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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]基于链式电路的ASIC片上去耦电容估算方法-CN200910030395.9有效
发明人：刘新宁;邵金梓;杨军;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2009-03-20 - 公布日： 2009-08-12 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于链式电路的ASIC片上去耦电容估算方法，属于抑制电源电压波动中去耦电容估算领域。本发明方法先采用Star-RCXT对布线后的ASIC电路进行寄生参数提取，用Perl分析SPF文件格式及包含信息进行链式电路建模，然后用欧拉公式将电容等效，根据Y-△变换方法对电路进行压缩，再求解压缩电路各节点的电压和电流，并对链式电路进行恢复求解，最后根据节点电压波动不能超过电源电压10％原则，采用积分思想求出所需添加的去耦电容数量。本方法估算出在电源地间需加入的片上去耦电容量，并使电源波动幅值不超过供电电压10％，有效解决电源网络压降问题。
基于链式电路 asic 上去电容估算方法

[发明专利]全数字延时锁定环电路-CN200910025968.9无效
发明人：杨军;鲁顺;刘新宁;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2009-03-16 - 公布日： 2009-08-12 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：本发明公布了一种全数字延时锁定环电路，包括主延时线、控制器、相位检测单元和复制延时线，其中主延时线的时钟接口分别接控制器的时钟接口和相位检测单元的一个时钟接口，主延时线的反馈时钟接口接相位检测单元的另一个时钟接口，相位检测单元的输出端接控制器的输入端，控制器的输出端分别接主延时线的输入端和复制延时线的输入端。本发明扩大了工作频率范围，提高了与DDR控制器的兼容性。
数字延时锁定电路

[发明专利]高压N型绝缘体上硅的金属氧化物半导体管-CN200910024952.6有效
发明人：钱钦松;高怀;刘侠;庄华龙;孙伟锋;陆生礼;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2009-02-27 - 公布日： 2009-07-22 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种高压N型绝缘体上硅的金属氧化物半导体管，包括：半导体衬底，在半导体衬底的上面设置有绝缘埋氧层、N型掺杂半导体区和P阱区，而场氧化层，金属层，栅氧化层，多晶硅栅以及氧化层设置在所述器件的表面，其特征在于：在埋氧化层上设有阻断氧化层，所述的阻断氧化层位于栅氧化层的下方，并且在阻断氧化层与栅氧化层之间形成沟道区，在N型掺杂半导体区内设有P型反型层且P型反型层位于N型漏区和N型源区之间的场氧化层的下表面。这种结构能使N型掺杂半导体区与埋氧层相接的界面处感应出的空穴集聚在N型掺杂半导体区底部，大大增加了界面处的电荷密度，从而能在较薄的埋氧层上承担较高的纵向耐压。
高压绝缘体金属氧化物半导体

[发明专利]高压P型绝缘体上硅的金属氧化物半导体管-CN200910024951.1有效
发明人：孙伟锋;贾侃;吴虹;钱钦松;李海松;陆生礼;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2009-02-27 - 公布日： 2009-07-22 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种高压P型绝缘体上硅的金属氧化物半导体管，包括：半导体衬底，在半导体衬底的上面设置有绝缘埋氧层、P型掺杂半导体区和N阱区，而场氧化层，金属层，栅氧化层，多晶硅栅以及氧化层设置在所述器件的表面，其特征在于：在埋氧化层上设有阻断氧化层，所述的阻断氧化层位于栅氧化层的下方，并且在阻断氧化层与栅氧化层之间形成沟道区，在P型掺杂半导体区内设有N型反型层且N型反型层位于P型漏区和P型源区之间的场氧化层的下表面。这种结构能使P型掺杂半导体区与埋氧层相接的界面处感应出的电子集聚在P型掺杂半导体区底部，大大增加了界面处的电荷密度，从而能在较薄的埋氧层上承担较高的纵向耐压。
高压绝缘体金属氧化物半导体

[发明专利]P型绝缘体上硅的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管-CN200910024962.X无效
发明人：孙伟锋;华国环;钱钦松;李海松;陆生礼;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2009-02-27 - 公布日： 2009-07-22 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种P型绝缘体上硅的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管，包括：半导体衬底，在半导体衬底上面设置有埋置氧化层，埋置氧化层上面是P型的掺杂半导体漂移区，N阱区设置在P型的掺杂半导体漂移区上方，而场氧化层，金属层，栅氧化层，多晶硅栅以及氧化层设置在所述器件的上表面，P型源区和N型接触区设置在N阱中，其特征是：该器件还包括至少一层浮置氧化层结构，它位于漏区与埋置氧化层结构之间的P型掺杂半导体漂移区内，而且，允许有多层浮置氧化层结构，以进一步优化漏区纵向电场的分布，从而提高器件整体的击穿电压。
绝缘体横向扩散金属氧化物半导体晶体管

