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[发明专利]一种电机的中性点电压检测电路-CN202111284571.9有效
发明人：郝炳贤;王云;薛静;杨娜;梁福焕;严文瑞;马玫娟 -专利权人： 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
申请日： 2021-11-01 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G01R19/175 文献下载
摘要：本申请提供了一种电机的中性点电压检测电路，包括：中性点电压内建单元以及电容采样转移单元；其中，中性点电压内建单元用于根据电机三相的端电压，构建出电机的中性点电压；电容采样转移单元用于根据采样信号和保持信号，控制自身中相应的高压开关单元依次不交叠导通，以电容采样转移的方式将中性点电压进行输出；其中，采样信号和保持信号分别控制电容采样转移单元中相应的高压开关单元通断；也即，本申请提供的电机的中性点电压检测电路，能够以电容采样转移的方式，将根据电机三相的端电压，构建得到电机的中性点电压进行输出，提高了中性点电压的检测精度，解决了现有通过电阻分压方式检测得到的中性点电压偏低的问题。
一种电机中性电压检测电路

[发明专利]半导体器件及其制作方法-CN202110486421.X有效
发明人：丁文波;叶甜春;罗军;赵杰;薛静 -专利权人： 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院;澳芯集成电路技术（广东）有限公司
申请日： 2021-04-30 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件及其制作方法，所述制作方法包括：提供一半导体衬底，所述半导体衬底的第一表面具有第一区域、第二区域和第三区域；在所述第三区域形成浮栅和控制栅；在所述第一表面内形成源极和漏极；形成第一氧化层，所述第一氧化层覆盖所述第一区域和所述第二区域；形成第二氧化层，所述第二氧化层覆盖所述控制栅的侧壁和所述浮栅的侧壁；其中，在形成所述第一氧化层前，至少对所述第一区域进行非晶化离子注入，将所述第一区域非晶化，以使得所述第一氧化层的厚度大于所述第二氧化层的厚度。本方案可以实现在同一道工艺下在侧壁以及正面生成不同厚度的氧化膜，同时可以提高半导体器件的击穿电压，提高器件性能。
半导体器件及其制作方法

[发明专利]一种半导体结构及其制造方法-CN202010762688.2有效
发明人：王桂磊;黎奔;亨利·H·阿达姆松;杜勇;徐步青 -专利权人： 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院;中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-07-31 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种半导体结构及其制造方法，包括提供锗衬底，在锗衬底上形成砷化镓层，在砷化镓层上形成铟镓磷层。这样砷化镓层能够可以作为锗衬底和铟镓磷层之间的缓冲层，改善锗衬底和铟镓磷层之间的晶格失配，减少铟镓磷层中的反向畴，减少铟镓磷层中的缺陷，提高基于铟镓磷层的器件的性能。
一种半导体结构及其制造方法

[发明专利]一种保护电路-CN202210143480.1有效
发明人：魏洪森;王云;郝炳贤;张建华;薛静;张梦;楼玥 -专利权人： 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
申请日： 2022-02-16 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H02H9/04 文献下载
摘要：本公开涉及一种保护电路，包括：第一引脚，用于连接需要保护的MOS管的漏极；第二引脚，用于输出控制信号；第三引脚，用于连接需要保护的MOS管的栅极；第四引脚，用于连接外部电路以调节所述保护电路的钳位电压；第一高压MOS管，所述第一高压MOS管的源极和栅极短接；钳位模块，用于将电路的电压由高压转换为低压；第一三极管和防止所述第一三极管损坏的第一MOS管；电流镜；第三三极管；钳位压降模块，用于调整所述第一三极管的发射极与第三三极管的发射极间压降与所述电流镜和所述第三三极管之间的压降相等。
一种保护电路

[外观设计]自动导引运输车（IB200）-CN202330259353.3有效
发明人：张传红;林晓雯;黄杰军 -专利权人： 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
申请日： 2023-05-06 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： 12-05 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：自动导引运输车（IB200）。2.本外观设计产品的用途：本外观产品用于物料自动化搬运。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图1。
自动导引运输车 ib200

[外观设计]自动导引运输车（IB600RL）-CN202330259354.8有效
发明人：张传红;林晓雯;黄杰军 -专利权人： 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
申请日： 2023-05-06 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： 12-05 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：自动导引运输车（IB600RL）。2.本外观设计产品的用途：本外观产品用于物料自动化搬运。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图1。
自动导引运输车 ib600rl

