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[发明专利]降低涂布液喷射到晶圆产生的波纹的高度的方法和装置-CN202210372132.1在审
发明人：金成昱;梁贤石;林锺吉;金在植;张成根 -专利权人：成都高真科技有限公司
申请日： 2022-04-11 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件技术领域，公开了一种降低涂布液喷射到晶圆产生的波纹的高度的方法，包括如下步骤：步骤1、产生一个向上的空气阻力；步骤2、所述空气阻力在涂布液喷射到距离晶圆的表面上方A毫米的地方与涂布液接触，以减小所述涂布液到所述晶圆的速度，本发明还公开了一种降低涂布液喷射到晶圆产生的波纹的高度的装置，包括用于垂直喷射涂布液的涂布装置，所述涂布装置为涂布液供给机构以及涂布喷嘴，所述涂布喷嘴上方的外周向侧设置有用于产生空气压力的空气发生装置。本发明通过在喷射喷涂液的时候利用空气发生装置产生空气阻力，该空气阻力与喷涂液在晶圆表面的上方接触，进而来达到减少喷涂液撞击晶圆表面所产生波纹的目的。
降低涂布液喷射到晶圆产生波纹高度方法装置

[发明专利]光刻胶输送系统-CN202011091893.7有效
发明人：金在植;张成根;林锺吉;贺晓彬;丁明正;杨涛;李俊峰;王文武 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-10-13 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： B05C11/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种光刻胶输送系统，该光刻胶输送系统包括光刻胶供给瓶、缓冲罐和排液胶泵，其中，缓冲罐的顶部设置有进液口和排液口，进液口与光刻胶供给瓶通过进液管路连通，以使光刻胶流入；缓冲罐的底部设置有光刻胶出口，光刻胶出口用于与光刻胶喷嘴连通，以使光刻胶流入光刻胶喷嘴中；排液胶泵与排液口通过排液管路连通，以抽取缓冲罐中的空气。本发明中排液胶泵通过抽取的方式促使光刻胶进入缓冲罐，降低或避免了光刻胶中产生气泡的可能性；而且排液口设置在缓冲罐的顶部，能够将缓冲罐中的空气以及含有气泡的光刻胶抽取出去，不仅避免了浪费大量光刻胶，而且避免了后续光刻胶涂布时由于气泡造成的晶圆缺陷。
光刻输送系统

[发明专利]一种一次性预校准晶圆偏移量的方法及装置-CN202210242232.2在审
发明人：梁贤石;金成昱;林锺吉;金在植;张成根 -专利权人：成都高真科技有限公司
申请日： 2022-03-11 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件技术领域，公开了一种一次性预校准晶圆偏移量的方法，包括如下步骤：步骤1、TSU平台装载晶圆；步骤2、旋转装置对所述晶圆进行第一次旋转操作；步骤3、第一次测量所述晶圆的位置是否到位，若到位，跳转到步骤5，否则，跳转到步骤4；步骤4、通过旋转装置调整所述晶圆的位置使所述晶圆排列到预设位置；步骤5、根据所述晶圆所排列的预设位置计算最终结果，本发明还公开了一种一次性预校准晶圆偏移量的装置。本发明可以去掉定心装置对晶圆位置的校正，可以降低旋转装置升降的频率；在识别晶圆缺口后对晶圆移位调整序列变得简单。
一种一次性校准偏移方法装置

[发明专利]光刻胶收集杯清洗设备及光刻胶收集杯清洗方法-CN202011218169.6有效
发明人：金在植;张成根;林锺吉;贺晓彬;李亭亭;刘金彪;杨涛 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-11-04 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： B08B1/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种光刻胶收集杯清洗设备，该光刻胶收集杯清洗设备包括清洗液喷嘴、旋转装置、清洁组件和控制器，其中，清洗液喷嘴用于喷洒清洗液；旋转装置包括转轴和与转轴连接的旋转盘，旋转盘位于清洗液喷嘴的上方，用于将清洗液溅射到待清洗的光刻胶收集杯的内侧；清洁组件设置在旋转盘内，清洁组件设置成随旋转盘的转动伸出，以清洁光刻胶收集杯；控制器分别与转轴和清洗液喷嘴通信连接。本实施例中清洗液和清洁组件均能够对光刻胶收集杯进行清洗，提高了清洁效果和清洁效率，避免了残余光刻胶因清洗不到位导致的影响后续产品良率。
光刻收集清洗设备方法

