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[发明专利]用于高温压电器件的掺杂型钽酸镓镧晶体及其制备方法-CN201110440347.4有效
发明人：高攀;涂小牛;孔海宽;忻隽;郑燕青;施尔畏 -专利权人：上海硅酸盐研究所中试基地;中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2011-12-23 - 公布日： 2013-06-26 - 主分类号： C30B29/30 文献下载
摘要：本发明涉及用于高温压电器件的掺杂型钽酸镓镧晶体及其制备方法。所述掺杂型钽酸镓镧(M-LGT)晶体通式为y％M:La3Ta0.5+xGa5.5-xO14，其中：-0.3≤x≤0.3，0≤y≤2，掺杂元素M为Ba、Mo和Al中的至少一种。该晶体可以采用提拉法或坩埚下降法等晶体生长方法制备，并通过优化生长气氛、掺杂元素及后处理条件，可以显著提高晶体高温下的电阻率。采用该晶体制作的压电元件首次成功应用于-200℃～649℃的超高温压电加速度传感器，该掺杂型高电阻率LGT晶体材料在未来的超高温压电器件中具有良好的应用前景。
用于高温压电器件掺杂型钽酸镓镧晶体及其制备方法

[发明专利]碳化硅化学气相外延载物台装置-CN201110437215.6有效
发明人：朱明星;石彪;陈义;刘学超;杨建华;施尔畏 -专利权人：上海硅酸盐研究所中试基地;中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2011-12-23 - 公布日： 2013-06-26 - 主分类号： C23C16/32 文献下载
摘要：本发明涉及化学气相沉积领域，具体涉及一种碳化硅化学气相外延载物台装置，该装置是分体式载物台装置，包括船型石英舟、石英托垫和石墨板。其中，船型石英舟前端为倾斜面，该倾斜面后为下凹平台面；石英托垫放置于石英舟下凹平台面上；石墨板放置于石英托垫上。本发明所述分体式载物台装置可用在水平式化学气相沉积反应室内，通过感应加热石墨板。本发明的优势在于：①沉积反应的气体流场和源物质分布均匀，气流扰动小；②对于大面积衬底，可以优化外延膜厚均匀性；③分体式设计可以降低使用成本并增加应用灵活性。
碳化硅化学外延载物台装置

[发明专利]大尺寸碳化硅单晶生长装置-CN201110440573.2有效
发明人：刘熙;严成峰;忻隽;孔海宽;肖兵;杨建华;施尔畏 -专利权人：上海硅酸盐研究所中试基地;中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2011-12-23 - 公布日： 2013-06-26 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明属于晶体生长技术领域，涉及大尺寸碳化硅单晶生长装置，具体是一种物理气相输运法(PVT)生长大尺寸SiC单晶的装置。该装置具体涉及一种使用PVT技术生长碳化硅单晶的坩埚结构。本发明在坩埚盖上表面开个球面孔，然后将完全贴合整个孔的特制外形的保温材料放进孔内铺平，然后将石墨盖片放入孔内并用力压平。这样使坩埚盖内部有一个夹心保温层，使坩埚盖表面对外综合散热均匀，减小晶体生长的径向温度梯度。
尺寸碳化硅生长装置

[发明专利]非线性光学晶体及其制备方法-CN201310070718.3无效
发明人：涂一帆;涂小牛;孔海宽;忻隽;郑燕青;施尔畏 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所;上海硅酸盐研究所中试基地
申请日： 2013-03-06 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种非线性光学晶体，其具有与YCa4O(BO3)3晶体相同的晶体结构，属Cm空间群，m点群，所述的非线性光学晶体为钐钇钙氧硼酸盐晶体，化学式为SmxY1-xCa4O(BO3)3，其中，0＜x＜1。其采用CaCO3、Y2O3、Sm2O3和H3BO3按化学计量比经提拉法生长而得到。本发明的钐钇钙氧硼酸盐晶体具有良好的非线性光学性能，用于制作激光非线性光学器件，对特定波长闲频光进行吸收可提高激光非线性光学器件的转化和放大效率。
非线性光学晶体及其制备方法

[发明专利]碳化硅晶片的退火方法-CN201310077884.6无效
发明人：姜涛;严成锋;孔海宽;刘熙;陈建军;高攀;忻隽;肖兵;施尔畏 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所;上海硅酸盐研究所中试基地
申请日： 2013-03-12 - 公布日： 2013-05-22 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳化硅晶片的退火方法，包括：将经初加工的碳化硅晶片置于退火炉中，在惰性气体或还原性气体的保护下，缓慢升温1～8小时（优选3～6小时）至退火温度1200～1800℃（优选1300～1500℃），在该退火温度恒温保温0.1～5小时（优选2～3小时），然后缓慢降温1～10（优选3～7小时）小时至室温。本发明通过对SiC晶片进行退火，与SiC晶锭的退火过程相比，具有退火温度低，时间短，在生产过程中容易实现等优点。经本发明退火处理，可以显著降低SiC晶片中的残余应力、减少缺陷，提高SiC晶片的结晶质量。
碳化硅晶片退火方法

