“彭强祥”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果72个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种AB位共掺杂钙钛矿纳米纤维催化剂及其制备方法与应用-CN202310339335.5在审
发明人： 彭强祥;王书宸;王春栋 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2023-04-03 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C25B11/04 文献下载
摘要：本发明属于电化学储能新能源技术领域，本发明提供了一种AB位共掺杂钙钛矿纳米纤维催化剂及其制备方法与应用。该制备方法包括以下步骤：S1、将六水合硝酸镧、硝酸锶、九水硝酸铁、三氯化铱、N,N‑二甲基甲酰胺和聚乙烯吡咯烷酮混合后得到聚合物溶液；S2、对聚合物溶液进行静电纺丝处理得到纳米纤维聚合物前驱体；S3、对纳米纤维聚合物前驱体进行煅烧处理即得AB位共掺杂钙钛矿纳米纤维催化剂。本发明采用A位锶掺杂和B位铱掺杂实现具有AB位共掺杂铁基钙钛矿的制备，来提高催化剂在OER中的析氧能力，并且还通过采用静电纺丝法和煅烧处理制备催化剂，不仅成本低，贵金属用量少，而且还对环境无污染，可进行大规模制备。
一种 ab 掺杂钙钛矿纳米纤维催化剂及其制备方法应用

[发明专利]一种氧化铪基铁电薄膜唤醒效应的分析方法及系统-CN202310116745.3在审
发明人：曾斌建;刘瑞萍;廖敏;彭强祥;杨琼;郑帅至 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2023-02-06 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G06F30/23 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化铪基铁电薄膜唤醒效应的分析方法及系统，涉及铁电薄膜模拟分析技术领域，首先确定能量方程及体自由能、极化梯度能、静电能和退极化场能的密度方程表达式，构建氧化铪基铁电薄膜相场模型；确定极化演化方程、氧空位演化方程、氧化铪基铁电薄膜空间电荷密度方程，通过麦克斯韦方程建立氧空位和极化演化间的关联；推导出极化演化方程、氧空位扩散方程和麦克斯韦方程的弱形式，编译到软件当中；对极化演化方程和氧空位扩散方程以及麦克斯韦方程进行求解，获得P‑V曲线、氧空位分布以及畴结构。本发明提供的氧化铪基铁电薄膜唤醒效应的分析方法及系统解决了现在难以简易分析氧化铪基铁电薄膜唤醒效应的问题。
一种氧化铪基铁电薄膜唤醒效应分析方法系统

[发明专利]一种改善叠层氧化铪基铁电薄膜性能的方法及其叠层铁电薄膜-CN202310195791.7在审
发明人：尹路;李欣雨;廖敏;赵影;郑帅至;彭强祥 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2023-03-03 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H10N97/00 文献下载
摘要：本发明属于铁电薄膜技术领域，本发明提供了一种改善叠层氧化铪基铁电薄膜性能的方法及其叠层铁电薄膜。该制备方法包括以下步骤：S1、将有机铪盐、掺杂金属盐、催化剂和有机溶剂混合后进行反应得到前驱体溶液M1：HfO2；将有机锆盐、掺杂金属盐、催化剂和有机溶剂混合后进行反应得到前驱体溶液M2：ZrO2；S2、将前驱体溶液M1：HfO2沉积在基底上作为第一铁电膜层，将前驱体溶液M2：ZrO2沉积在第一铁电膜层作为第二铁电膜层即完成一次堆叠，重复堆叠N次得到薄膜样品；S3、对薄膜样品进行热处理即得叠层氧化铪基铁电薄膜。本发明在叠层铁电薄膜中掺入活性元素，降低了单斜相的含量，改善了其铁电性和耐久性。
一种改善氧化铪基铁电薄膜性能方法及其叠层铁电

