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[发明专利]分立金属-绝缘体-金属(MIM)能量存储部件和制造方法-CN201980066444.6有效
发明人：文森特·德马里斯;里卡德·安德森;穆罕默德·阿明·萨利姆;玛丽亚·比隆德;安德斯·约翰逊;弗雷德里克·利尔耶贝格;奥拉·特维曼;M·沙菲克·卡比尔 -专利权人： 斯莫特克有限公司
申请日： 2019-10-07 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01G4/008 文献下载
摘要：一种分立金属‑绝缘体‑金属(MIM)能量存储部件，该能量存储部件包括：MIM布置；用于电容器部件的外部电连接的第一连接结构；用于电容器部件的外部电连接的第二连接结构；以及至少部分地嵌入MIM布置的电绝缘封装材料。该MIM布置包括：第一电极层；从第一电极层生长的多个传导纳米结构；传导控制材料，其覆盖多个传导纳米结构中的每个纳米结构以及未被传导纳米结构覆盖的第一电极层；以及覆盖传导控制材料的第二电极层。
分立金属绝缘体 mim 能量存储部件制造方法

[发明专利]具有集成部件和重新分布层堆叠的电子部件封装-CN202180053853.X在审
发明人：卡尔·伦达尔 -专利权人： 斯莫特克有限公司
申请日： 2021-09-07 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：一种电子部件封装，包括：封装部分，该封装部分包括在该封装部分的第一表面上的多个接触焊盘；无源部件，该无源部件具有第一表面以及与该第一表面间隔开的第二表面，第一表面包括接合至封装部分的第一表面上的多个接触焊盘中的第一组接触焊盘的接触焊盘；多个连接结构，该多个连接结构用于电子部件封装的外部电连接；以及RDL堆叠，该RDL堆叠将封装部分的第一表面上的多个接触焊盘中的第二组接触焊盘与用于外部电连接的连接结构互连，该RDL堆叠包括：第一导体层；第二导体层；以及电介质层，该电介质层布置在第一导体层与第二导体层之间，并且包括用于将第一导体层与第二导体层导电连接的通孔。
具有集成部件重新分布堆叠电子封装

[发明专利]具有基于纳米结构的电容器的图像传感器-CN202180042858.2在审
发明人： M·沙菲克·卡比尔;文森特·德马里斯;安德斯·约翰逊;奥拉·特维曼;卡尔·伦达尔;里卡德·安德森;穆罕默德·阿明·萨利姆;玛丽亚·比隆德;维克多·马克纳斯 -专利权人： 斯莫特克有限公司
申请日： 2021-06-15 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种图像传感器包括：图像传感器层，其具有：多个图像传感器层接触垫；以及多个光敏元件，每个光敏元件耦接至相应的图像传感器层接触垫；以及电容器层，其具有：多个第一电容器接触结构，每个第一电容器接触结构由与图像传感器层的相应的图像传感器层接触垫接合的电容器层顶部接触垫构成；多个第二电容器接触结构；以及多个电容器，所述多个电容器嵌入在第一电介质材料中，每个电容器包括至少一个导电垂直纳米结构，所述至少一个导电垂直纳米结构导电性地连接至相应的第一电容器接触结构和相应的第二电容器接触结构中的一者，并且通过第二电介质材料的层与相应的第一电容器接触结构和相应的第二电容器接触结构中的另一者导电性地分隔开。
具有基于纳米结构电容器图像传感器

[发明专利]组装平台-CN201780027029.0有效
发明人： M·沙菲克·卡比尔;安德斯·约翰逊;文森特·德马里;穆罕默德·阿明萨利姆 -专利权人： 斯莫特克有限公司
申请日： 2017-05-03 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：一种用于作为转接板装置布置在集成电路与基板之间的组装平台，以通过该组装平台互连集成电路和基板，该组装平台包括：组装基板；延伸穿过组装基板的多个导电通孔；在组装基板的第一侧上的至少一个纳米结构连接凸块，纳米结构连接凸块导电连接到通孔并限定与集成电路和基板中的至少一个的连接的连接位置，其中，每个纳米结构连接凸块包括：在组装基板的第一侧上垂直生长的多个细长导电纳米结构，其中，多个细长纳米结构被嵌入在金属中，用于与集成电路和基板中的至少一个的连接，在组装基板的第二侧上的至少一个连接凸块，第二侧与第一侧相对，连接凸块导电连接到通孔并限定与集成电路和基板中的至少一个的连接的连接位置。
组装平台

