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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]自适应功率管理方法和系统-CN200880014619.0无效
发明人：闵胜基(NMI) -专利权人： 帝斯曼方案公司
申请日： 2008-05-02 - 公布日： 2010-03-17 - 主分类号： G05F1/46 文献下载
摘要：一种系统包括集成电路，该集成电路包括接收供给电压的一个或多个晶体管。该系统还包括基准晶体管，该基准晶体管可操作来接收恒定电流，并产生根据温度或工艺变化而变化的基准电压，其中，基准晶体管相对于温度或工艺变化与一个或多个晶体管中的至少一个相似地运作。该系统还包括比较器，该比较器可操作来对基准电压与所接收的供给电压进行比较，并至少部分基于基准电压与所接收的供给电压之间的差异来产生输出。该系统还包括控制器，该控制器可操作来至少部分基于比较器的输出来调整所接收的供给电压。
自适应功率管理方法系统

[发明专利]具有利用基本上均匀的图案密度形成的电路的半导体器件-CN200780036346.5无效
发明人：阿首克·库马尔·卡泊尔;理查德·K·周;达莫代尔·R·图马拉帕利 -专利权人： 帝斯曼方案公司
申请日： 2007-09-12 - 公布日： 2009-09-02 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种半导体器件包括第一电路部分(200A)，该第一电路部分具有耦合到由导电层形成的至少三条导电线(202、204、206)的至少一个晶体管(T1)。三条导电线中的至少一条导电线(204)形成了至少一个晶体管的控制端子。另外，第二电路部分(200B)包括至少两个晶体管(T3-T6)。每个这样的晶体管具有由以相同导电层形成的导电线形成的控制端子(234、236、238、240)。第一电路部分的三条导电线具有与第二电路部分的导电线相同的间距图案。
具有利用基本上均匀图案密度形成电路半导体器件

[发明专利]互补型绝缘体上硅（SOI）结式场效应晶体管及其制造方法-CN200780031328.8无效
发明人：阿首克·K·卡泊尔 -专利权人： 帝斯曼方案公司
申请日： 2007-08-15 - 公布日： 2009-08-12 - 主分类号： H01L27/098 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件，其包括在绝缘体上硅(SOI)晶片上制造的互补型结式场效应晶体管(JFET)。P型JFET包括由n型多晶硅形成的控制栅极(170)，n型JFET包括由p型多晶硅形成的控制栅极(110)。互补型JFET可包括具有形成在沟道区下方的背栅极的四端子JFET。该背栅极可以经由在隔离结构中的切口区电连接到形成在沟道区上方的控制栅极。另外，互补型JFET可以在形成于硅锗(SiGe)层或硅锗碳(SiGeC)层等上面的应变硅上形成。
互补绝缘体 soi 结式场效应晶体管及其制造方法

[发明专利]具有在绝缘体上硅或体硅中构建的背栅极的结场效应晶体管-CN200780029842.8无效
发明人：玛杜胡卡·沃拉 -专利权人： 帝斯曼方案公司
申请日： 2007-08-09 - 公布日： 2009-08-05 - 主分类号： H01L21/337 文献下载
摘要：通过故意将沟道-阱PN结与栅极区域短路，实现了一种没有用于背栅极的表面接触的结场效应晶体管，该晶体管实现了沟道中的两倍跨导并且具有更高的切换速度。这是通过以下方式实现的：故意刻蚀掉至少栅极区域中有源区外部的场氧化物，以便暴露出有源区的侧壁，向下直到与阱形成电接触的掩埋栅极或沟道-阱PN结。然后在沟槽中沉积多晶硅并进行重掺杂，并且使用退火步骤来将杂质驱动到沟道区域的顶部和侧壁，从而产生“包绕”栅极区域，该“包绕”栅极区域沿沟道区域的侧壁向下到达沟道-阱PN结。这使得被施加到栅极端子的偏置也被施加到阱，从而利用围绕栅极-沟道PN结和沟道-阱PN结两者的耗尽区域对沟道跨导进行调制。
具有绝缘体或体构建栅极场效应晶体管

[发明专利]用于小线宽和下降的线宽的JFET的可扩展工艺和结构-CN200780021856.5有效
发明人：玛杜胡卡·沃拉;阿首克·库马尔·卡泊尔 -专利权人： 帝斯曼方案公司
申请日： 2007-06-11 - 公布日： 2009-06-24 - 主分类号： H01L29/80 文献下载
摘要：一种用于形成具有45纳米或更小线宽的常闭型JFET的可扩展器件结构和工艺。通过在衬底上形成一层厚度小于1000埃优选地为500埃或更小的氧化物而形成到源极区域、漏极区域和栅极区域的接触。在氧化物上形成氮化层，并且蚀刻用于源极、漏极和栅极接触的孔。然后沉积一层多晶硅从而填充所述孔，并且所述多晶硅被抛光到使其与氮化层平齐。然后向多晶硅接触注入所需要的晶体管的沟道类型所需要的杂质，并且所述杂质被置入到半导体衬底之下，从而形成源极区域、漏极区域和栅极区域。
用于宽和下降 jfet 扩展工艺结构

[发明专利]自对准栅极结型场效应晶体管结构和方法-CN200780021526.6无效
发明人：阿首克·库马尔·卡泊尔 -专利权人： 帝斯曼方案公司
申请日： 2007-06-07 - 公布日： 2009-06-24 - 主分类号： H01L31/112 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成在衬底上的结型场效应晶体管(JFET)，所述衬底至少具有半导体层，并且具有在有源区上的源触点和漏触点以及自对准栅极触点，其中所述源触点和漏触点由第一多晶硅(或其它导体，例如耐火金属或硅化物)制成，所述自对准栅极触点由第二多晶硅制成并被抛光以使其与覆盖源触点和漏触点顶部的电介质层的顶表面平齐。所述电介质层优选具有充当抛光阻挡层的氮化物帽层。在某些实施方式中，氮化物覆盖了覆盖源触点和漏触点的整个电介质层以及定义所述JFET的有源区的场氧化物区。本发明还公开了一种实施方式，其中外延生长沟道区形成在衬底表面上。
对准栅极场效应晶体管结构方法

[发明专利]具有四端子JFET器件的电路配置-CN200780022160.4无效
发明人：阿首克·库马尔·卡泊尔 -专利权人： 帝斯曼方案公司
申请日： 2007-06-13 - 公布日： 2009-06-24 - 主分类号： H03K19/094 文献下载
摘要：公开了使用四端子结型场效应晶体管(JFET)的电路。这种电路可包括各种静态和动态逻辑电路、触发器、复用器、三态驱动器、相位检测器、具有可变操作速度的逻辑和/或操作在线性或非线性模式中的具有这种四端子JFET的模拟电路。
具有端子 jfet 器件电路配置

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