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[发明专利]非易失性存储元件及其制造方法-CN202180073300.0在审
发明人：宫田典幸;浅沼周太郎;住田杏子;宫口有典;斋藤一也;神保武人;堀田和正;増田健 -专利权人：国立研究开发法人产业技术综合研究所;株式会社爱发科
申请日： 2021-10-15 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H10B69/00 文献下载
摘要：本发明的课题在于提供一种具有优异的信息保存特性、高性能且能够在实际应用上实现量产的非易失性存储元件及其制造方法。非易失性存储元件(1)的特征在于：具有积层构造部，该积层构造部是将Al2O3层(4)与SiO2层(6)作为由不同组成形成的2个绝缘层交替地配置多个，且在所述绝缘层的各接合界面处配置由构成所述绝缘层的元素以外的金属元素M1与氧的化学键形成的0.5分子层～2.0分子层的O‑M1‑O层(5)，通过利用外部电刺激使在所述O‑M1‑O层(5)的附近诱发的界面偶极调制来存储信息。
非易失性存储元件及其制造方法

[发明专利]电热丝、电热丝的制造方法以及真空处理装置-CN202010211775.9有效
发明人：山田龙藏;青代信;浅利伸;斋藤一也;中村久三 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2020-03-24 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： C23C16/448 文献下载
摘要：本发明提供能够实现长寿命化的电热丝及其制造方法以及使用了电热丝的真空处理装置。本发明的一个方式所涉及的电热丝具有芯材和覆盖层。所述芯材在表面形成有钽的碳化物。所述覆盖层在表面形成有钽的硼化物和硼中的至少一者，覆盖所述芯材的表面。
电热丝制造方法以及真空处理装置

[发明专利]真空蒸镀装置用的蒸镀源-CN202110967499.3在审
发明人：北泽僚也;斋藤一也 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2021-08-23 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本发明提供一种可尽量抑制蒸镀中被处理基板和掩模板的温度上升的真空蒸镀装置用的蒸镀源。配置在真空室内用于对被处理基板进行蒸镀的真空蒸镀装置用的蒸镀源(DS)，其具有填充蒸镀材料(Vm)的容器(41)和加热该容器内的蒸镀材料的加热装置(43)，容器具有排放部(44)，其可排放通过加热而在该容器内气化或升华了的蒸镀材料，在由于伴随由加热装置进行的蒸镀材料的加热而被加热，所以对被处理基板辐射热线的容器部分(41a，44a，44b)上，设置比该容器的母材辐射率低的低辐射率层(Le)。
真空装置蒸镀源

[发明专利]成膜装置及成膜方法-CN201711278236.1有效
发明人：山田龙藏;太田淳;浅利伸;斋藤一也 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2017-12-06 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： C23C16/503 文献下载
摘要：本发明提供一种成膜装置及成膜方法。将成膜对象物设置为具有立体形状并且在成膜对象物的外表面凹陷地设置有沿着一个方向延伸的凹孔，在成膜对象物的至少凹孔的内表面形成高分子膜，所述成膜装置具有：向配置有成膜对象物的真空室内导入原料单体的原料单体导入单元；以及具有电极和交流电源且通过向电极施加交流电力而在真空室内使等离子体产生的等离子体产生单元；使由等离子体使原料单体分解并聚合而生成的离子以及自由基附着并堆积来形成高分子膜；所述电极由有底的筒状体构成，凹孔的孔轴设置为与有底筒状体的底壁正交的姿势，在使成膜对象物被底壁支撑而容纳在筒状体内的状态下使等离子体产生时，在等离子体与凹孔的内表面之间形成离子鞘层。
装置方法

[发明专利]收卷式成膜装置和收卷式成膜方法-CN201980005724.6有效
发明人：坂本纯一;斋藤一也;清田淳也;武井应树;横山礼宽 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2019-05-16 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：本发明提供一种收卷式成膜装置，其具有真空容器、膜行进机构、锂源以及第一辊。上述真空容器能够维持减压状态。上述膜行进机构能够在上述真空容器内使膜行进。上述锂源能够在上述真空容器内使锂蒸发。上述第一辊被配置在上述膜的成膜面和上述锂源之间。上述第一辊具有接收从上述锂源蒸发的上述锂的转印图案。上述第一辊一边旋转一边将与上述转印图案对应的锂层的图案转印到上述成膜面。
收卷式成膜装置方法