[发明专利]具有分层堆叠的金属-绝缘体-金属(MIM)能量存储装置和制造方法-CN202180027427.9在审
发明人： M·沙菲克·卡比尔;文森特·德马里斯;安德斯·约翰逊;奥拉·特维曼;卡尔·伦达尔;里卡德·安德森;穆罕默德·阿明·萨利姆;玛丽亚·比隆德;维克多·马克纳斯 -专利权人： 斯莫特克有限公司
申请日： 2021-04-13 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01G4/005 文献下载
摘要：一种MIM能量存储装置，该MIM能量存储装置包括底部电极；多个导电垂直纳米结构；保形地涂覆多个导电垂直纳米结构中的每个纳米结构的底部传导控制层；以及传导控制层和电极层交替的分层堆叠，该分层堆叠保形地涂覆底部传导控制层，该分层堆叠至少包括在分层堆叠的底部处的第一奇数编号的电极层，直接在第一奇数编号的电极层上的第一奇数编号的传导控制层，以及直接在第一奇数编号的传导控制层上的第一偶数编号的电极层。分层堆叠中的每个偶数编号的电极层导电地连接至底部电极；以及分层堆叠中的每个奇数编号的电极层导电地连接至分层堆叠中的任何其他奇数编号的电极层。
具有分层堆叠金属绝缘体 mim 能量存储装置制造方法

[发明专利]具有包括耦接至部件焊盘的电容器的电力分配网络的电子系统-CN202180011074.3在审
发明人： M·沙菲克·卡比尔;文森特·德马里斯;安德斯·约翰逊;奥拉·特维曼;卡尔·伦达尔;里卡德·安德森;穆罕默德·阿明·萨利姆;玛丽亚·比隆德;维克多·马克纳斯 -专利权人： 斯莫特克有限公司
申请日： 2021-01-28 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：一种电子系统，包括：衬底，其具有包括衬底焊盘的衬底导体图案；半导体部件，其具有有源电路和部件焊盘，部件焊盘耦接至半导体部件的有源电路并连接至衬底的衬底焊盘；电源接口，其用于从电源接收电力；以及电力分配网络，其用于将电力从电源接口分配到半导体部件的有源电路。电力分配网络包括：第一电容器，其由半导体部件中包括的导电结构实现，第一电容器耦接至半导体部件的第一部件焊盘和第二部件焊盘；第二电容器，其布置在衬底与半导体部件之间，第二电容器耦接至部件封装的第一部件焊盘和第二部件焊盘；以及衬底导体图案的电网部分。
具有包括耦接至部件电容器电力分配网络电子系统

[发明专利]具有分立的能量存储部件的半导体组件-CN201980076284.3在审
发明人： M·沙菲克·卡比尔;文森特·德马里斯;里卡德·安德森;穆罕默德·阿明·萨利姆;玛丽亚·比隆德;安德斯·约翰逊;弗雷德里克·利尔耶贝格;奥拉·特维曼 -专利权人： 斯莫特克有限公司
申请日： 2019-11-20 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H01G4/008 文献下载
摘要：一种半导体组件，包括：包括处理电路系统和焊盘的第一半导体管芯，所述第一半导体管芯具有第一表面和与第一表面相对的第二表面；包括存储器电路系统和焊盘的第二半导体管芯，所述第二半导体管芯布置在所述第一半导体管芯的第一表面和第二表面之一上，并且所述第二半导体管芯的焊盘耦接至所述第一半导体管芯的焊盘；以及具有端子的至少第一电容器，所述第一电容器布置在所述第一半导体管芯的第一表面和第二表面之一上，并且所述电容器的端子耦接至所述第一半导体管芯的焊盘。
具有分立能量存储部件半导体组件

[发明专利]具有纳米结构能量存储装置的插入件-CN201780012755.5有效
发明人： M·沙菲克·卡比尔;安德斯·约翰逊;穆罕默德·阿明萨利姆;彼得·埃诺克松;文森特·德马里;里卡德·安德森 -专利权人： 斯莫特克有限公司
申请日： 2017-02-24 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：一种插入件装置，包括：插入件基底；多个导电通孔，其延伸穿过插入件基底；导体图案，其在插入件基底上；以及纳米结构能量存储装置。纳米结构能量存储装置包括：形成在插入件基底上的至少第一多个导电纳米结构；嵌入了第一多个导电纳米结构中的每个纳米结构的导电控制材料；连接至第一多个纳米结构中的每个纳米结构的第一电极；通过导电控制材料与第一多个纳米结构中的每个纳米结构分开的第二电极，其中，第一电极和第二电极被配置成允许纳米结构能量存储装置与集成电路电连接。
具有纳米结构能量存储装置插入

