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[发明专利]用于互连结构的阻挡层及其制备方法-CN202010417817.4在审
发明人：杨弦龙;姜德新 -专利权人： 广东汉岂工业技术研发有限公司
申请日： 2020-05-15 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：本发明公开了用于互连结构的阻挡层，设置在互连结构的金属互连材料与电介质层之间，阻挡层包括第一阻挡层和第二阻挡层，第一阻挡层环绕在金属互连材料外层，第二阻挡层环绕在第一阻挡层外侧。本发明提供的阻挡层，包括两层由原子层沉淀形成的阻挡层，通过两层不同材料制成的阻挡层，利用具有稳定金属性能和良好附着力的材料可以提升原有的阻挡层与金属互连材料之间的附着力，由此，可以改善现有的单层阻挡层性能较差以及由ALD和PVD形成的双阻挡层带来的高阻抗问题；进而减少从互连电流到损坏集成电路的热量，改善IC电路的RC延迟，提高IC生产的成品率。
用于互连结构阻挡及其制备方法

[发明专利]FinFET器件的鳍片制作方法-CN202010211746.2在审
发明人：戴成奇 -专利权人： 广东汉岂工业技术研发有限公司
申请日： 2020-03-24 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：一种FinFET器件的鳍片制作方法，包括以下步骤：步骤S1、在半导体衬底(100)上蚀刻出蚀刻槽(110)，以使邻近两个蚀刻槽(110)之间形成鳍片(200)；步骤S2、在蚀刻槽(110)中施布ODL(300)，以使ODL(300)达到鳍片(200)的一定高度；步骤S3、采用氟基团对鳍片(200)的位于ODL(300)上方的部分进行干法腐蚀，以将鳍片(200)蚀刻成塔状。本发明的FinFET器件的鳍片制作方法设计新颖，实用性强。
finfet 器件制作方法

[发明专利]一种化学机械研磨的水冷式研磨头-CN202010752452.0有效
发明人：魏运秀 -专利权人： 广东汉岂工业技术研发有限公司
申请日： 2020-07-30 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： B24B55/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种化学机械研磨的水冷式研磨头，包括研磨部、连接部、进出水部和隔离管，研磨部内设有涡旋槽道，涡旋槽道连接有进水管和出水管，进水管和出水管与进出水部连接，隔离管将进水管和出水管隔开。本发明通过在研磨头内设置冷却水路，可快速、有效的对研磨头进行冷却，改善化学机械研磨的缺陷。
一种化学机械研磨水冷

[发明专利]FinFET器件及其成型方法-CN202010130000.9在审
发明人：林昱佑 -专利权人： 广东汉岂工业技术研发有限公司
申请日： 2020-02-28 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明提出了一种FinFET器件及其成型方法。FinFET器件的成型方法包括以下步骤：步骤S1、采用半导体材料形成衬底(100)；步骤S2、通过蚀刻衬底(100)，形成多个鳍片(200)；其中，鳍片(200)具有多种形状；步骤S3、形成多个栅极结构(300)，使得所述鳍片(200)与多个栅极结构(300)中的一个栅极结构(300)对应，所述鳍片(200)插设在对应的栅极结构(300)中；其中，鳍片(200)的与栅极结构(300)接触的表面构成鳍片通道；不同形状的鳍片(200)的鳍片通道具有不同的宽度。本发明的FinFET器件及其成型方法设计新颖，实用性强。
finfet 器件及其成型方法