[发明专利]多输入多输出正交频分复用系统低密度校验码的译码方法-CN200910024440.X无效
发明人：张萌;高星;戴志生;吴建辉;汤佳健;刘万福;罗锋;方信昀;李红;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2009-02-24 - 公布日： 2009-07-22 - 主分类号： H03M13/11 文献下载
摘要：本发明提出一种多输入多输出正交频分复用系统低密度校验码的译码方法，该方法基于对数似然比置信传播原理，其特征是通过坐标旋转数字计算机结构、移位器、加法器、乘法器以及除法器的相关运算实现了低密度校验码的对数似然比置信传播译码。该译码方法中还通过选择器来实现坐标旋转数字计算机结构的复用，使得低密度校验码的译码结构更简单。
输入输出正交频分复用系统密度校验码译码方法

[发明专利]N型绝缘体上硅的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管-CN200910024963.4无效
发明人：钱钦松;高怀;吴虹;李海松;孙伟锋;陆生礼;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2009-02-27 - 公布日： 2009-07-22 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种N型绝缘体上硅的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管，包括：半导体衬底，在半导体衬底上面设置有埋置氧化层，埋置氧化层上面是N型的掺杂半导体漂移区，P阱区设置在N型的掺杂半导体漂移区上方，而场氧化层，金属层，栅氧化层，多晶硅栅以及氧化层设置在所述器件的上表面，N型源区和P型接触区设置在P阱中，其特征是：该器件还包括至少一层浮置氧化层结构，它位于漏区与埋置氧化层结构之间的N型掺杂半导体漂移区内，而且，允许有多层浮置氧化层结构，以进一步优化漏区纵向电场的分布，从而提高器件整体的击穿电压。
绝缘体横向扩散金属氧化物半导体晶体管

[发明专利]一种基于MSK差分检测解调的解扩装置及其解扩方法-CN200910025082.4无效
发明人：刘昊;唐玲;蒋富龙;姚国良;吴建辉;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2009-02-17 - 公布日： 2009-07-15 - 主分类号： H04L27/227 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于MSK差分检测解调的解扩装置及其解扩方法，属于扩频通信系统解扩领域。其结构包括时钟控制电路、32位移位寄存器、同或相加电路、32位循环移位寄存器、6位减法器、最大绝对值锁存器、比较器、symbol锁存器、3位计数器和4位移位寄存器；该装置的解扩方法为将接收数据与预编码处理后得到的码元序列PN0_2进行相关运算得到相关值，该相关值进入符号判别器进行符号判别得到symbol，将symbol载入4位移位寄存器进行并串转换最后得到解扩出的比特数据。本发明准确性好，运算量小，电路功耗低。
一种基于 msk 检测解调装置及其方法

[实用新型]差分接口电路-CN200820300785.4无效
发明人：孙伟锋;梁涛;时龙兴;李海松;吴虹;邓江 -专利权人：四川长虹电器股份有限公司
申请日： 2008-05-19 - 公布日： 2009-03-11 - 主分类号： G09G3/28 文献下载
摘要：本实用新型涉及等离子平板显示技术领域，尤其涉及用于等离子平板显示器的驱动芯片中的差分接口电路。本实用新型提供了采用双比例镜像电流源做负载管的差分接口电路，有利于减小芯片版图面积。本实用新型的主要技术方案是：PMOS管M1和PMOS管M2构成一对差分对管；MOS管M3与MOS管M5、MOS管M4与MOS管M6以及MOS管M7与MOS管M8构成双比例镜像电流源，做MOS管M1和MOS管M2的负载管。本实用新型采用了双比例镜像电流源做负载管对差分对管的差模增益进行放大，相对于现有技术中的差分接口电路有利于减小芯片版图面积，适用于等离子平板显示器的驱动芯片。
接口电路

[发明专利]耗尽型NMOS管稳定电压源电路-CN200810124373.4有效
发明人：夏晓娟;谢亮;孙伟锋;陆生礼;宋慧滨;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2008-06-27 - 公布日： 2008-12-31 - 主分类号： G05F3/24 文献下载
摘要：一种耗尽型NMOS管稳定电压源电路，电路中含有增强型NMOS管及耗尽型NMOS管，其特征是电路中还设有用来产生与增强型NMOS管阈值电压相关的负温度系数电压的第一负温度系数电压产生电路、用来产生与耗尽型NMOS管阈值电压相关的负温度系数电压的第二负温度系数电压产生电路以及将第一、第二负温度系数电压产生电路产生的两个具有负温度系数的电压值相减，获得低温漂稳定电压源。
耗尽 nmos 稳定电压电路