[发明专利]真空蒸镀装置-CN201780039108.3有效
发明人：北泽僚也;中村寿充;朝比奈伸一;斋藤一也 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2017-07-19 - 公布日： 2021-01-08 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本发明提供一种可尽量减少粒子的影响的所谓向下沉积方式的真空蒸镀装置。其具有配置在真空室(1)内的蒸镀源(3)，蒸镀源具有容置蒸镀物质(Vm)的容置箱(31)和加热蒸镀物质使其升华或气化的加热装置(33)；容置箱中设置有升华或气化了的蒸镀物质的喷出部(32)，喷出部相对于真空室内的被成膜物(S)位于垂直方向上方，喷出部具有相对于垂直方向斜向下的喷出口(32b)，从该喷出口向被成膜物喷出蒸镀物质，容置箱偏移设置在远离被成膜物的端部的位置上。
真空装置

[发明专利]成膜方法和成膜装置-CN201680031933.4有效
发明人：加藤裕子;矢岛贵浩;远山佳宏;青代信;清健介;高桥明久;斋藤一也 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2016-06-07 - 公布日： 2020-12-18 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本发明提供一种能够稳定地形成具有所期望的膜质和图案形状的树脂层的成膜方法和成膜装置。本发明一方式所涉及的成膜方法在维持在减压气氛的腔室内，将基板(W)冷却到第1温度以下，从气体供给部(13)向基板(W)的表面供给原料气体(G)，其中所述原料气体(G)含有能量线硬化性树脂，且在上述第1温度以下能够液化，将掩膜部件(16)与基板(W)的表面相向配置，其中所述掩膜部件(16)被维持在比上述第1温度高的第2温度，且具有规定的开口图案，向基板(W)的表面照射能量线。
方法装置

[发明专利]薄膜形成装置-CN201680015597.4有效
发明人：上野充;仓田敬臣;新井真;清田淳也;斋藤一也 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2016-01-29 - 公布日： 2019-09-03 - 主分类号： C23C14/56 文献下载
摘要：提供一种低成本且量产性较高的薄膜形成装置。在成膜室（11）的内部配置由转台构成的旋转装置（21），在对准场所（16）上进行了成膜对象物（5a、5b）的对准之后，在设于旋转装置（21）的基板支架（34a、34b）上配置进行了与掩模（4a、4b）之间的对准的成膜对象物（5a、5b），使旋转装置（21）旋转而移动到成膜场所（15）上。接着，使成膜源（22）一边释放成膜材料的微小粒子一边移动，在成膜场所（15）上的成膜对象物（5a、5b）上形成薄膜。此时，能够在对准场所（16）上配置未成膜的成膜对象物（5a、5b）并进行对位。因此，在本薄膜形成装置（10）中，有一个成膜源（22）和一个对准所需的装置即可。
薄膜形成装置

[发明专利]卷取式成膜装置及卷取式成膜方法-CN201780004713.7在审
发明人：坂本纯一;斋藤一也;清田淳也;武井应树;横山礼宽 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2017-11-22 - 公布日： 2018-09-14 - 主分类号： B05C1/08 文献下载
摘要：本发明能够抑制采用卷取式在膜上形成锂层时对膜的热损伤。卷取式成膜装置具有真空容器、膜行进机构、锂源以及第一辊。上述真空容器能够维持减压状态。上述膜行进机构能够在上述真空容器内使膜行进。上述锂源能够在上述真空容器内对锂进行熔融。上述第一辊配置在上述膜的成膜面与上述锂源之间。上述第一辊具有从上述锂源接收熔融的上述锂的转印图案。上述第一辊一边旋转一边将与上述转印图案对应的锂层的图案转印到上述成膜面。
真空容器卷取锂源成膜装置行进机构转印图案成膜面熔融锂层减压状态图案转印热损伤成膜行进配置

[发明专利]钝化膜形成用成膜装置和成膜方法、以及太阳能电池元件的制造方法-CN200980152288.1有效
发明人：久保昌司;菊地诚;斋藤一也;渡井美和;清水美穗 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2009-12-28 - 公布日： 2011-11-30 - 主分类号： H01L31/04 文献下载
摘要：本发明的课题在于，提供一种形成钝化膜的成膜方法和成膜装置、以及使用它的太阳能电池元件的制造方法，所述钝化膜能够充分抑制载流子的再结合所造成的损失。具备：载置部(22)，载置成膜对象；高频电源(25)；以及喷板(23)，设置成与载置在载置部(22)的成膜对象(S)相对，导入成膜气体并且连接高频电源来施加高频率的电压，其中，在喷板或者基板载置部上连接了施加低频率的电压的低频电源(26)。使用该成膜装置来实施成膜方法，在形成钝化膜时实施该成膜方法。
钝化形成用成膜装置方法以及太阳能电池元件制造

