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[发明专利]沟槽栅极式半导体装置及其形成方法-CN202210673206.5在审
发明人：许忠龙;陈旷举;刘汉英 -专利权人： 新唐科技股份有限公司
申请日： 2022-06-15 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种沟槽栅极式半导体装置及其形成方法。该沟槽栅极式半导体装置，包括具有一沟槽的一外延层，以及设置于沟槽的下部的一遮蔽电极。遮蔽电极具有一第一侧壁及与其相对的一第二侧壁，且第一侧壁及第二侧壁的顶部各自具有一第一凹槽。上述装置也包括设置于沟槽的下部且隔开外延层与遮蔽电极的一下层介电层。下层介电层的一上表面具有一阶梯形轮廓自沟槽的一侧壁向下延伸至第一侧壁及第二侧壁各自的第一凹槽。上述装置也包括覆盖遮蔽电极的顶部及第一侧壁及第二侧壁各自的第一凹槽的一电极间介电层，以及设置于沟槽的一上部且覆盖阶梯形轮廓及电极间介电层的一栅极电极。
沟槽栅极半导体装置及其形成方法

[发明专利]具有温度补偿的震荡器与使用其的电子设备-CN202210602621.1在审
发明人：李政道;赖炳文 -专利权人： 新唐科技股份有限公司
申请日： 2022-05-30 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H03B5/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种配置有温度补偿电路的震荡器及使用其的电子设备。通过温度补偿电路，震荡器的电流镜电路中用于输出参考电流给电压匹配电路的晶体管可受到温度补偿电压的控制。温度补偿电压与参考电流都是随着温度上升而下降，且震荡电压的延迟时间正比温度补偿电压与反比于参考电流，因此，刚好相互抵消了温度对延迟时间的影响。再者，震荡电压的延迟时间关联于时钟信号的频率，因此，在震荡电压的延迟时间不受温度影响的情况下，时钟信号的频率也不会受到温度影响。
具有温度补偿震荡使用电子设备

[发明专利]用于更新一目标装置的一固件的方法及数据结构产品-CN202210777692.5在审
发明人：沈子岚 -专利权人： 新唐科技股份有限公司
申请日： 2022-07-04 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G06F8/65 文献下载
摘要：一种用于更新一目标装置的一固件的方法及数据结构产品，其中该方法包含：于第一电子装置，将固件切分为多个节段，再将所述多个节段分配为多个区块段；于第一电子装置，借由产生对应于所述多个区块段的一系列区块，并建立区块与其前一区块之间的链结，以产生固件链，并将区块段发布到固件链上；于目标装置，从固件链上取得所述多个节段，将所述多个节段更新至目标装置的第一储存区。
用于更新目标装置一固件方法数据结构产品

[发明专利]加密装置以及加密方法-CN202211228795.2在审
发明人：吴坤益;李钰珊 -专利权人： 新唐科技股份有限公司
申请日： 2022-10-08 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H04L9/08 文献下载
摘要：本发明提出一种加密装置以及加密方法，该加密装置包括控制器、随机控制器、第一功能单元以及第二功能单元。控制器用以产生第一使能信号以及第二使能信号。当第一使能信号以及第二使能信号的至少一者为第一逻辑电平时，随机控制器产生第一随机信号以及第二随机信号。第一功能单元根据第一使能信号以及第一随机信号，进行对应操作。第二功能单元根据第二使能信号以及第二随机信号，进行对应操作。
加密装置以及方法

[发明专利]校准方法以及校准装置-CN202210779479.8在审
发明人：陈柏升 -专利权人： 新唐科技股份有限公司
申请日： 2022-07-04 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G01R19/00 文献下载
摘要：一种校准方法以及校准装置，其中该方法适用于运算放大器。运算放大器具有第一输入级、第二输入级、第一输出级以及第二输出级，第一输入级耦接至第二输出级，第二输入级耦接至第一输出级。校准方法包括：关闭第二输入级；在第二输入级关闭且第一输出级以及第二输出级以第一方式串接时，测量第一输入级的第一偏移电压；将第一输出级以及第二输出级以与第一方式不同的第二方式串接；以及当第二输入级关闭且第一输出级以及第二输出级以第二方式串接时，测量第一输入级的第二偏移电压。
校准方法以及装置