[发明专利]能量存储中介件装置及其制造方法-CN201880054550.8在审
发明人： M·沙菲克·卡比尔;安德斯·约翰逊;穆罕默德·阿明·萨利姆;里卡德·安德森;文森特·德马里斯 -专利权人： 斯莫特克有限公司
申请日： 2018-08-23 - 公布日： 2020-04-17 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：一种中介件装置，包括：在第一侧上的第一导体图案，其限定中介件装置的被第一电路元件覆盖的部分；以及在第二侧上的被连接至第二电路元件的第二导体图案。第二导体图案电耦接至第一导体图案。该中介件装置还包括多个纳米结构能量存储装置，其被布置在中介件装置的被第一电路元件覆盖的部分内。纳米结构能量存储装置中的每一个包括：至少第一多个导电纳米结构；嵌有纳米结构的导电控制材料；第一电极，其连接至第一多个纳米结构中的每个纳米结构；以及第二电极，由导电控制材料将第二电极与第一多个纳米结构中的每个纳米结构分隔开。
能量存储中介装置及其制造方法

[发明专利]使用纳米结构连接和粘接相邻层-CN201510025622.4有效
发明人：穆罕默德·沙菲奎尔·卡比尔;安杰·布鲁德 -专利权人： 斯莫特克有限公司
申请日： 2008-09-10 - 公布日： 2018-11-02 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：一种装置，包括两个导电表面或层、以及粘合到两个导电表面或层的纳米结构组件，从而在两个导电表面或层之间建立电或者热连接，以及一种制备同样组件的方法。
使用纳米结构连接相邻

[发明专利]纳米结构在基底上的可控生长以及基于此的电子发射器件-CN201510962705.6有效
发明人：穆罕默德·沙菲奎尔·卡比尔 -专利权人： 斯莫特克有限公司
申请日： 2006-04-25 - 公布日： 2018-09-25 - 主分类号： H01J1/304 文献下载
摘要：本发明提供了一种在金属基底上生长纳米结构的方法及其制造方法。根据本方法生长的纳米结构适合于制造如电子束直写机之类的电子器件或者场致发射显示器。
纳米结构基底可控生长以及基于电子发射器件

[发明专利]纳米结构制造过程中的导电助层的沉积和选择性移除-CN201510831456.7有效
发明人：乔纳斯·贝尔格;文森特·代马雷;默罕默德·沙菲奎尔·卡比尔;艾米·默罕默德;大卫·布鲁德 -专利权人： 斯莫特克有限公司
申请日： 2009-02-20 - 公布日： 2018-04-24 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种制造一个或多个纳米结构的方法，所述方法包括在基底的上表面沉积导电层；在所述导电层上沉积带图案的催化剂层；在所述催化剂层上生长一个或多个纳米结构；以及选择性地移除位于一个或多个纳米结构之间和周围的导电助层。本发明还公开了一种器件，包括基底，其中所述基底包括被一个或多个绝缘区域分开的一个或多个裸露金属岛；沉积在所述基底上的导电助层，所述导电助层至少覆盖一个或多个裸露金属岛或绝缘区域中的一部分；沉积在所述导电助层上的催化剂层；以及沉积在所述催化剂层上的一个或多个纳米结构。
纳米结构制造过程中的导电沉积选择性

[发明专利]基于纳米结构的互联线和散热器-CN201310220391.3在审
发明人：穆罕默德·沙菲奎尔·卡比尔 -专利权人： 斯莫特克有限公司
申请日： 2006-08-28 - 公布日： 2013-10-16 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本发明提供了在导电或绝缘基底上生长的纳米结构，及其生长方法。根据权利要求的方法生长的纳米结构适用于电子器件的互连线和/或散热器。
基于纳米结构互联线散热器

[发明专利]纳米结构体器件和用于制造纳米结构体的方法-CN201080069525.0有效
发明人：穆罕默德·沙菲奎尔·卡比尔 -专利权人： 斯莫特克有限公司
申请日： 2010-10-18 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： D01F9/127 文献下载
摘要：一种用于在基板(102)上制造多个纳米结构体(101)的方法。所述方法包括以下步骤：在基板(102)的上表面上沉积底层(103)，所述底层(103)包含具有第一平均粒度的晶粒；在所述底层(103)的上表面上沉积催化剂层(104)，所述催化剂层(104)包含具有与所述第一平均粒度不同的第二平均粒度的晶粒，从而形成包含底层(103)和催化剂层(104)的层的堆叠体；将所述层的堆叠体加热至纳米结构体(101)可以形成的温度；和提供包含反应物的气体，以使得所述反应物与所述催化剂层(104)接触。
纳米结构器件用于制造方法

[发明专利]纳米结构在基底上的可控生长以及基于此的电子发射器件-CN201210080490.1有效
发明人：穆罕默德·沙菲奎尔·卡比尔 -专利权人： 斯莫特克有限公司
申请日： 2006-04-25 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： H01J1/304 文献下载
摘要：本发明提供了一种在金属基底上生长纳米结构的方法及其制造方法。根据本方法生长的纳米结构适合于制造如电子束直写机之类的电子器件或者场致发射显示器。
纳米结构基底可控生长以及基于电子发射器件

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