[发明专利]一种氧化铪基铁电薄膜电容的性能优化方法-CN202310104007.7在审
发明人：廖敏;罗梓綦;曾斌建;郑帅至;彭强祥 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2023-02-11 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01G7/06 文献下载
摘要：本发明属于铁电薄膜电容技术领域。本发明提供了一种氧化铪基铁电薄膜电容的性能优化方法，在衬底一面顺次沉积第一金属层、氧化铪基铁电薄膜、第二金属层，得到金属‑铁电‑金属结构的铁电电容；对金属‑铁电‑金属结构的铁电电容进行热处理后，顺次进行刻蚀第二金属层、在氧化铪基铁电薄膜上沉积能够对氧化铪基铁电薄膜施加面内压应力的第三电极层，得到金属‑铁电‑金属结构的氧化铪基铁电薄膜电容。本发明氧化铪基铁电薄膜电容的性能优化方法相较于传统的金属后退火(PMA)处理，通过沉积能够对氧化铪基铁电薄膜施加面内压应力的第三电极层可进一步提高氧化铪基铁电薄膜电容的极化强度，进一步优化氧化铪基薄膜的铁电性能。
一种氧化铪基铁电薄膜电容性能优化方法

[发明专利]一种用于铁电器件中铁电薄膜可靠性评估的实验方法-CN201811281848.0有效
发明人： 彭强祥;兰杨波;杨琼;廖敏;周益春 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2018-10-31 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种用于集成铁电器件中铁电薄膜可靠性评估的高效低成本实验方法。本发明首先获得铁电薄膜的初始性能参数，然后按工艺操作时间顺序，统计集成器件制作工艺路线中各工艺的温度和时间参数，提炼出对铁电薄膜性能影响较大的高风险工艺参数；其次，按以上高风险工艺步骤的顺序、温度值和温度时间，逐步复制温度，获得各单步的薄膜电学性能，并与前一步骤进行量化对比。本发明在两个基本条件下的基础上提出：(1)成熟稳定的铁电薄膜生长工艺，(2)初步确立的集成工艺路线。本发明对集成器件制作过程由工艺温度造成的铁电薄膜性能下降的问题进行前期评估，提出可有效缩短实验时间，极大降低实验成本的一种方法。
一种用于器件中铁电薄膜可靠性评估实验方法

[发明专利]一种后栅极铁电栅场效应晶体管及其制备方法-CN201910234444.4有效
发明人：廖敏;曾斌建;周益春;廖佳佳;彭强祥;郇延伟 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2019-03-26 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种后栅极铁电栅场效应晶体管，包括由底层到顶层依次设置的衬底，隔离区，栅结构，侧墙，源漏区，第一金属硅化物层以及层间介质层；还提出了一种后栅极铁电栅场效应晶体管的制备方法，根据氧化铪基铁电栅场效应晶体管的结构特点和氧化铪基铁电薄膜的结晶特性，在器件的制备过程中首先引入虚拟栅极，然后经历高温退火使未退火的氧化铪基薄膜结晶形成铁电相，最后去掉虚拟栅极，沉积栅电极层以满足器件的性能需求，具有良好的应用前景。
一种栅极铁电栅场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]半导体存储器、铁电场效应晶体管和铁电薄膜电容器-CN202111634378.3有效
发明人：曾斌建;谢世昌;廖敏;彭强祥;杨琼;周益春 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种半导体存储器、铁电场效应晶体管和铁电薄膜电容器。其中，该铁电场效应晶体管包括：衬底、形成于所述衬底中的源极和漏极、位于所述衬底上且投影介于所述源极和漏极之间的绝缘层、以及在所述绝缘层上依次设置的第一铁电层、夹层、第二铁电层和栅极层，其中，所述夹层的导带底高于或等于所述第一和第二铁电层的导带底且两者之间的差值小于或等于0.3eV，所述夹层的价带顶低于或等于所述第一和第二铁电层的价带顶且两者之间的差值小于或等于0.3eV。本实施例，通过能带工程抑制电荷俘获，因此能够提高铁电层的抗疲劳特性，从而提高相应元件的性能。
半导体存储器电场效应晶体管薄膜电容器

