专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]电子装置及装置唤醒方法-CN201911079883.9有效
  • 郑令宜;张宝树 - 新唐科技股份有限公司
  • 2019-11-07 - 2023-09-01 - G06F9/4401
  • 本发明提供一种电子装置及装置唤醒方法,其中包括开始执行唤醒操作,载入最佳化频率值,并且以所述最佳化频率值取代计数器的预设频率值;根据所述最佳化频率值开始持续累计具有初始值的等待计数值;反应于判定所累计的所述等待计数值等于目标计数值,对可复写式非挥发性存储器模块中的一或多个测试实体位址分别执行读取测试操作;以及反应于判定所述一或多个测试实体位址都通过对应的所述读取测试操作,载入对应所述可复写式非挥发性存储器模块的多个初始化信息,以完成所述唤醒操作。
  • 电子装置唤醒方法
  • [发明专利]数据写入方法、烧录系统、数据更新方法以及储存装置-CN201911353709.9有效
  • 周丰义 - 新唐科技股份有限公司
  • 2019-12-25 - 2023-09-01 - G06F8/61
  • 一种数据写入方法、烧录系统、数据更新方法以及储存装置,数据写入方法适用于烧录系统通过数据存取接口的数据针脚将写入数据写入储存装置,数据写入方法包括:输入操作指令,使得储存装置根据操作指令进入测试模式;输入写入位址范围,使得储存装置抹除写入位址范围的数据,其中当储存装置完成抹除写入位址范围的数据时,储存装置于数据针脚产生信号缘;当接收到信号缘时,利用位框架发送写入数据的第一位;当接收到信号缘时,利用位框架发送写入数据的第二位;当写入数据发送完成时,输出传输确认码;以及当接收到信号缘时,判断写入数据已正确写入储存装置。
  • 数据写入方法系统更新以及储存装置
  • [发明专利]沟槽栅极式半导体装置及其形成方法-CN202210539389.1在审
  • 陈暐钧;陈旷举;刘汉英 - 新唐科技股份有限公司
  • 2022-05-18 - 2023-08-08 - H01L29/78
  • 实施例揭示一种沟槽栅极式半导体装置及其形成方法,其中该沟槽栅极式半导体装置包括具有一沟槽形成于内的一外延层。一栅极电极设置于沟槽的一上部,且一遮蔽介电层顺沿着沟槽的一下部的一侧壁表面及一下表面延伸,且遮蔽介电层的一上表面由栅极电极所覆盖。一遮蔽电极设置于沟槽的下部且由栅极电极与遮蔽介电层所围绕,其中一部分的遮蔽电极自遮蔽介电层的上表面突出,且此部分的遮蔽电极的一顶部具有一圆角。一电极间介电层包括一第一部位于栅极电极与遮蔽电极之间,且顺应性覆盖圆角。
  • 沟槽栅极半导体装置及其形成方法
  • [发明专利]使用软安全对策的安全集成电路-CN202110079948.0有效
  • 日弗·赫诗曼;丹·摩瑞 - 新唐科技股份有限公司
  • 2021-01-21 - 2023-08-08 - G06F21/55
  • 本发明提供了一种使用软安全对策的安全集成电路,包括功能电路以及保护电路。上述保护电路配置为保持一计数器值,上述计数器值为在集成电路的整个一工作周期内,尝试对功能电路进行恶意攻击的累计量,以检测功能电路上发生恶意攻击的事件,根据检测到的事件与集成电路中最近一次的电力开启之间的时间差,以回应于检测到的一事件来决定计数器值的一更新,并根据上述决定更新来更新计数器值,以及回应于计数器值超过一阀值,禁用集成电路的至少一部分。
  • 使用安全对策集成电路
  • [发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201910752029.8有效
  • 黄尧峰;温文莹 - 新唐科技股份有限公司
  • 2019-08-15 - 2023-08-08 - H01L29/40
  • 本发明提供了一种半导体装置及其制造方法,该方法包含在衬底上方形成迭层,其中迭层包含通道层和阻障层,且阻障层位于通道层上方;在迭层上方形成源极电极和漏极电极;在迭层上方形成介电层,且介电层覆盖源极电极和漏极电极;在介电层上形成光阻图案,其中光阻图案具有开口;经由光阻图案的开口刻蚀介电层,以形成通孔穿过介电层;在光阻图案上形成栅极电极材料,其中栅极材料的一部分经由光阻图案的开口和通孔形成栅极电极于迭层上,且栅极电极位于源极电极和漏极电极之间;移除光阻图案;以及在介电层上形成场板,其中场板的一部分位于通孔内且覆盖栅极电极。
  • 半导体装置及其制造方法
  • [发明专利]半导体装置及其形成方法-CN201811572406.1有效
  • 韦维克;陈柏安 - 新唐科技股份有限公司
  • 2018-12-21 - 2023-08-08 - H01L29/06
  • 本发明提供一种半导体装置及其形成方法,该方法包括提供一半导体基板。半导体基板包括低电位预定区、高电位预定区及高电位接面终端预定区,且上述高电位接面终端预定区位于上述低电位预定区与上述高电位预定区之间。上述方法亦包括形成隔离区于上述高电位接面终端预定区与上述高电位预定区中。上述隔离区具有第一导电型态,且上述隔离区具有第一侧以及相对于上述第一侧的第二侧。上述方法亦包括形成多个彼此分离的第一注入区于上述隔离区第一侧的高电位接面终端预定区中。这些第一注入区具有相反于上述第一导电型态的第二导电型态。上述方法亦包括对这些第一注入区进行热处理工艺以于上述隔离区第一侧的高电位接面终端预定区中形成至少一第一阱。