[发明专利]基于BEOL工艺的集成电路结构及其形成方法-CN202010078619.X在审
发明人：李峯旻 -专利权人： 广东汉岂工业技术研发有限公司
申请日： 2020-02-03 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提出了一种基于BEOL工艺的集成电路结构及其形成方法；集成电路结构包括LOW‑K介电层(100)、覆盖在LOW‑K介电层(100)底面的第一覆盖层(200)以及布置在第一覆盖层(200)底面的多条铜线(300)；集成电路结构上开设有依次贯穿LOW‑K介电层(100)和第一覆盖层(200)并与铜线(300)连通的连通孔(400)；集成电路结构还包括钽层(700)以及在连通孔(400)内壁上布设的ALD阻挡层(500)；钽层(700)分别覆盖在ALD阻挡层(500)以及铜线(300)上与连通孔(400)连通的表面；钽层(700)围成容纳空间；集成电路结构还包括填充在容纳空间中的铜连接部(800)以及在LOW‑K介电层(100)顶面形成的第二覆盖层(900)。本发明的集成电路结构及其形成方法设计新颖，实用性强。
基于 beol 工艺集成电路结构及其形成方法

[发明专利]一种芯片堆叠封装结构及其制备方法-CN202010028073.7有效
发明人：张正 -专利权人： 广东汉岂工业技术研发有限公司
申请日： 2020-01-10 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本发明涉及一种芯片堆叠封装结构及其制备方法，该包括以下步骤：提供一线路基板，在所述线路基板上形成第一、第二金属导电柱，在所述第一、第二金属导电柱上分别形成多个穿孔；形成第一、第二焊料结构，所述第一、第二焊料结构分别完全包裹所述第一、第二金属导电柱，将第一封装结构安装在所述第一焊料结构上，将所述第二封装结构安装在所述第二焊料结构上，接着在所述线路基板的第一表面上形成封装外壳，所述封装外壳完全包裹所述第一封装结构和所述第二封装结构，接着在所述线路基板上形成导电焊球。
一种芯片堆叠封装结构及其制备方法

[发明专利]一种半导体器件及其制程方法-CN201911210052.0在审
发明人：李峯旻 -专利权人： 广东汉岂工业技术研发有限公司
申请日： 2019-11-29 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提出了一种半导体器件及其制程方法。半导体器件包括硅基板(100)，多个磊晶(110)，邻近两个磊晶(110)之间形成的沟道(120)，栅极堆叠件(200)，栅极间隔件(300)，介电层(500)；还包括：贯穿介电层(500)、栅极间隔件(300)并连接至磊晶(110)的第一连通孔(700)，贯穿介电层(500)并连接至栅极堆叠件(200)的第二连通孔(710)；连通孔孔壁上覆盖有钽基衬套、钴层衬套；钴层衬套所围的空间填充有铜填充部。本发明的半导体器件及其制程方法设计新颖，实用性强。
一种半导体器件及其方法

[发明专利]一种半导体结构及其制程方法-CN201911205641.X在审
发明人：李峯旻 -专利权人： 广东汉岂工业技术研发有限公司
申请日： 2019-11-29 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提出了一种半导体结构及其制程方法；半导体结构包括硅基板(100)，硅基板(100)上形成有多个磊晶(110)，邻近两个磊晶(110)之间形成有沟道(120)；半导体结构还包括位于沟道(120)内的栅极堆叠件(200)，环绕栅极堆叠件(200)的栅极间隔件(910)，依次位于栅极堆叠件(200)和栅极间隔件(910)上方的第一介电层(300)、第二介电层(400)，贯穿第二介电层(400)并连接至磊晶(110)的第一连通孔，贯穿第二介电层(400)并连接至栅极堆叠件(200)的第二连通孔，通过化学沉积在第二介电层(400)的上方并填充第一连通孔和第二连通孔的金属层(700)。本发明的半导体结构及其制程方法设计新颖，实用性强。
一种半导体结构及其方法

[发明专利]一种蚀刻和沉积的制程控制方法和装置-CN201911146409.3在审
发明人：杨明勋;张峰溢 -专利权人： 广东汉岂工业技术研发有限公司
申请日： 2019-11-21 - 公布日： 2021-05-21 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种蚀刻和沉积的先进控制方法和装置，方法包括以下步骤：制备可独立控制气流分布的气流分配板；在所述气流分配板上阵列排布多个独立的微型气流喷嘴，在每个微型气流喷嘴内设置一个独立气道以及控制该气道通断/流量流速的电控开/关，还包括根据制程需要，程序控制各个单个的喷嘴的开/关。本发明通过可编程气流分配，来保证整个区域气流量/流速的均一性，具体实现了可编程气流图案和气流流速的局部区域的控制，相对于现有的固定气孔位置的固定气流图案的气流分布，大幅提高了原子层蚀刻和沉积的制程反应器技术。
一种蚀刻沉积程控方法装置