[发明专利]高耐压、低导通电阻的光电导开关及其制造方法-CN201110281114.4有效
发明人：黄维;常少辉;刘学超;王乐星;庄击勇;陈辉;施尔畏 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所;上海硅酸盐研究所中试基地
申请日： 2011-09-21 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供一种高耐压、低导通电阻的光电导开关的制造方法，包括步骤：提供半绝缘衬底，在其上形成透明电极层；在透明电极层上旋涂光刻胶层，对透明电极层作图形化，在半绝缘衬底的左右两端分别形成透明电极；在半绝缘衬底和透明电极上旋涂第二光刻胶层，对第二光刻胶层作图形化，露出需要形成金属电极的区域；形成金属电极，其与透明电极分别相接触而与半绝缘衬底隔开；去除第二光刻胶层。相应地，本发明还提供一种高耐压、低导通电阻的光电导开关。本发明在保证一定电极间距的情况下，增加了开关的电流密度容量，减小了场强集中，从而使光电导开关在具有高耐压特性的同时，还具有较低的导通电阻。
耐压通电电导开关及其制造方法

[发明专利]一种硅酸铝镓锶钽压电晶体及其制备方法-CN201210594015.6无效
发明人：涂一帆;郑燕青;涂小牛;孔海宽;杨建华;施尔畏 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所;上海硅酸盐研究所中试基地
申请日： 2012-12-31 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： C30B29/34 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅酸铝镓锶钽压电晶体及其制备方法，所述硅酸铝镓锶钽压电晶体的化学式为Sr3TaAl(3-x)GaxSi2O14，其中x的取值范围为0.05～2.50。相比较于LGS压电晶体，在压电性能不受太大影响的情况下，STAGS压电晶体的生产成本显著降低；与STGS压电晶体相比较，STAGS压电晶体不仅压电性能有所提高，而且生产成本进一步降低；相对于结晶性能较差的STAS压电晶体，STAGS压电晶体体现了其结晶性能更为优异的优势。
一种硅酸铝镓锶钽压电晶体及其制备方法

[实用新型]一种适用于PVT法生长SiC晶体系统的测温结构-CN201220188163.3有效
发明人：孔海宽;忻隽;陈建军;严成锋;刘熙;肖兵;杨建华;施尔畏 -专利权人：上海硅酸盐研究所中试基地;中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2012-04-28 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本实用新型公开一种适用于PVT法生长SiC晶体系统的测温结构，所述系统具有用坩埚围成的晶体生长用晶体生长室，配置于生长室室内顶部的籽晶托，和在所述晶体生长室外围的保温层；所述的测温结构包括设置于生长室顶部的籽晶托上方的保温层上并能够通过其利用高温红外测温计测量晶体生长室内温度的开孔；以及插通所述开孔形成于籽晶托上的测温管。本实用新型的测温结构可以在晶体生长过程中准确测量坩埚顶部温度，从而实现精确控温，并且避免测温孔堵塞导致的温度梯度变化，提高晶体生长的成品率。
一种适用于 pvt 生长 sic 晶体系统测温结构

[发明专利]高纯碳化硅粉体的高温固相合成方法-CN201210207135.6无效
发明人：高攀;陈建军;严成锋;刘熙;孔海宽;忻隽;郑燕青;施尔畏 -专利权人：上海硅酸盐研究所中试基地;中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2012-06-21 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： C01B31/36 文献下载
摘要：本发明涉及一种高纯碳化硅粉体的高温固相合成方法，包括：配料工序：将高纯Si粉和高纯C粉混合均匀，其摩尔比为1：1～1.5：1；高真空热处理工序：将高纯Si和C粉放入坩埚中，然后置于加热炉中，对加热炉的生长室抽高真空至9×10-4Pa以下，同时将温度升高至600～1300℃，保持2小时以上；惰性气体清洗工序：向生长室中充入第一规定压力的高纯惰性气体，保持1小时以上后，再抽真空至9×10-3Pa以下，该工序重复2次以上；以及高温合成工序：在第二规定压力的高纯惰性气体下，于反应温度1500～2500℃下，保持反应2小时以上，而后降至室温，即可得到氮含量在15ppm以下的高纯碳化硅粉体。
高纯碳化硅高温相合成方

[发明专利]具有内禀铁磁性的ZnO基稀磁半导体薄膜及其制备方法-CN201210185344.5有效
发明人：熊泽;刘学超;卓世异;孔海宽;杨建华;施尔畏 -专利权人：上海硅酸盐研究所中试基地;中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2012-06-07 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有内禀铁磁性的ZnO基稀磁半导体薄膜及其制备方法，所述具有内禀铁磁性的ZnO基稀磁半导体薄膜的成份符合化学式Zn1-x-yCrxGayO，其中0 ≤x≤0.03，0≤y≤0.03。掺杂Cr和/或镓的ZnO基稀磁半导体薄膜具有室温铁磁性，而且具有在较大范围内可调的电阻率，以及在较大范围内可调的电子浓度，可为自旋电子器件的研究和应用提供良好的材料。
具有铁磁性 zno 基稀磁半导体薄膜及其制备方法