[发明专利]溅射装置、薄膜形成方法以及场效应晶体管的制造方法-CN200980140705.0有效
发明人：仓田敬臣;清田淳也;新井真;赤松泰彦;石桥晓;斋藤一也 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2009-10-14 - 公布日： 2011-09-14 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供能够降低衬底层受到的损伤的溅射装置、薄膜形成方法以及场效应晶体管的制造方法。本发明一个实施方式的溅射装置用于使基板(10)的被处理面上形成薄膜，具有：真空槽(61)、支承机构(93)、溅射靶(80)、磁体(83)。磁体(83)用于产生等离子体，该等离子体对所述溅射面进行轰击而使该溅射面上形成有溅射粒子射出的溅射区域(80a)，并且，该磁体(83)使所述溅射区域(80a)在与所述被处理面相正对着的第1位置以及不与所述被处理面相正对着的第2位置间移动。
溅射装置薄膜形成方法以及场效应晶体管制造

[发明专利]溅射装置、薄膜形成方法以及场效应晶体管的制造方法-CN200980140711.6无效
发明人：仓田敬臣;清田淳也;新井真;赤松泰彦;石桥晓;斋藤一也 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2009-10-09 - 公布日： 2011-09-14 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供能够降低衬底层受到的损伤的溅射装置、薄膜形成方法以及场效应晶体管的制造方法。溅射装置(100)具有传送机构、第1溅射靶(Tc1)、第2溅射靶(Tc2～Tc5)、溅射机构。传送机构配置在真空槽的内部，将支承基板的支承机构沿着平行于所述被处理面的传送面直线运动地进行传送。第1溅射靶(Tc1)对着传送面且与之相隔第1间隔。第2溅射靶配置在第1溅射靶的基板的传送方向的下游侧，对着传送面且与之相隔比第1间隔小的第2间隔。溅射机构使所述第1溅射靶(Tc1)与第2溅射靶(Tc2～Tc5)产生溅射。采用这样的溅射装置(110)，对衬底层的损伤小，能够制造出成膜特性良好的薄膜。
溅射装置薄膜形成方法以及场效应晶体管制造

[发明专利]溅射装置、薄膜形成方法和场效应晶体管的制造方法-CN200980140704.6无效
发明人：仓田敬臣;清田淳也;新井真;赤松泰彦;石桥晓;斋藤一也 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2009-10-09 - 公布日： 2011-09-14 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供一种可减少衬底层损伤的溅射装置、薄膜形成方法和场效应晶体管的制造方法。在本发明所述的溅射装置中，沿着排列在真空室内部的多个靶部Tc1～Tc5的排列方向依次使其产生溅射，以使在基板10的表面形成薄膜。因此本发明可以提高溅射粒子斜向射入基板表面的比例，这可有助于减少衬底层的损伤。
溅射装置薄膜形成方法场效应晶体管制造

[发明专利]真空处理装置-CN200980139868.7有效
发明人：仓田敬臣;清田淳也;新井真;赤松泰彦;石桥晓;浅利伸;斋藤一也;佐藤重光;菊池正志 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2009-10-07 - 公布日： 2011-09-07 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本发明的目的在于，提供一种真空处理装置，该真空处理装置能够用适合于各工序中的所进行的处理的方式对基板进行支承与运送，能够抑制对处理室(腔)内设置的各种机构产生的不利影响。在CVD室(52)中，有时需要使用特殊的清洗气体而进行清洗，这在CVD室(52)构成为立式的装置的情况下，设置在溅射室(62)中的立式处理装置所特有的支承机构与传送机构会受到特殊气体的腐蚀。而在本发明中，CVD室(52)由卧式的装置构成，因而不会产生这样的问题。另外，通过将溅射装置构成为立式的处理装置，从而能够解决异常放电的问题。
真空处理装置

[发明专利]真空排气装置、真空处理装置以及真空处理方法-CN200980138585.0有效
发明人：小室拓;增田行男;降矢新治;斋藤一也;大园修司;浅利伸 -专利权人：爱发科低温泵株式会社;株式会社爱发科
申请日： 2009-11-12 - 公布日： 2011-08-31 - 主分类号： F04B37/16 文献下载
摘要：本发明的目的在于，提供一种能够抑制臭氧在低温泵中的存留的真空排气装置、真空处理装置以及真空排气方法。为达到上述目的，本发明的一个实施方式的真空排气装置(1)包括：真空处理用的处理室(11)泵单元，该泵单元具有冷捕集器(161)与排气通路(13A)，所述冷捕集器(161)能够捕集排出气体，所述排气通路(13A)用于将所述排出气体从所述处理室(11)导向所述冷捕集器(161)；加热单元(20)，其使从所述处理室(11)流向所述冷捕集器(161)的所述排出气体中含有的臭氧在所述排气通路(13A)中产生热分解。
真空排气装置处理装置以及方法

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