  • 半导体装置及其形成方法
  • [发明专利]信号处理系统及其方法-CN201910393456.1有效
  • 石正枫 - 新唐科技股份有限公司
  • 2019-05-13 - 2023-08-08 - H03M1/10
  • 本发明提供一种信号处理系统及其方法,该信号处理系统包含一可调滤波器、一信号差异计算单元、一判断单元以及一选择单元。可调滤波器用以接收模拟数字转换器输出的一数字信号,并对数字信号进行滤波以产生一经滤波信号。信号差异计算单元用以计算并输出数字信号以及经滤波信号之间的一信号差异值。判断单元用以比较信号差异值以及一预设门槛值以产生一比较结果,并根据比较结果产生一选择信号以及一频宽调整信号。选择单元用以接收数字信号以及经滤波信号,并根据选择信号输出数字信号以及经滤波信号的其中一个。可调滤波器的频宽根据频宽调整信号进行调整。
  • 信号处理系统及其方法
  • [发明专利]控制电路及其包含的半导体结构-CN201910467133.2有效
  • 温文莹 - 新唐科技股份有限公司
  • 2019-05-31 - 2023-08-08 - H03K17/689
  • 本发明提供一种控制电路及其包含的半导体结构,该控制电路用以提供一输出电压予一负载,并包括一空乏型MOSFET、一增强型MOSFET以及一电流电压转换器。空乏型MOSFET的漏极接收一输入电压,其栅极接收一第一控制电压。增强型MOSFET的漏极接收输入电压,其源极耦接负载。电流电压转换器根据流经空乏型MOSFET的电流,产生一第二控制电压予增强型MOSFET的栅极。增强型MOSFET根据第二控制电压产生输出电压予负载,且增强型MOSFET与空乏型MOSFET整合在同一基底上。
  • 控制电路及其包含半导体结构
  • [发明专利]半导体装置及其形成方法-CN201910788574.2有效
  • 席德·内亚兹·依曼;陈柏安 - 新唐科技股份有限公司
  • 2019-08-26 - 2023-08-08 - H01L29/06
  • 一种半导体装置及其形成方法,该形成方法包括提供半导体基板、于半导体基板中形成第一N型注入区与第二N型注入区。第一N型注入区与第二N型注入区被半导体基板的一部分隔开。上述方法亦包括于半导体基板中形成第一P型注入区、对半导体基板进行热处理工艺以于半导体基板中形成P型阱与N型阱。N型阱具有第一部分、第二部分以及第三部分,第三部分位于第一部分与第二部分之间,第三部分的掺杂浓度低于第一部分的掺杂浓度与第二部分的掺杂浓度。
  • 半导体装置及其形成方法
  • [发明专利]感测结构-CN202210667438.X在审
  • 骆玠錞;何羽轩 - 新唐科技股份有限公司
  • 2022-06-14 - 2023-08-01 - G01N27/12
  • 本申请公开一种感测结构;其中,感测结构包括:基板、湿度感测层、第一电极、第二电极及气体感测层。湿度感测层设置在基板上。第一电极设置在湿度感测层上。第二电极设置在湿度感测层上。第一电极与第二电极彼此分离。气体感测层设置在第一电极及第二电极上。气体感测层电连接第一电极及第二电极。本申请的感测结构能够减少感测过程中的水气杂讯。
  • 结构
  • [发明专利]模拟弦波信号生成设备与方法-CN202210298982.1在审
  • 郭盟煌 - 新唐科技股份有限公司
  • 2022-03-25 - 2023-08-01 - G06F1/03
  • 本发明提供一种可以减少所需的缓存器数量的模拟弦波信号生成设备与方法,其主要利用模拟弦波信号的对称性质与奇函数性质让本来应该要储存的N个数字采样值减少成只要储存N/4+1个数字采样值。配合上述要达到的目的,模拟弦波信号生成设备与方法使用了两个计数器来计数,其中一者为往上计数,另一者则为往下计数,然后,根据此两个计数器的计数值向数值暂存表获取N/4+1个数字采样值的一者或两者来生成输入到数字模拟转换器的数字输出值,以让数字模拟转换器借此生成模拟弦波信号的一部分。
  • 模拟信号生成设备方法
  • [发明专利]高压防护电路与其电路系统-CN202210389253.7在审
  • 陈奕豪;吴祖仪 - 新唐科技股份有限公司
  • 2022-04-14 - 2023-07-28 - H01L27/02
  • 本申请提供一种高压防护电路,包括由半导体结构形成的非寄生的耐压晶体管与触发电压降压电路。触发电压降压电路的一端电连接半导体结构的P型掺杂区与第一N型掺杂区,触发电压降压电路的另一端电连接半导体结构的多晶矽电极,用于使耐压晶体管的逆向导通电压值降压至特定电压值。当耐压晶体管的漏极上的高压信号的电压值大于特定电压值时,耐压晶体管会逆向导通而提供放电路径给高压信号流向耐压晶体管的源极。
  • 高压防护电路与其系统

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