[发明专利]用于碳化硅单晶生长的高纯碳化硅原料的合成方法-CN201210169640.6无效
发明人：高攀;陈建军;刘熙;严成锋;孔海宽;忻隽;郑燕青;施尔畏 -专利权人：上海硅酸盐研究所中试基地;中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2012-05-29 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： C01B31/36 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于碳化硅单晶生长的高纯碳化硅原料的合成方法，包括：配料工序：采用高纯Si粉和高纯C粉为原料，高纯Si粉和高纯C粉的摩尔比大于1∶1且在1.5∶1以下；预处理工序：将高纯Si粉和高纯C粉放入坩埚中，然后置于加热炉中，对加热炉的生长室抽高真空至1×10-3Pa以下，同时将温度升高至600～1300℃；以及高温合成工序：在规定压力的高纯非氧化性气氛下，于反应温度1500～2500℃下，保持反应2～20小时，而后降至室温，即可得到用于碳化硅单晶生长的高纯碳化硅原料。
用于碳化硅生长高纯原料合成方法

[发明专利]碳化硅衬底用抛光液-CN201010619397.4无效
发明人：储耀卿;施尔畏 -专利权人：上海硅酸盐研究所中试基地;中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2010-12-31 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：一种碳化硅衬底用化学机械抛光液，其包含如下所示重量百分比的以下组分：磨料1～50重量％；螯合剂0.01～8重量％；表面活性剂0.01～10重量％；分散剂0.01～10重量％；氧化剂0.1～20重量％；其余均为去离子水。该抛光液对碳化硅衬底表面损伤小；碳化硅衬底粗糙度值低，可达到粗糙度Ra值小于0.5nm；衬底表面无划痕和腐蚀坑的缺陷；除去速率高、易于清洗；不腐蚀加工设备、不污染环境；原材料价格便宜、成本低；易于储存。该抛光液主要用于衬底用的碳化硅晶体的化学机械抛光。
碳化硅衬底抛光

[发明专利]一种生长SiC晶体的籽晶粘结方法-CN201010586723.6无效
发明人：孔海宽;严成锋;忻隽;陈建军;肖兵;陈之战;杨建华;施尔畏 -专利权人：上海硅酸盐研究所中试基地;中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2010-12-14 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本发明属于晶体生长领域，涉及一种用于生长高质量SiC晶体的籽晶粘结方法。所述生长高质量SiC晶体的籽晶粘结方法，包括如下步骤：（1）丝网印刷；（2）籽晶粘结；（3）将粘结籽晶和籽晶托的结粘结剂进行固化处理，其中，固化后的粘结剂层的厚度为7-100微米。本发明的生长高质量SiC晶体的籽晶粘结方法，可以确保籽晶与籽晶托之间的粘结剂层厚度分布均匀，避免籽晶由于不均匀机械应力和热应力作用发生开裂，同时，籽晶温度梯度分布均匀，有利于SiC晶体的均匀生长，并进一步提高SiC晶体的质量。
一种生长 sic 晶体籽晶粘结方法

[发明专利]大应力碳化硅晶体的初加工方法-CN201110453604.8有效
发明人：陈辉;庄击勇;王乐星;黄维;杨建华;施尔畏 -专利权人：上海硅酸盐研究所中试基地;中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2011-12-30 - 公布日： 2012-06-27 - 主分类号： B28D5/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种大应力碳化硅晶体的初加工方法，包括：对碳化硅晶锭的顶部和底部进行端面灌胶处理以使所述碳化硅晶锭的顶部和底部分别具有平整的表面的整形工序；将经整形的晶锭滚圆至所需尺寸；以及将所得晶锭切割成所需尺寸的晶片的切割工序。本发明的方法利用简单的灌胶处理即能有效避免晶体在初加工过程中开裂，操作简便、耗时短、成本低。
应力碳化硅晶体初加工方法

[发明专利]碳化硅晶体的定型定向的切割方法-CN201110453602.9无效
发明人：陈辉;庄击勇;王乐星;黄维;杨建华;施尔畏 -专利权人：上海硅酸盐研究所中试基地;中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2011-12-30 - 公布日： 2012-06-27 - 主分类号： B28D5/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳化硅晶体的定型定向的切割方法，至少包括：对多个碳化硅晶锭进行整形处理并滚圆至所需尺寸的预处理工序；以及将多个所得碳化硅晶锭依次粘接成一个整体后同时进行切割的切割工序。本发明将多个碳化硅晶锭粘接成一个整体，使碳化硅晶锭的总长度增加，然后再进行切割，从而保证了被切割的碳化硅晶锭的长度满足多线切割机的切割长度，而且能将多个晶锭同时切割出多个晶片，提高了切割效率。
碳化硅晶体定型定向切割方法