专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体装置-CN201610025310.8有效
  • 加藤浩朗;新井雅俊;吉冈千香子 - 株式会社东芝
  • 2016-01-15 - 2020-05-05 - H01L29/78
  • 一种半导体装置,具有第1导电型的第1半导体区域、第2导电型的多个第2半导体区域、第1导电型的第3半导体区域、绝缘部、第1电极、栅极电极以及第2电极。第2半导体区域具有第1部分。第3半导体区域与第1部分在第2方向上排列。绝缘部的一侧与第1部分相接。绝缘部的另一侧与第3半导体区域相接。第1电极以及栅极电极被绝缘部包围。第1电极的至少一部分被第1半导体区域包围。栅极电极与第1电极隔开间隔设置。栅极电极在第2方向上与第2半导体区域相面对。第2电极设置在第3半导体区域之上。第2电极与第1电极以及第3半导体区域电连接。
  • 半导体装置
  • [发明专利]半导体装置-CN201610068979.5有效
  • 加藤浩朗;西胁达也;新井雅俊;胜田浩明;吉冈千香子;鉾本吉孝 - 株式会社东芝
  • 2016-02-01 - 2019-11-01 - H01L29/40
  • 根据一个实施方式,半导体装置具有第1导电型的第1半导体区域、第2导电型的第2半导体区域、第1导电型的第3半导体区域、导电层、栅极电极、以及第1电极。导电层具有第1部分、第2部分以及第3部分。第1部分设在第1区域之上。第1部分隔着第1绝缘部被第1半导体区域包围。第2部分在第2方向上延伸。第2部分设在第1半导体区域之上。第2部分位于第2区域之上。第3部分连接在第1部分与第2部分之间。第3部分在第3方向上延伸。第1电极与第3半导体区域以及导电层电连接。在第1电极与第3部分之间,连接有第2部分。
  • 半导体装置

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