[发明专利]一种正交相氧化铪基铁电薄膜及其制备方法和应用-CN202110960953.2有效
发明人： 彭强祥;王泽奇;曾斌建;廖敏;杨琼 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2021-08-20 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本发明属于铁电薄膜技术领域，本发明提供了一种正交相氧化铪基铁电薄膜及其制备方法，制备方法包括将氧化铪基薄膜顺次经过两次退火，得到正交相氧化铪基铁电薄膜；其中，第一次退火的温度为620～740℃，时间为20～70s；第二次退火的温度为300～450℃，时间为20～70s。本发明还提供了一种正交相氧化铪基铁电薄膜的应用。本发明的正交相氧化铪基铁电薄膜中的正交相更加稳定，施加电压时无需唤醒即有较好的剩余极化；本发明的正交相氧化铪基铁电薄膜具有更好的耐疲劳性能和更小的漏电流。
一种交相氧化铪基铁电薄膜及其制备方法应用

[发明专利]一种存储器件、存储器及制备存储器件的方法-CN201910643820.5有效
发明人：廖佳佳;罗远东;曾斌建;曾诗妍;彭强祥;廖敏;周益春 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2019-07-17 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种存储器件、存储器及制备存储器件的方法，其中，存储器件包括衬底、隔离层、缓冲层、铁电层、第一浮栅金属层、电荷捕获层、隧穿层和栅金属层；衬底两边形成有隔离层，用于隔离相邻的存储器件；两边的隔离层之间的衬底上设置有有源区；有源区一边形成源区，另一边形成漏区；源区和漏区通过金属连线与上层金属连线连接，经过多层金属互联形成器件的外围电路控制；缓冲层覆盖隔离层和有源区上不与金属连线连接的部分；铁电层、电荷捕获层、第一浮栅金属层、隧穿层和栅金属层依次设置在源区和漏区之间的缓冲层上。由铁电层和电荷捕获层共同实现存储功能，铁电层极化时产生的电场作用于电荷捕获层存储信息，增加器件的抗疲劳性能，提高存储密度。
一种存储器件存储器制备方法

[发明专利]一种高可靠、大束流离子发生装置-CN202210528304.X在审
发明人：刘仁杰;欧欣;彭强祥;林家杰;李烨 -专利权人：浙江中科尚弘离子装备工程有限公司
申请日： 2022-05-16 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H01J37/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种高可靠、大束流离子发生装置，其技术方案要点是：一种高可靠、大束流离子发生装置，包括腔壁、灯丝、阴极板、支架、反射板，所述灯丝、阴极板、反射板均设置于腔壁内，且所述灯丝、阴极板与反射板分设于腔壁两端位置，所述支架材质为绝缘材质，所述支架固定于所述腔壁，所述阴极板固定于所述支架，所述阴极板与腔壁之间留有空隙，所述支架设置有防止金属离子沉积后导致灯丝短路的防短路结构，所述防短路结构为若干开设于所述支架侧壁并供金属离子沉积的储纳槽。本发明通过储纳槽优先先溅射常设的金属离子，延迟支架表面形成导电金属薄膜，提高离子发生装置的工作时间。
一种可靠流离发生装置

[发明专利]一种多片大尺寸玻璃基板离子注入直线传送装置-CN202210485796.9在审
发明人：刘仁杰;欧欣;彭强祥;林家杰;李烨 -专利权人：浙江中科尚弘离子装备工程有限公司
申请日： 2022-05-06 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： B65G49/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种多片大尺寸玻璃基板离子注入直线传送装置，其技术方案要点是：一种多片大尺寸玻璃基板离子注入直线传送装置，其特征在于：包括若干依次呈嵌套设置的主动传送轴管、若干依次呈嵌套设置的从动传送轴管、若干分别固定于主动传送轴管的两端位置的主动轮、若干分别固定于从动传送轴管的从动轮、设置于对应主动轮与从动轮之间并用于装载大尺寸玻璃基板的传送链、驱动若干传送链同步移动的驱动机构，若干传送链呈平行设置。本发明达到可以在真空取样室内可连续对多个大尺寸玻璃基板注入离子，避免真空取样室反复抽真空，提升离子注入效率，降低能源损耗。
一种多片大尺寸玻璃离子注入直线传送装置