[发明专利]一种SRAM及其形成方法和电子装置-CN201911011958.X在审
发明人：林昱佑 -专利权人： 广东汉岂工业技术研发有限公司
申请日： 2019-10-23 - 公布日： 2021-04-23 - 主分类号： H01L27/11 文献下载
摘要：本发明公开了一种SRAM的形成方法，包括：提供衬底；在衬底上形成NMOS器件区和PMOS器件区，其中，NMOS器件区包括由SiP构成有源区的PG晶体管和由Si构成有源区的PD晶体管，PMOS器件区包括由SiGe构成有源区的PU晶体管；形成包括第一鳍状件、第二鳍状件和第三鳍状件的鳍结构，其中，第一鳍状件形成在PD晶体管，第二鳍状件形成在PG晶体管，第三鳍状件形成在PU晶体管。相较于传统的由Si组成的位于NMOS器件的鳍结构，由SiP构成有源区的PG晶体管可以将SRAM的性能提升约20％～30％，同时由于PD晶体管采用Si构成有源区，因此还可以同时保持良好的稳定性。
一种 sram 及其形成方法电子装置

[发明专利]一种SRAM及其形成方法和电子装置-CN201911012006.X在审
发明人：林昱佑 -专利权人： 广东汉岂工业技术研发有限公司
申请日： 2019-10-23 - 公布日： 2021-04-23 - 主分类号： H01L27/11 文献下载
摘要：本发明公开了一种SRAM的形成方法，包括：提供衬底；在衬底上形成包含第一半导体材料的NMOS器件区和包含第二半导体材料的PMOS器件区，其中，第一半导体材料为SiP，第二半导体材料为SiGe；形成包括第一鳍状件和第二鳍状件的鳍结构，其中，第一鳍状件形成在NMOS器件区，并且第二鳍状件形成在PMOS器件区。本发明提供的SRAM的形成方法，在NMOS器件区形成由SiP组成的鳍结构，在PMOS器件区形成由SiGe组成的鳍结构，相较于传统的由Si组成的位于NMOS器件的鳍结构，可以将SRAM的性能提升约20％～30％。
一种 sram 及其形成方法电子装置

[发明专利]一种滚轮减速电机-CN201610593496.7有效
发明人：王凯 -专利权人： 广东汉岂工业技术研发有限公司
申请日： 2016-07-26 - 公布日： 2019-03-12 - 主分类号： H02K7/10 文献下载
摘要：本发明提出了一种滚轮减速电机，包括机体、转动轴、转子、定子、连接器，机体内部设有转动轴，转动轴一侧设有转子，转子外部设有定子，定子包括磁芯及绕组，磁芯处设有槽口，槽口处缠绕有绕组，转动轴另一侧与机体一侧的连接器相连，连接器由转动轮及滑块组成，滑块与连接器相连接处设有滚珠，转动轮设置在连接器内，转动轮一侧设有避震器，转动轮通过轮轴与转动轮一侧的避震器相连接，转动轮两侧设有凹槽，凹槽处设有与凹槽相适配的减速器，减速器与轮轴一端相连接。本发明结构合理，通过设置的连接器能够有效的控制转动轴的转动速度，同时也能够减缓转动轴的晃动现象，提高了工作效率，降低了生产成本。
一种滚轮减速电机