[发明专利]涂胶机的控制方法、涂胶机的控制系统以及涂胶机-CN202010761685.7有效
发明人： 张成根;林锺吉;金在植;贺晓彬;刘强;丁明正 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-07-31 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： B05C5/02 文献下载
摘要：本申请属于半导体技术领域，具体涉及一种涂胶机的控制方法、涂胶机的控制系统以及涂胶机，该涂胶机的控制方法包括获取光刻胶膜层的需求厚度，控制光刻胶流向晶圆，根据需求厚度，改变晶圆的转速。根据发明实施例的涂胶机的控制方法，在进行晶圆涂胶的过程中，控制晶圆的转速发生变化，能够实现一种光刻胶采用不同的转速进行旋转，形成不同厚度的膜层，扩大了一种光刻胶在不同的转速下所形成的膜层厚度的范围，进而减少涂胶机上所装设的光刻胶的种类，降低了成本投入。另外，通过改变晶圆的旋转速度，快速去除光刻胶中的气泡，改善线宽粗糙度。
涂胶控制方法控制系统以及

[发明专利]一种用于光刻工艺的气压控制系统及方法、涂胶显影系统-CN202010275233.8有效
发明人：金在植;张成根;林锺吉;贺晓彬;杨涛;李俊峰;王文武 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-04-09 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本公开提供了一种用于光刻工艺的气压控制系统及方法、涂胶显影系统，该系统包括：外部气压检测装置，用于实时检测光刻设备外部环境的外部气压值，以及用于将外部气压值反馈给控制器；内部气压检测装置，用于实时检测风机过滤单元出口的内部气压值，以及用于将内部气压值反馈给控制器；控制器，用于利用得到的外部、内部气压值确定压差以及根据压差实时控制风机过滤单元变换器和/或风机。该方法包括：实时外部气压值和内部气压值；利用外部气压值和内部气压值确定压差；根据压差实时控制风机过滤单元变换器和/或风机。涂胶显影系统，包括气压控制系统。本公开能够实时调节涂胶显影设备内各区域的气压，具有压差调节速度快、可靠性高等优点。
一种用于光刻工艺气压控制系统方法涂胶显影系统

[发明专利]一种中性无铬铝表面涂装前处理剂及其制备方法-CN202211720807.3在审
发明人：陈泽民;张巧云;张成根 -专利权人：南京辰翌科技有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： C23C22/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种中性无铬铝表面涂装前处理剂及其制备方法，属于金属处理剂技术领域。本发明每升处理剂含有如下原料：20％罗布麻黄酮溶液40‑50mL，单宁酸0.4‑0.8g，稳定剂0.4‑0.6g，氟钛酸钾0.5‑0.8g，成膜助剂1‑2g，余量为水。制备方法为：将20％罗布麻黄酮溶液和单宁酸溶于水中，再依次加入稳定剂、氟钛酸钾和成膜助剂，最后加入水定容至一定体积，得到中性无铬铝表面涂装前处理剂。本发明的处理剂在铝表面处理技术中的应用突破了铝材涂装前中性无铬的环保化技术难点，应用于铝型材的表面处理，具有成膜效果良好，形成的转化膜性能稳定等优势。
一种中性无铬铝表面涂装前处理及其制备方法