[发明专利]消耗电能评估装置以及消耗电能评估方法-CN202210567655.1在审
发明人：蓝永吉 -专利权人： 新唐科技股份有限公司
申请日： 2022-05-24 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H02M3/157 文献下载
摘要：本发明提供一种消耗电能评估装置以及消耗电能评估方法。消耗电能评估装置包括电源转换器、计数器以及控制器。电源转换器包括电源开关。电源开关依据控制信号来进行开关操作，使电源转换器对至少一负载当中的对应负载进行供电。计数器在测量期间对控制信号的正脉冲以及负脉冲的其中之一进行计数以获得计数值。控制器依据计数值来产生对应负载的评估结果。
消耗电能评估装置以及方法

[发明专利]数据保持电路-CN201911343577.1有效
发明人：黄启睿 -专利权人： 新唐科技股份有限公司
申请日： 2019-12-24 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H03K19/0175 文献下载
摘要：一种数据保持电路包含电源开关、第一反相器与第二反相器。第一反相器的晶体管的二端分别耦接于第一反相器的第一电源端和第一输出端。电源开关的第一连接端耦接于电源电压，且第二连接端耦接于第一电源端及第二反相器的第二电源端。第二反相器的第二输入端与第二输出端分别耦接于第一反相器的第一输出端与第一输入端。于睡眠模式中，电源开关与晶体管截止。第一漏电流流于第一连接端与第二连接端之间。第二漏电流流于第一电源端与第一输出端之间。第一漏电流与第二漏电流于第二连接端上形成大于或等于数据保持电压的稳态电压。
数据保持电路

[发明专利]半导体材料及包含其的半导体结构-CN202210992574.6在审
发明人：蔡明志 -专利权人： 新唐科技股份有限公司
申请日： 2022-08-18 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：本申请提供一种半导体材料，所述半导体材料包括：金属；第一金属氧化物，包覆金属，其中第一金属氧化物为金属青铜类氧化物；第二金属氧化物，包覆第一金属氧化物；及另一第一金属氧化物，包覆第二金属氧化物。本申请更提供一种包含上述半导体材料的半导体结构。
半导体材料包含半导体结构

[发明专利]沟槽式功率半导体装置及其制造方法-CN202210485429.9在审
发明人：许忠龙;陈旷举;刘汉英 -专利权人： 新唐科技股份有限公司
申请日： 2022-05-06 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种沟槽式功率半导体装置及其制造方法。沟槽式功率半导体装置包括半导体基底、遮蔽栅、氧化层、栅极层以及栅氧化层。遮蔽栅设置于半导体基底的第一沟槽中，其包括第一遮蔽部分及位于第一遮蔽部分上的第二遮蔽部分，第二遮蔽部分的宽度大于第一遮蔽部分的宽度。氧化层设置于遮蔽栅与半导体基底之间，其包括环绕第一遮蔽部分的第一氧化部分及环绕第二遮蔽部分的第二氧化部分，第一氧化部分的厚度大于第二氧化部分的厚度。栅极层设置于第一沟槽中并位于遮蔽栅上。栅氧化层包括设置于栅极层与第二遮蔽部分之间的第一栅氧化部分及设置于栅极层与半导体基底之间的第二栅氧化部分。第二栅氧化部分的厚度小于第二氧化部分的厚度。
沟槽功率半导体装置及其制造方法

[发明专利]检测方法及检测装置-CN202210859435.6在审
发明人：黄国贞 -专利权人： 新唐科技股份有限公司
申请日： 2022-07-21 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： G06F11/22 文献下载
摘要：本发明提供一种检测方法及检测装置，该检测方法用以检测串行通信接口以及外部装置之间的通信协议。通信协议包括UART、I2C总线以及SPI，串行通信接口包括UART的传送线、I2C总线的串行时钟线以及SPI的装置选择线共用的第一引脚以及UART的接收线、I2C总线的串行数据线以及SPI的时钟线共用的第二引脚。根据第一引脚以及第二引脚的信号边缘判断通信协议为UART、I2C总线以及SPI的一者。本发明可以用同一个程序来取代需要对应不同通信协议的程序的更新，有助于降低LDROM所烧录的程序与串行通信接口不符的可能性。
检测方法装置