[发明专利]一种光刻图形的优化方法及装置-CN202210071674.5有效
发明人：吴华标;叶甜春;朱纪军;罗军;李彬鸿;赵杰 -专利权人：锐立平芯微电子（广州）有限责任公司;广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
申请日： 2022-01-21 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种光刻图形的优化方法及装置，该方法用于集成电路器件；具体包括：获取光刻图形的样本数据，样本数据包括所述目标图形区的第一尺寸信息以及所述至少两个材料层的材料信息；基于样本数据生成的第一光罩图形对光刻胶图层进行光刻，生成第一目标图形，第一目标图形的图形尺寸误差大于误差阈值；基于第一目标图形的图形尺寸误差进行光学邻近OPC校正，获得矫正后的第二光罩图形。本方案可以对图形尺寸误差超过阈值的第一光罩图形进行图形优化，获得图形尺寸误差更小的第二光罩图形，不仅提高了光刻的精度，避免出现光刻胶残留，且提高了后续的工艺窗口，提高产品的良品率。
一种光刻图形优化方法装置

[发明专利]一种多层绝缘体上硅锗衬底结构及其制备方法和用途-CN202110540902.4有效
发明人：亨利·H·阿达姆松;王桂磊;罗雪;林鸿霄 -专利权人：中国科学院微电子研究所;广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
申请日： 2021-05-18 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种多层绝缘体上硅锗衬底结构，其包括由下至上依次堆叠的背衬硅层、第一绝缘层、第一硅锗层以及交替垂直堆叠在所述第一硅锗层上的n层第二绝缘层和n层第二硅锗层，并且靠近所述第一硅锗层的是所述第二绝缘层；所述第一硅锗层的硅锗材料的化学式为Si1‑yGey；所述第二硅锗层的硅锗材料的化学式为Si1‑zGez，0＜z≤0.5；其中，n为1以上的正整数；所述第二绝缘层存在贯穿所述第二绝缘层的凹槽；并且所述凹槽中充满与所述第二硅锗层的硅锗材料相同的硅锗材料。本发明还涉及一种多层绝缘体上硅锗衬底结构的制备方法。该衬底结构有利于减小器件的短沟道效应，同时有利于提升器件的开态电流，在小尺寸半导体器件的制备中有望得到应用。
一种多层绝缘体上硅锗衬底结构及其制备方法用途

[发明专利]一种驱动电路、方法和电源系统-CN202310654825.4在审
发明人：郑凯华;张建华;王云;陆超;李荣荣;陈礼芹 -专利权人： 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
申请日： 2023-06-02 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种驱动电路、方法和电源系统，该电路包括：第一电流镜、第二电流镜、第一开关、第二开关、栅漏检测电路和功率管；栅漏检测电路的第一检测端与功率管的栅极连接；栅漏检测电路的第二检测端与功率管的漏极连接；栅漏检测电路的输出端与第一电流镜的第一输入端连接；第一电流镜的第二输入端与第一电流镜的第一输出端连接；第一电流镜的第三输入端与第一开关的第一端连接；第一电流镜的输出端接地；第二电流镜的输入端与电压源连接；第二电流镜的第二输出端与第二开关的第一端连接；第一开关的第二端与功率管的栅极连接；第二开关的第二端与功率管的栅极连接。采用本发明实施例，可简化功率管驱动的控制过程。
一种驱动电路方法电源系统

[发明专利]一种DTOF雷达模组的校准控制方法、装置及终端设备-CN202310599097.1在审
发明人：曹旺;刘川;邓水云;李琛 -专利权人： 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
申请日： 2023-05-24 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： G01S7/497 文献下载
摘要：本发明公开了一种DTOF雷达模组的校准控制方法、装置及终端设备，确定待校准DTOF雷达模组的校准指令后，生成控制数据用于控制反射板和转动装置，通过分析控制数据中的目标反射板转动角度和目标转动装置，获得反射板控制顺序，通过判断反射板是否处于初始位置，以确保根据目标反射板转动角度转动后的反射板所对应的位置不会出错，在判断所有反射板处于初始位置后，执行DTOF雷达模组控制发射操作，按照反射板控制顺序控制所有控制转动装置的转动开启和转动角度，并在每一控制数据执行后启动待校准DTOF雷达模组采集调试数据，完成了DTOF雷达模组调试数据的采集，从而更好地进行校准。
一种 dtof 雷达模组校准控制方法装置终端设备

[发明专利]一种交织类型识别方法、装置、电子设备和存储介质-CN202310588161.6在审
发明人：聂玉龙;靳海澄;陈绍贺 -专利权人： 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
申请日： 2023-05-23 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H04L1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种交织类型识别方法、装置、电子设备和存储介质，先将由多帧数据组成的目标序列按行依次填入第一矩阵中，第一矩阵的列数在预设范围内遍历；根据第一矩阵确定完整的一帧数据的帧长；基于帧长对目标序列的前段数据进行删减，得到多个中间序列；根据帧长设置卷积解交织器的参数并对中间序列进行解交织，得到多个第一解交织序列；基于第一解交织序列验证目标序列的交织类型是否为卷积交织；若否则根据帧长设置矩阵解交织器的参数并对中间序列进行解交织，得到多个第二解交织序列；根据第二解交织序列判断交织类型是否为矩阵交织和螺旋交织中的一种，对中间序列进行解交织并验证，考虑到了交织类型的多样性，实现交织类型盲识别。
一种交织类型识别方法装置电子设备存储介质