[实用新型]一种电机抗震铸铝端盖的密封结构-CN201820696339.3有效
发明人：陈骞 -专利权人： 广东汉岂工业技术研发有限公司
申请日： 2018-05-10 - 公布日： 2018-12-28 - 主分类号： H02K5/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种电机抗震铸铝端盖的密封结构，包括铸铝端盖、轴承室、环形凹腔、减震橡胶圈、螺栓沉孔、密封套、环形凹槽和密封圈，轴承室外侧设置有环形凹腔，环形凹腔内设置有减震橡胶圈，环形凹腔的形状与减震橡胶圈的形状一致，铸铝端盖外圈上设置有螺栓沉孔和螺栓孔，螺栓孔内设置有固定螺栓，固定螺栓的螺帽在固定螺栓拧紧后位于螺栓沉孔内，密封套套设在螺帽上，铸铝端盖外圈上远离圆台一侧设置有环形凹槽，环形凹槽内设置有密封圈，密封圈的截面呈顶部凸起的半圆形，环形凹槽的形状与密封圈的形状一致；该种电机抗震铸铝端盖的密封结构，通过环形凹腔提高了减震橡胶圈的弹性，通过密封圈提高了铸铝端盖的连接密封性。
端盖铸铝密封圈环形凹腔减震橡胶圈环形凹槽固定螺栓螺栓沉孔密封结构抗震螺帽电机形状一致螺栓孔轴承室本实用新型连接密封外侧设置密封套拧紧凸起圆台密封

[实用新型]一种电机防尘铸铝端盖-CN201820696316.2有效
发明人：陈骞 -专利权人： 广东汉岂工业技术研发有限公司
申请日： 2018-05-10 - 公布日： 2018-12-25 - 主分类号： H02K5/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种电机防尘铸铝端盖，包括铸铝端盖、安装座、进气孔、防水透气膜、支撑块和防尘罩，铸铝端盖外侧沿圆周向均匀设置有多个安装座，安装座上设置有安装孔，安装孔内侧设置有内螺纹，铸铝端盖中部设置有轴承孔，铸铝端盖上位于轴承孔外侧设置有多个进气孔，进气孔均为朝上倾斜设置，进气孔的末端设置有竖直朝上的进气口，进气口上设置有防水透气膜，铸铝端盖位于轴承孔的外侧沿轴承孔的圆周周向设置有多块弧形的支撑块，支撑块上套设有防尘罩，防尘罩通过固定螺栓固定在支撑块上；该种电机防尘铸铝端盖，通过倾斜的进气孔的设置，使得空气进入铸铝端盖内侧时受到进气孔内壁的阻挡，从而有利于灰尘下沉，避免灰尘进入电机内部。
端盖铸铝进气孔轴承孔防尘罩防尘安装座电机进气口防水透气膜支撑安装孔朝上本实用新型固定螺栓均匀设置倾斜设置外侧设置周向设置内螺纹圆周向多块内壁上套竖直下沉阻挡

[实用新型]一种电路板加工用夹持装置-CN201820661400.0有效
发明人：孙学程 -专利权人： 广东汉岂工业技术研发有限公司
申请日： 2018-05-05 - 公布日： 2018-12-25 - 主分类号： H05K3/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种电路板加工用夹持装置，包括底板，所述底板顶部的中心处固定连接有升降杆，所述升降杆的右侧设置有调节旋钮，所述升降杆的顶部固定连接有支撑板，所述支撑板顶部表面的两侧均开设有活动槽，所述活动槽内腔底部的中心处滑动连接有支撑块。本实用新型通过设置复位弹簧、拉板、电动伸缩杆、挡板、卡杆、拉杆、卡块、活动槽、支撑块、滑槽、滑杆、卡板、滑块和卡槽的配合使用，可对不同长度的电路板进行有效夹持，这样夹持装置的使用效果更好，解决了夹持装置在使用时，因夹持装置不能对不同长度的电路板进行夹紧，使得夹持装置只能夹紧一种长度的电路板，从而导致夹持装置出现夹持效果较差的问题。
夹持装置电路板活动槽升降杆本实用新型电路板加工中心处夹持夹紧底板电动伸缩杆支撑板顶部底板顶部复位弹簧滑动连接挡板支撑板支撑滑槽滑杆滑块卡板卡槽卡杆卡块拉板拉杆内腔旋钮