[发明专利]点餐机-CN200810020973.6无效
发明人：徐申;何晓莹;孙伟锋;陆生礼;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2008-08-01 - 公布日： 2008-12-24 - 主分类号： G07G1/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种微处理器应用电路，具体涉及一种点餐机。包括与微处理器相连接的键盘、显示器、刷卡装置和菜肴指示器。就餐者通过键盘输入点餐内容，经微处理器处理由显示器显示点餐状态，刷卡装置完成付费；菜肴指示器指示所点菜肴，提醒餐厅服务人员为就餐者提取所点食物。本发明主要用于就餐者自助式点餐，减轻餐厅服务人员工作强度，提高工作效率，减少就餐人员就餐等待时间。
点餐机

[发明专利]一种耗尽型MOS管稳定电压源-CN200810124372.X有效
发明人：孙伟锋;夏晓娟;谢亮;宋慧滨;陆生礼;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2008-06-27 - 公布日： 2008-11-19 - 主分类号： G05F3/24 文献下载
摘要：一种耗尽型MOS管稳定电压源，其特征是电路中设有耗尽型NMOS管及耗尽型PMOS管以及用来产生与耗尽型NMOS管阈值电压相关的正温度系数电压的第一正温度系数电压产生电路、用来产生与耗尽型PMOS管阈值电压相关的正温度系数电压的第二正温度系数电压产生电路以及将第一、第二正温度系数电压产生电路产生的两个具有正温度系数的电压值相减，通过稳定电压源产生电路获得低温漂稳定电压源。
一种耗尽 mos 稳定电压

[发明专利]低压三相异步电动机抗晃电及保护综合装置-CN200810124362.6有效
发明人：钟锐;刁龙;徐宇柘;杨晓健;黄盛平;陆生礼;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2008-06-27 - 公布日： 2008-11-19 - 主分类号： H02H3/06 文献下载
摘要：低压三相异步电动机抗晃电及保护综合装置能实现低压三相异步电动机因低压线路电网波动而造成停车时的再次启动，从而解决工业生产企业因晃电而导致生产线非正常停车的问题。本发明由下列部分组成：1.处理器，2.时钟芯片，3.电池，4.电压比较器电路，5.接触器监测电路，6.继电器控制电路，7.二次控制回路，8.开关电源，9.接线端子。本发明能够在电网晃电波动停车后再来电时再启动电动机，还能判别电网晃电和长时间欠压故障两种不同类型的事件，并能判别晃电前电动机是否处于工作状态，具有整定精度高、可重复性好、动作时间准确等特点，且无需外部为装置提供大功率后备电源。
低压三相异步电动机抗晃电保护综合装置

[发明专利]耗尽型MOS管稳定电压源电路-CN200810124380.4无效
发明人：夏晓娟;谢亮;孙伟锋;宋慧滨;陆生礼;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2008-06-27 - 公布日： 2008-11-19 - 主分类号： G05F3/24 文献下载
摘要：一种耗尽型MOS管稳定电压源电路，其特征是电路中设有耗尽型NMOS管及耗尽型PMOS管，以及用来产生与耗尽型NMOS管阈值电压相关的正温度系数电压的第一正温度系数电压产生电路、用来产生与耗尽型PMOS管阈值电压相关的正温度系数电压的第二正温度系数电压产生电路以及将第一、第二正温度系数电压产生电路产生的两个具有正温度系数的电压值相减，通过稳定电压源产生电路获得低温漂稳定电压源。
耗尽 mos 稳定电压电路

[实用新型]等离子平板显示器驱动芯片结构-CN200720046401.6无效
发明人：李海松;吴虹;孙伟锋;易扬波;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2007-09-26 - 公布日： 2008-10-08 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种等离子平板显示器驱动芯片结构，适用于等离子平板显示器列选址驱动芯片和等离子平板显示器行扫描驱动芯片，芯片结构包括P型衬底，在P型衬底上设有N型外延层，在N型外延层上设有高压－P型横向金属氧化物半导体管、高压－N型横向金属氧化物半导体管及低压－互补型横向金属氧化物半导体管，在P型衬底与N型外延层之间设有N型重掺杂埋层且高压－P型横向金属氧化物半导体管、高压－N型横向金属氧化物半导体管及低压－互补型横向金属氧化物半导体管位于N型重掺杂埋层的上方，本实用新型结构，基于外延材料，材料成本上与SOI相比具有较大优势，并且国内外延技术比较成熟。
等离子平板显示器驱动芯片结构

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