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- [发明专利]半导体装置-CN202110147277.7在审
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新井雅俊
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株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
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2021-02-03
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2022-03-29
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H01L29/06
- 实施方式提供能够降低发生破坏的可能性的半导体装置。实施方式的半导体装置，具备第一金属部件、半导体元件和第二金属部件。第一金属部件与第一端子电连接。半导体元件包括第一电极、第一导电型的第一半导体区域、第二导电型的第二半导体区域、第一导电型的第三半导体区域、栅极电极以及第二电极。第二金属部件设置于第二电极之上，与第二电极电连接，并与第二端子电连接。半导体元件包括：第一部分，在第一方向上与第二金属部件重叠；及第二部分，在第一方向上与第二金属部件不重叠。在第二部分中相邻的栅极电极彼此之间的第一半导体区域在第二方向上的长度，比在第一部分中相邻的栅极电极彼此之间的第一半导体区域在第二方向上的长度长。
- 半导体装置
- [发明专利]半导体装置-CN202010817677.X在审
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新井雅俊
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株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
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2020-08-14
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2021-10-12
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H01L29/78
- 提供可靠性高的半导体装置，具备：第一导电型的第一及第二半导体层，第二半导体层具有第一及第二区域；第二导电型的第一及第三半导体区域；第一导电型的第二及第四半导体区域；第二电极，在第一沟槽内隔着第一绝缘膜与第一半导体区域对置，与设置于第一半导体层之上的第一电极电连接；第四电极，在第一沟槽内的第二电极之下隔着第二绝缘膜而与第一区域对置设置，与设置于第二半导体区域之上且与其电连接的第三电极电连接；第五电极，在第二沟槽内隔着第三绝缘膜与第三半导体区域对置地设置，与第一电极电连接；及第六电极，在第二沟槽内的第五电极之下隔着第四绝缘膜而与第二区域对置设置，与第一电极电连接。
- 半导体装置
- [发明专利]半导体装置-CN201610025310.8有效
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加藤浩朗;新井雅俊;吉冈千香子
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株式会社东芝
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2016-01-15
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2020-05-05
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H01L29/78
- 一种半导体装置，具有第1导电型的第1半导体区域、第2导电型的多个第2半导体区域、第1导电型的第3半导体区域、绝缘部、第1电极、栅极电极以及第2电极。第2半导体区域具有第1部分。第3半导体区域与第1部分在第2方向上排列。绝缘部的一侧与第1部分相接。绝缘部的另一侧与第3半导体区域相接。第1电极以及栅极电极被绝缘部包围。第1电极的至少一部分被第1半导体区域包围。栅极电极与第1电极隔开间隔设置。栅极电极在第2方向上与第2半导体区域相面对。第2电极设置在第3半导体区域之上。第2电极与第1电极以及第3半导体区域电连接。
- 半导体装置
- [发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201410657709.9在审
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鉾本吉孝;西脇达也;新井雅俊
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株式会社东芝
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2014-11-10
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2015-12-30
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H01L27/06
- 本发明涉及半导体装置及其制造方法。实施方式的半导体装置包括：第1半导体层，具有第1区域和第2区域；第2半导体层，被设置于第1半导体层上侧；第3半导体层，被选择性地设置于第2半导体层上侧；控制电极，在第2半导体层以及第3半导体层中隔着绝缘膜而被设置；第1导电体，以隔着绝缘膜与控制电极以及第1半导体层相接的方式设置于第1半导体层内，相比控制电极而更位于第1半导体层侧；第2导电体，在第2区域中，在从第3半导体层朝向第1半导体层的方向上延伸，在第1半导体层内隔着绝缘膜而被设置；第1电极，与第1半导体层、第2半导体层以及第3半导体层电连接；以及第2电极，与第1半导体层电连接。