[发明专利]一种镀锌件涂装前表面处理剂及其应用-CN202211720805.4在审
发明人：陈泽民;张巧云;张成根 -专利权人：南京辰翌科技有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： C23C2/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种镀锌件涂装前表面处理剂及其应用，属于金属处理剂技术领域。本发明的镀锌件涂装前表面处理剂，包括如下原料：氧化锌0.3～1g/L，氟钛酸4～6mL/L，稳定剂0.5～1g/L，硝酸锰1～3g/L，植酸0.3～0.5mL/L，促进剂0.8～1.2g/L。在游离酸度7D、总酸度18D、室温条件下，用上述处理剂对镀锌件表面处理10～20min，形成的转化膜具有优异的抗蚀性、附着力和抗冲击力，优于传统磷化工艺，突破了镀锌件涂装涂层附着力差的技术难题，综合性能优异，具有广泛的应用价值。
一种镀锌件涂装前表面处理及其应用

[发明专利]光刻胶涂布和边缘光刻胶去除装置及系统-CN202111338607.7在审
发明人： 张成根;林锺吉;金在植 -专利权人：成都高真科技有限公司
申请日： 2021-11-12 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：为解决现有技术中存在的由于光刻胶的涂布和边缘光刻胶的去除在不同的设备单元中进行，提高生产规模时设备占用面积增大导致在有限的工厂面积同等生产规模的产量减小的技术问题，本发明实施例提供一种光刻胶涂布和边缘光刻胶去除装置及系统，包括：喷涂臂，设有若干个喷涂装置；以及若干个喷涂装置，用于向涂布机上的晶圆喷涂，至少有一个喷涂装置为用于去除晶圆边缘的光刻胶的EBR喷涂装置，至少有一个喷涂装置为PR喷涂装置；EBR喷涂装置设于喷涂臂上与晶圆边缘相对应的位置。从而，本发明实施例一方面提升了晶圆生产效率，另一方面可在有限的工厂面积内比现有技术更多的进行布置光刻胶涂布和边缘光刻胶去除装置，从而提高生产产能。
光刻胶涂布边缘去除装置系统

[发明专利]一种检测非正常安装晶圆的方法及装置-CN202111334046.3在审
发明人： 张成根;林锺吉;金在植 -专利权人：成都高真科技有限公司
申请日： 2021-11-11 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种检测非正常安装晶圆的方法及装置，该方法包括：在固定时间段内采集晶圆轨道设备上各个烘焙单元上布置的若干温度传感器的温度数据；以每个烘焙单元中的若干温度传感器的温度数据作为一个管理单元，计算生成一个虚拟温度参数数据；根据各个管理单元计算得到的虚拟温度参数数据，计算分析得到非正常安装的晶圆。本发明把每个烘焙单元作为一个管理单元，根据每个烘焙单元上若干温度传感器的温度数据生成一个虚拟温度参数数据来管理，且若干个温度数据的标准差用互锁来设定数值，每个烘焙单元只传输一个虚拟温度参数数据，这样后续传输的数据量大幅度降低；在各个管理单元之间实现互锁，降低了互锁数量设置的安装。
一种检测正常安装方法装置

[实用新型]一种化学转化膜防锈剂制备装置-CN202223561081.1有效
发明人：陈泽民;张巧云;张成根 -专利权人：南京辰翌科技有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： B01J19/18 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种化学转化膜防锈剂制备装置，包括合成罐、位于合成罐上方的预混罐和位于合成罐一侧的补料槽，所述合成罐中心设有空心搅拌轴，所述搅拌轴底部与合成罐底部转动连接，其上部设有控制搅拌轴转动的传动组件，所述搅拌轴两侧设有均匀分布的搅拌叶，所述搅拌叶上设有均匀分布的辅助搅拌件，所述预混罐上方设有配置槽，所述配置槽通过连通管一与预混罐连通，所述预混罐内设有扇叶。本实用新型的目的是提供一种化学转化膜防锈剂制备装置，结构简单，操作方便，设置多个原料添加口，使原料添加更方便，提高搅拌效率，进而提升生产效率，使制备装置内的混合溶液更易混合均匀，方便控制生产过程，实用性强。
一种化学转化防锈剂制备装置

