专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种多电源域全芯片ESD保护架构-CN202310498133.5在审
  • 王小明;乐立鹏;方新嘉;庞敏;王伊卜 - 北京微电子技术研究所;北京时代民芯科技有限公司
  • 2023-05-05 - 2023-10-24 - H02H9/04
  • 本发明属于芯片架构领域,具体涉及了一种多电源域全芯片ESD保护架构,旨在解决现有技术未从全芯片的全方位保护着手,芯片的抗ESD能力尚达不到预期的问题。本发明包括:分别设置于芯片输入输出端口区和芯片核心区的多个ESD电源钳位电路,用于形成ESD电流的低阻抗泄放通路,钳位电源总线电压低于设定值;分别设置于多电源域全芯片的各电源域之间轨间电路,用于形成不同电源域之间的ESD电流的低阻抗泄放通路;分别设置于芯片输入输出端口环与芯片核心区的设定位置的多组ESD防护电路构成的ESD电源网络,用于消除电源线、地线寄生电容及电阻对ESD的负面影响。本发明提高了整个芯片的抗ESD能力,达到了对整个芯片提供全方位保护的目的。
  • 一种电源芯片esd保护架构
  • [发明专利]一种抗辐射RS码译码电路-CN201911378536.6有效
  • 王佩;乐立鹏;安印龙;方新嘉;魏星;权晶;楚晓梅;陈战;王兆辉;王琰 - 北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所
  • 2019-12-27 - 2023-08-29 - H03M13/15
  • 本发明公开了一种抗辐射RS码译码电路,包括:伴随式计算模块,用于对接收到的码字R(x)进行计算,得到伴随多项式S(x);关键方程求解模块,用于对伴随多项式S(x)进行关键方程求解,得到错误位置多项式Λ(x)和错误值多项式ω(x);错误图案搜索模块,用于计算得到错误位置和错误位置对应的错误值;数据缓存模块,用于对接收到的码字R(x)进行缓存;纠错输出模块,用于读取数据缓存模块中缓存的码字R(x),根据错误图案搜索模块计算得到的错误位置和错误位置对应的错误值对读取的缓存的码字R(x)进行纠错,并输出码字C。本发明所述的抗辐射RS码译码电路,缩小了电路面积、降低了电路功耗,在提高电路性能的同时还增强了电路的可靠性。
  • 一种辐射rs译码电路

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