- 半导体装置及其制造方法
- [发明专利]半导体器件-CN201310188512.0无效
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新井雅俊;田渊崇
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株式会社东芝
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2013-05-21
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2014-06-18
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H01L29/872
- 本发明实施方式的半导体器件具备第1导电型半导体基板（1）、第一第1导电型半导体层（2）、第二第1导电型半导体层（3）、相互相邻的第2导电型底部层（5）、肖特基金属（6）以及阴极电极（7）。第二第1导电型半导体层设置于第一第1导电型半导体层上，具有比第一第1导电型半导体层高的第1导电型杂质浓度。相互相邻的第2导电型底部层设置于从第2半导体层的上表面朝向外延层延伸的多个沟槽的底部。肖特基金属设置于第二第1导电型半导体层上以及多个沟槽内。肖特基金属在与第二第1导电型半导体层的结部形成肖特基势垒。阴极电极设置于半导体基板上且与半导体基板欧姆连接。
- 半导体器件
- [发明专利]整流电路-CN201310071378.6有效
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西胁达也;吉冈启;齐藤泰伸;新井雅俊
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株式会社东芝
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2013-03-06
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2014-01-15
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H02M7/12
- 一种不使用碳化硅等高价半导体材料也能实现反向恢复时间短、高耐压且高可靠性的整流电路。整流电路具备在第1端子及第2端子间串联连接的整流元件及单极场效应晶体管。整流元件具有第1电极及第2电极。在进行直流动作时，当反向偏置时流过整流元件的第1漏电流大于当在场效应晶体管的栅电极及源电极间施加了阈值以下的电压时流过源电极及漏电极的第2漏电流，并且第2漏电流与漏电极及源电极间的电压之间的关系处在场效应晶体管的安全工作区内，在进行交流动作时，当整流元件切换为反向偏置时，在反向偏置的期间内向整流元件的结电容的充电完成，并且充电过程中从整流元件流过场效应晶体管的电流处在场效应晶体管的安全工作区内。
- 整流电路
- [发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201210315961.2无效
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西胁达也;大田刚志;安原纪夫;新井雅俊;河野孝弘
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株式会社东芝
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2012-08-30
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2013-09-25
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H01L29/78
- 本发明提供一种可微细化的半导体装置及其制造方法。本发明的半导体装置具备：第1导电型的第1半导体层；第2导电型的基极层，被设置在所述第1半导体层上；第1导电型的第2半导体层，被设置在所述基极层上；多个栅电极，栅电极的上端比所述基极层的上表面位于上方，栅电极的下端比所述基极层的下表面位于下方，隔着栅极绝缘膜与所述第1半导体、所述第2半导体层及所述基极层接触；绝缘部件，被配置在所述栅电极上，所述绝缘部件的上表面比所述第2半导体层的上表面位于下方；以及导电膜，在所述栅电极之间，与所述栅电极相隔规定的距离，将所述第2半导体层的从上端至下端、以及所述第2半导体层及所述绝缘部件的上端覆盖。
- 半导体装置及其制造方法
- [发明专利]半导体器件-CN201210071400.2无效
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大田刚志;三须伸一郎;新井雅俊
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株式会社东芝
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2012-03-16
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2013-04-03
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H01L29/41
- 实施方式涉及的半导体器件具备：衬底；第1导通部；第2导通部；半导体部；第1电极部；第2电极部；第1绝缘部；及第2绝缘部。第1导通部在Z轴方向上延伸。第2导通部在Z轴方向上延伸，沿着X轴方向与第1导通部分离。半导体部设置在第1导通部和第2导通部之间。第1电极部在第1导通部和第2导通部之间于Z轴方向上延伸。第2电极部在第1电极部和第2导通部之间于Z轴方向延伸，与第1电极部分离。第1绝缘部设置在第1电极部和半导体部之间，在第1电极部的边界面的法线方向上具有第1厚度。第2绝缘部设置在第2电极部和半导体部之间，在第2电极部的边界面的法线方向上具有比第1厚度还厚的第2厚度。
- 半导体器件
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