板结构，包括电极层（1）、衬底（2）、外延层（3）、源极-衬底连接层（4）、漂移区（5）、固定电位区（7）、源极（8）、沟道（9）、漏极（15）、绝缘层（10）、栅极（20）、栅极金属硅化物（21）、源极-沟道连接区（22），还包括SiO2层（23）、非晶硅（12）和金属硅化物（17）;非晶硅（12）包括横向延伸结构和纵向延伸结构，纵向延伸结构与漂移区（5）相接触，横向延伸结构设置在SiO2层（23）上；金属硅化物（17）设置在非晶硅（12）上。本发明能够提高器件的击穿电压，同时降低热载流子效应，减小静态电流的漂移，显著降低Cds电容。
rf ldmos 对准漏端场板结制作方法

[实用新型]可调节工作频率的射频功率器件-CN201220477300.5有效
发明人：曾大杰;余庭;赵一兵;张耀辉 -专利权人： 昆山华太电子技术有限公司
申请日： 2012-09-19 - 公布日： 2013-03-06 - 主分类号： H03F1/56 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种可调节工作频率的射频功率器件，包括依次连接的输入预匹配网络、功率放大器模块和输出预匹配网络，输入、输出预匹配网络或者功率器模块中的电容值或者电感值不是固定不变的，是能够调节控制的，通过改变电容值或者电感值，能够使得功率器件的工作频率发生改变，从而输入和输出预匹配网络的工作频率的范围也随之增大，扩大了射频功率器件能够工作的范围，而且还降低了射频功率器件设计的工艺复杂性和成本，能够使射频功率器件工作在各种需要不同工作频率的场合。
调节工作频率射频功率器件

[实用新型]一个击穿电压可以调整RF-LDMOS器件-CN201220352270.5有效
发明人：曾大杰;余庭;赵一兵;张耀辉 -专利权人： 昆山华太电子技术有限公司
申请日： 2012-07-20 - 公布日： 2013-03-06 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型公开了一个击穿电压可以调整RF-LDMOS器件，其包括衬底，所述衬底上设置有源极和漏极，所述源极和漏极之间通过沟道连接在一起，所述沟道上设置有栅极，所述栅极和所述沟道之间设置有氧化层，所述漏极包括漂移区，其特征在于：所述漂移区上设置有至少一个场板，所述场板和所述漂移区之间设置有绝缘层，所述场板和所述源极之间绝缘，所述场板的电压可以调节。本实用新型通过调节场板上的电压，从而实现击穿电压能够根据所需要工作的频率进行动态的调整。当器件工作在较低的频率，需要提供较大的输出功率的时候，可以提高器件的击穿电压。当器件工作在较高的频率，需要提高截止频率来保证足够的增益的时候，可以降低器件的击穿电压。
一个击穿电压可以调整 rf ldmos 器件

[实用新型]一种基于高K材料的LDMOS器件-CN201220352534.7有效
发明人：曾大杰;余庭;赵一兵;张耀辉 -专利权人： 昆山华太电子技术有限公司
申请日： 2012-07-20 - 公布日： 2013-03-06 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于高K材料的LDMOS器件，其包括衬底，所述衬底上设置有源极和漏极，所述漏极连接有N型漂移区，所述源极和N型漂移区之间通过沟道连接在一起，所述沟道上设置有栅极，所述栅极和所述沟道之间设置有绝缘层，其特征在于：所述绝缘层包括一个由高K材料组成的高K层，所述绝缘层依次包括以下三层：SiO2层、高K层和SiO2层。本实用新型在不会增加栅的漏电流的前提下，采用具有更高介电常数的高K材料来降低绝缘层厚度。
一种基于材料 ldmos 器件

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