[实用新型]一种甲基硅酸盐水性纳米防锈剂制备装置-CN202223590325.9有效
发明人：张巧云;张成根;陈泽民 -专利权人：南京辰翌科技有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： B01F33/82 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种甲基硅酸盐水性纳米防锈剂制备装置，包括搅拌筒、储液罐、均质仓和设置在均质仓上方的混合罐，混合罐的上表面设置有液体进料口和电机一，混合罐的下方设置有导管一，导管一与均质仓连接，均质仓下方设置有导管二，导管二与储液罐连接，储液罐上设置有导管三，导管三下方设置有储液区，储液区内设置有漏液板，漏液板和储液区均设置在搅拌筒内部，搅拌筒两端设置有固体进料口，搅拌筒内部设置有搅拌仓，搅拌仓内部中央部分设置有转轴二，转轴二上连接有固定轴，固定轴连接搅拌叶。本实用新型采用上述结构的一种甲基硅酸盐水性纳米防锈剂制备装置，固液分离，设置均质仓将液体进行纳米化，设置转轴使得搅拌更充分。
一种甲基硅酸盐水性纳米防锈剂制备装置

[发明专利]一种用于晶圆的光刻胶涂布系统及方法-CN202111182086.0在审
发明人： 张成根;林锺吉;金在植 -专利权人：成都高真科技有限公司
申请日： 2021-10-11 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于晶圆的光刻胶涂布系统及方法，该系统包括压力泵单元，压力泵单元包括光刻胶过滤器和压力泵；光刻胶过滤器的进口接入光刻胶供给单元，光刻胶过滤器的出口连接压力泵的入口，通过光刻胶过滤器实现对光刻胶供给单元输入的光刻胶进行过滤处理；压力泵的第一出口接出至喷涂旋转单元，通过第一出口输出恒定喷涂量的光刻胶实现对晶圆进行一次光刻胶喷涂；压力泵的第二出口连接光刻胶过滤器的进口，完成一次喷涂后光刻胶的余量通过第二出口循环输出至光刻胶过滤器进行处理后，固定量的光刻胶被送至压力泵进行下一次的光刻胶喷涂，使每一次喷涂时压力泵内存储有固定量的光刻胶，进而对不同晶圆实现恒定压力的光刻胶喷涂。
一种用于光刻胶涂布系统方法

[发明专利]一种提升半导体显影质量的方法-CN202111182078.6在审
发明人：金在植;张成根;林锺吉 -专利权人：成都高真科技有限公司
申请日： 2021-10-11 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明公开了一种提升半导体显影质量的方法，包括显影初期过程：启动倾斜机构，带动半导体晶片承载台倾斜一个角度；启动转动机构，带动半导体晶片承载体开始转动；控制喷头喷洒显影液，使得显影液能够均匀涂抹在显影区域。本发明通过在显影工艺中增加倾斜工艺，从而保证显影初期喷洒显影液时，显影液在半导体表面分布均匀。
一种提升半导体显影质量方法

[发明专利]一种深锥系统对于中上清溶液深层净化的方法-CN202211469699.7在审
发明人：李云;徐德胜;顾利坤;张宏;张特;杨双龙;杨阳;刘殿传;李华楷;尹云贵;崔文聪;张成根;保佳懿 -专利权人：云南驰宏锌锗股份有限公司
申请日： 2022-11-22 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： C22B19/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种深锥系统对于中上清溶液深层净化的方法，属于铅矿冶炼技术领域；将中性浸出溶液矿浆加入到反应器1中进行搅拌、静置沉淀，将反应器1所得溶液经浓密机固液分离得到上清液，移至反应器2中，并向反应器2中加入工业级铝盐溶液，向反应器2中溶液进行降温处理，并向反应器2中加入消石灰、聚丙烯酰胺溶液，将反应器2中溶液静置，将溶液经浓密机固液分离得到上清液；本发明首次采用石灰乳+铝盐+聚丙烯酰胺+沉降深度脱除中上清溶液中的Ge、Co等杂质的新方法，解决净化过程因前液杂质含量高，导致净化过程中锌金属溶液杂质含量不合格；铝盐属无机物，不会引入有机物，且原料成本低，从而提高了企业的经济效益。
一种系统对于中上溶液深层净化方法

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