[发明专利]光学感测滤光器及其形成方法-CN201911333690.1有效
发明人：王庆森;陈旷举;萧鹏展;刘汉英;陈庆宗;郑书贤;黄文秀 -专利权人： 新唐科技股份有限公司
申请日： 2019-12-23 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L27/144 文献下载
摘要：本发明提供了一种光学感测滤光器及其形成方法。此光学感测滤光器包括具有主动区以及感测区的基板、设置在基板的感测区中的光电二极管、以及设置在光电二极管之上的滤光片结构。此滤光片结构包括设置在光电二极管之上的第一滤光片堆迭以及设置在第一滤光片堆迭之上的第二滤光片堆迭。第一滤光片堆迭包括设置在光电二极管之上的第一黏着层、设置在第一黏着层之上的第一金属层、以及设置在第一金属层之上的第一绝缘层。第二滤光片堆迭包括设置在第一绝缘层之上的第二黏着层、设置在第二黏着层之上的第二金属层、以及设置在第二金属层之上的第二绝缘层。
光学滤光及其形成方法

[发明专利]声音信号处理系统及方法-CN202011318379.2有效
发明人：波温·路 -专利权人： 新唐科技股份有限公司
申请日： 2020-11-23 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： G10L21/0216 文献下载
摘要：本发明提供一种声音信号处理系统及方法，该系统包含输入模块、相位差模块、延迟分布模块，以及配置以基于延迟分布进行最终延迟估计的延迟估计模块。最终延迟估计施加以对两个选定的通道中的一个进行对准，并组合两个通道以获得感兴趣信号。相位差模块计算频格的一定范围的相位差。延迟估计模块考虑了从相位差得出的所有可能的延迟，包含±2π的倍数，其克服当两个声音感测器之间的间隔大于波长的一半时高频格中的模糊。
声音信号处理系统方法

[发明专利]半导体装置以及半导体结构-CN202110177896.0有效
发明人：陈奕豪 -专利权人： 新唐科技股份有限公司
申请日： 2021-02-09 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置以及半导体结构，该半导体装置用以保护内部电路，包括晶体管、第一掺杂区以及第二掺杂区。晶体管包括栅极端、源极端以及漏极端。栅极端耦接至接地端，源极端耦接至内部电路，漏极端耦接至输入/输出焊垫。第一掺杂区具有第一导电型。第二掺杂区具有第二导电型，且相互连接于第一掺杂区。第一掺杂区以及第二掺杂区形成栅极端。
半导体装置以及结构

[发明专利]防止回滚攻击的系统及方法-CN202110494281.0有效
发明人：蒙旭·爱伦;阿夫拉罕·菲什曼;班·班德;波茲·特巴尼克;艾尔·科恩 -专利权人： 新唐科技股份有限公司
申请日： 2021-05-07 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： G06F21/14 文献下载
摘要：本发明提供一种防止回滚攻击的系统及方法，该系统包括只读存储器程序码，包含一启动程序，于芯片通电时运作；存储版本识别码的可编程熔丝阵列存储器，存储一个可开机固件版本的复本的非易失性存储器，其中第一识别码被存储，包含现用主要编号与次要编号，被一私有金钥标记；第二识别码被存储，包含复原主要编号与次要编号，被该私有金钥标记；以及硬件，遵守第一指令，由开机只读存储器程序码提供，关闭复原非易失性存储器的写入功能直到下次系统重置(启动程序除外)，遵守第二指令，解除复原非易失性存储器的写入保护，其中与这两版本及这两识别码关联的固件映像，被该私有金钥标记，且该开机只读存储器程序码认证固件映像与所述识别码。
防止攻击系统方法

[发明专利]功率元件及其制造方法-CN202110422918.5有效
发明人：普佳·瑞凡卓·戴许曼;陈柏安 -专利权人： 新唐科技股份有限公司
申请日： 2021-04-20 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种功率元件及其制造方法，所述功率元件包括：外延层，具有沟渠，所述沟渠自所述外延层的第一表面向第二表面延伸；漏极掺杂层，位于所述外延层的所述第二表面上；第一基体区与第二基体区，位于所述沟渠两侧的所述外延层中；第一源极掺杂区与第二源极掺杂区，分别位于所述第一基体区与所述第二基体区中；隔离场板，位于所述沟渠中；绝缘填充层，位于所述沟渠中，环绕所述隔离场板的下部的侧壁与底部；第一栅极与第二栅极，位于所述沟渠中且位于所述绝缘填充层上；以及介电层，环绕所述第一栅极与所述第二栅极的侧壁，其中所述第一栅极与所述第二栅极的底角为钝角。本申请可以提升元件的崩溃电压，降低导通电阻，改善品质因素，提升元件的效能。
功率元件及其制造方法

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