[发明专利]一种柔性铁电薄膜晶体管及其制备方法-CN201810237396.X有效
发明人：廖敏;贾林飞;刘晨;刘恒;彭强祥;周益春 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2018-03-21 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明公开了一种柔性铁电薄膜晶体管，包括衬底；在所述衬底上形成的缓冲层；在所述缓冲层上形成的底栅电极；在所述底栅电极上形成的铁电薄膜层；在所述铁电薄膜层上形成的金属层；在所述金属层上形成的高介电材料缓冲层；在所述高介电材料缓冲层上形成的沟道层；在所述高介电材料缓冲层上形成的源电极且同所述源电极分离形成的漏电极；所述源电极和所述漏电极分别覆盖于所述沟道层两端的端部。本发明实施例提供的柔性铁电薄膜晶体管存储密度高、微型化能力强、应用领域广泛。本发明还提供了一种柔性铁电薄膜晶体管的制备方法。
一种柔性薄膜晶体管及其制备方法

[发明专利]一种宽度可调的宽带束离子注入机-CN202210341801.9在审
发明人：欧欣;刘仁杰;彭强祥;林家杰 -专利权人：浙江中科尚弘离子装备工程有限公司
申请日： 2022-04-02 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：本发明提出一种宽度可调的宽带束离子注入机，包括离子束发生组件、离子束分析组件、离子束汇聚组件、离子束发散组件及离子束调节组件，离子束发生组件产生带状离子束，离子束分析组件与离子束发生组件配合，由离子束分析组件对离子束发生组件产生的离子束进行分析，离子束汇聚组件与离子束分析组件配合，由离子束汇聚组件对分析后的离子束进行分区汇聚，形成若干相互分离的离子束，离子束发散组件与离子束汇聚组件配合，由离子束发散组件对分区汇聚后的离子束进行发散，使相邻离子束相互交叠，离子束调节组件与离子束发散组件配合，由离子束调节组件将离子束发散组件发散后的离子束调节形成平行离子束，并对其宽度进行调节，以提升离子注入效率。
一种宽度可调宽带离子注入

[发明专利]一种带状离子束注入系统-CN202210650058.5在审
发明人： 彭强祥;林家杰;刘仁杰;欧欣 -专利权人：浙江中科尚弘离子装备工程有限公司
申请日： 2022-06-10 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：本发明提出一种带状离子束注入系统，包括离子束发生组件、离子束分离组件、离子束汇聚组件、离子束扩散组件及离子束调节组件，该带状离子束注入系统采用分离狭缝将带状离子束分离形成相互独立的离子束，并采用螺旋线圈对分离后的离子束进行分别汇聚，采用扩散透镜对汇聚后的离子束分别进行扩散，还采用法拉第杯对离子束的电流密度分布进行检测，采用控制器根据离子束的电流密度分布情况对离子束汇聚组件及离子束调节组件的运行状态进行调节，可以将宽带束的离子束分离成多个接近点状分布的区域，再在每个小区域内对离子束进行调制，最后将调制后的各部分离子束聚合形成高均匀性电流分布的宽带束离子束，有利于降低宽带束离子束的调制难度。
一种带状离子束注入系统

[发明专利]一种离子注入装置及调节方法-CN202210380033.8在审
发明人：刘仁杰;林家杰;欧欣;彭强祥 -专利权人：浙江中科尚弘离子装备工程有限公司
申请日： 2022-04-12 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：本发明提出一种离子注入装置及调节方法，该装置包括离子束发生组件、离子束分离组件、离子束汇聚组件、离子束扩散组件、汇聚调节组件、扩散调节组件及调节控制组件，离子束过滤组件与离子束发生组件配合，对离子束发生组件产生的离子束进行分离，离子束汇聚组件与离子束分离组件配合，对分离后的离子束进行分别汇聚，离子束扩散组件与离子束汇聚组件配合，对汇聚后的离子束进行扩散，汇聚调节组件与离子束汇聚组件配合，对离子束汇聚组件的运行状态进行调节，扩散调节组件与离子束扩散组件配合，对离子束扩散组件的运行状态进行调节，调节控制组件与汇聚调节组件及扩散调节组件配合，对汇聚调节组件及扩散调节组件的调节过程进行控制。
一种离子注入装置调节方法

1
2
3
4
5
下一页»
尾页
共 72 条