[发明专利]一种铁电栅极叠层和铁电场效应晶体管及其制备方法-CN202310440684.6在审
发明人：罗军;陈博涵;许静 -专利权人：中国科学院微电子研究所;广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
申请日： 2023-04-23 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01L29/51 文献下载
摘要：本发明涉及一种铁电栅极叠层和铁电场效应晶体管及其制备方法，属于微电子技术领域，用以解决现有中铁电场效应晶体管易出现积累翻转问题。所述铁电栅极叠层自下而上包括依次叠加设置的栅氧层、介质薄层、其他栅介质层；其中，所述介质薄层和所述栅氧层之间还设置有铁电层，所述介质薄层与所述其他栅介质层之间还设置有阻变层；或所述介质薄层和所述栅氧层之间还设置有阻变层，所述介质薄层与所述其他栅介质层之间还设置有铁电层，本发明通过在铁电栅极叠层中加入阻变层，使得铁电栅极叠层上的电压小于翻转电压时，不易受周围串扰而积累翻转，达到期望的矫顽电压后，正常开启，削弱积累翻转效应。
一种栅极电场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]六相永磁同步电机的控制装置、方法和系统-CN202110615576.9有效
发明人：王文洲;叶甜春;王云;任广辉;薛静;卢苗 -专利权人： 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
申请日： 2021-06-02 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H02P21/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种六相永磁同步电机的控制装置和方法与六相永磁同步电机系统，装置包括：高速电流检测模块、转子位置检测模块、电流处理模块；其中，电流处理模块分别与高速电流检测模块、和转子位置检测模块电连接；其中，电流处理模块，用于对高速电流检测模块采集的六相电流进行空间矢量解耦生成空间向量，并获取转子位置检测模块输出的转子的当前角度，以及基于空间向量与转子的当前角度生成功率信号控制当前六相永磁同步电机进行驱动。因此，采用本申请实施例，可以实现六相电的全解耦控制，极大的降低了六相永磁同步电机控制器的工程实现难度。
永磁同步电机控制装置方法系统

[发明专利]一种场效应晶体管及其制作方法-CN202310641125.1在审
发明人：许滨滨;叶甜春;李彬鸿;罗军;许静;嵇彤 -专利权人： 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L29/45 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种场效应晶体管及其制作方法，该方法中所述源极和所述漏极中至少一个包括层叠的第一电极层、第二电极层和第三电极层，其中，所述第一电极层和所述第三电极层中包括NiSi，所述第二电极层中包括HfO2，从而可以利用第二电极层中的HfO2阻挡第三电极层中的镍原子与有源区中的硅原子相互扩散，进而减缓硅化物在高温下快速团聚形成高阻NiSi2，提高金属电极中包括镍原子时，场效应晶体管的稳定性，即提高NiSi作为场效应晶体管的金属电极时的稳定性，同时利用第二电极层中的HfO2阻挡第三电极层中的镍原子与有源区中的硅原子相互扩散，还可以提高所述第一电极层和有源区之间的接触界面的平滑度。
一种场效应晶体管及其制作方法

[发明专利]一种多层绝缘体上硅锗衬底及其制备方法、应用-CN202110287456.0有效
发明人：亨利·H·阿达姆松;王桂磊;罗雪;王云 -专利权人： 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
申请日： 2021-03-17 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种多层绝缘体上硅锗衬底及其制备方法、应用。一种多层绝缘体上硅锗衬底，包括由下至上依次堆叠的背衬硅层、第一绝缘层、硅层；硅层上交替垂直堆叠n层第二绝缘层和n层硅锗层，并且靠近硅层的是所述第二绝缘层；所述硅锗的化学式为Si1‑xGex，0＜x＜0.5；其中，n为1以上的正整数；所述第二绝缘层设有使底部相邻层裸露的凹槽，所述硅锗层充满所述凹槽并且覆盖所述第二绝缘层的上表面。本发明可用于形成3D垂直堆叠全耗尽晶体管结构，有利于减小器件的短沟道效应(decrease short channel effect)，同时多层沟道结构有利于提升器件的开态电流(Improve Ion)，在小尺寸半导体器件的制备中有望得到应用。
一种多层绝缘体上硅锗衬底及其制备方法应用

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