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[发明专利]具有在绝缘体上硅或体硅中构建的背栅极的结场效应晶体管-CN200780029842.8无效
发明人： 玛杜胡卡·沃拉 -专利权人：帝斯曼方案公司
申请日： 2007-08-09 - 公布日： 2009-08-05 - 主分类号： H01L21/337 文献下载
摘要：通过故意将沟道-阱PN结与栅极区域短路，实现了一种没有用于背栅极的表面接触的结场效应晶体管，该晶体管实现了沟道中的两倍跨导并且具有更高的切换速度。这是通过以下方式实现的：故意刻蚀掉至少栅极区域中有源区外部的场氧化物，以便暴露出有源区的侧壁，向下直到与阱形成电接触的掩埋栅极或沟道-阱PN结。然后在沟槽中沉积多晶硅并进行重掺杂，并且使用退火步骤来将杂质驱动到沟道区域的顶部和侧壁，从而产生“包绕”栅极区域，该“包绕”栅极区域沿沟道区域的侧壁向下到达沟道-阱PN结。这使得被施加到栅极端子的偏置也被施加到阱，从而利用围绕栅极-沟道PN结和沟道-阱PN结两者的耗尽区域对沟道跨导进行调制。
具有绝缘体或体构建栅极场效应晶体管

[发明专利]用于小线宽和下降的线宽的JFET的可扩展工艺和结构-CN200780021856.5有效
发明人： 玛杜胡卡·沃拉;阿首克·库马尔·卡泊尔 -专利权人：帝斯曼方案公司
申请日： 2007-06-11 - 公布日： 2009-06-24 - 主分类号： H01L29/80 文献下载
摘要：一种用于形成具有45纳米或更小线宽的常闭型JFET的可扩展器件结构和工艺。通过在衬底上形成一层厚度小于1000埃优选地为500埃或更小的氧化物而形成到源极区域、漏极区域和栅极区域的接触。在氧化物上形成氮化层，并且蚀刻用于源极、漏极和栅极接触的孔。然后沉积一层多晶硅从而填充所述孔，并且所述多晶硅被抛光到使其与氮化层平齐。然后向多晶硅接触注入所需要的晶体管的沟道类型所需要的杂质，并且所述杂质被置入到半导体衬底之下，从而形成源极区域、漏极区域和栅极区域。
用于宽和下降 jfet 扩展工艺结构