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[发明专利]微波等离子体应用单元微波泄漏感知装置-CN202210296409.7在审
发明人： 崔珍善 -专利权人：成都高真科技有限公司
申请日： 2022-03-24 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： G01R29/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种微波等离子体应用单元微波泄漏感知装置，属于半导体制造领域，在使用微波等离子源的灰化室中，设有用于感知微波等离子体应用单元箱中的微波泄漏的微波检漏仪；所述微波检漏仪内置微波泄漏探测单元，所述微波泄漏探测单元的外部以Al2O3的材质包裹。本发明可以防止因真空泄漏事故而引起的品质事故及改善收率，可以防止因发生器泄漏事故而引起的周边设施微波损伤，可应用于半导体刻蚀设备中。
微波等离子体应用单元泄漏感知装置

[发明专利]工艺腔室及其清洁方法及晶圆传输方法-CN201911308920.9有效
发明人： 崔珍善;金根浩 -专利权人：夏泰鑫半导体（青岛）有限公司
申请日： 2019-12-18 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：一种工艺腔室，包括腔体及设于腔体内的静电夹盘，静电夹盘包括金属基座及托盘，托盘固定于金属基座上，用于吸附晶圆，静电夹盘开设多个升降孔，升降孔贯穿金属基座及托盘，每个升降孔内设有可升降的升降销，升降销用于将晶圆顶离托盘，升降销包括主体及盖部，盖部包括顶部及与顶部相连接的侧壁，顶部与侧壁形成一供主体的顶端插入的容置空间，盖部的高度大于托盘的厚度。本发明的的工艺腔室减小微电弧的发生概率，降低了晶圆对应于升降孔处的损伤。本发明还提供一种晶圆传输方法及工艺腔室清洁方法。
工艺及其清洁方法传输

[发明专利]一种可控制均匀性的排气孔调节装置及晶体加工设备-CN202111307443.1在审
发明人： 崔珍善 -专利权人：成都高真科技有限公司
申请日： 2021-11-05 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种可控制均匀性的排气孔调节装置，属于半导体加工的技术领域，该排气孔调节装置适配于晶体加工区，该排气孔调节装置包括：环绕于所述晶体加工区周围的第一排气孔板，所述第一排气孔板上布置有若干个排气孔；环绕于所述晶体加工区周围的第二排气孔板，所述第二排气孔板平行布置于第一排气孔板的正上方，且第二排气孔板配设有驱动其作升降运动的驱动机构；其中，通过调节第一排气孔板与第二排气孔板之间的距离以控制流经各所述排气孔的气流大小，以达到在晶体的加工过程中，随着晶圆时刻量的上升，达到时刻均匀性稳定化的目的。
一种控制均匀气孔调节装置晶体加工设备

[发明专利]半导体处理设备-CN201911136133.0有效
发明人：金建澔;崔珍善 -专利权人：夏泰鑫半导体（青岛）有限公司
申请日： 2019-11-19 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本公开提供了一种半导体处理设备。半导体处理设备包括具有内部空间的腔室主体；设置在内部空间中的基板支撑台座；气体出口构件，其位于内部空间内的基板支撑台座上方，具有多个分配喷嘴；及气体引导装置，位于气体出口构件和基板支撑台座之间。所述气体引导装置包括多个瓣元件，所述瓣元件可枢转地围绕所述气体出口构件的分配喷嘴布置并且彼此周向重叠，并被配置来动态地调节在基板支撑台座上的输出气体分布。
半导体处理设备

[发明专利]改善多晶硅膜层干法刻蚀速率稳定性的方法及刻蚀腔室-CN202110264549.1在审
发明人：金宗范;崔珍善;周娜;李俊杰;王佳;李琳 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司
申请日： 2021-03-11 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种改善多晶硅膜层干法刻蚀速率稳定性的方法及刻蚀腔室，属于半导体制造技术领域，解决了现有技术中在连续的刻蚀工艺中，随着刻蚀腔室刻蚀的晶圆数量的增加，腔室内壁吸附的氟离子会与溴化氢气体结合，造成对多晶硅膜质进行刻蚀的溴化氢含量的减少；在连续的刻蚀工艺中，随着刻蚀腔室刻蚀的晶圆数量的增加，刻蚀速率发生变化；因刻蚀速率的变化造成生产工艺良品率下滑和产品均一度下降的问题。本发明的改善多晶硅膜层干法刻蚀速率稳定性的方法，在刻蚀腔室内壁氟离子聚集区域设置氟离子捕获剂。实现了在连续刻蚀进程中保持刻蚀速率。
改善多晶硅膜层干法刻蚀速率稳定性方法

[实用新型]可控制晶圆边缘刻蚀量的半导体刻蚀设备及其调节装置-CN202221341805.9有效
发明人： 崔珍善 -专利权人：成都高真科技有限公司
申请日： 2022-05-31 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种可控制晶圆边缘刻蚀量的半导体刻蚀设备及其调节装置，该半导体刻蚀设备包括微波源、谐振腔以及调节装置，其中微波源用于产生微波并通过传输回路引入到谐振腔，谐振腔用于根据引入的微波产生高强磁场，使输入谐振腔内的气体分子电离产生等离子体，调节装置用于将谐振腔输出的等离子体扩散至晶圆进行刻蚀。调节装置由内层和外层组成，内层和外层均为倒置的漏斗形状，使一部分等离子体通过内层的内侧区域向晶圆中央扩散，另一部分等离子通过内层和外层之间的区域向晶圆边缘扩散，从而可提高晶圆边缘的刻蚀率，避免因晶圆边缘低刻蚀率引起产品缺陷，因此可提高产品成品率。
控制边缘刻蚀半导体设备及其调节装置

[实用新型]具有加热冷却功能的晶圆传输机器人-CN202221347444.9有效
发明人： 崔珍善 -专利权人：成都高真科技有限公司
申请日： 2022-05-31 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本实用新型公开了具有加热冷却功能的晶圆传输机器人，所述机器人包括移动装置和设置于所述移动装置上方的传输装置，所述传输装置包括：晶圆放置区域，所述晶圆放置区域包括晶圆存放槽；加热冷却单元，所述加热冷却单元设于所述晶圆放置区域下方；指令接收装置，所述指令接收装置设置于所述传输装置内部，用于接收外部指令；驱动装置，所述驱动装置设置于所述传输装置内部，用于驱动所述传输装置执行相应行为动作。本实用新型能够在运输晶圆的同时通过传输机器人内置的加热冷却单元对晶圆进行加热或冷却，解决晶圆加工温度到达前的初期刻蚀量不足以及加工结束后晶圆冷却过慢产生氧化膜导致废品率升高的问题。
具有加热冷却功能传输机器人

[发明专利]一种用于半导体制造的供气系统及供气方法-CN202110188869.3在审
发明人： 崔珍善;周娜;王佳;李琳;李俊杰 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司
申请日： 2021-02-19 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： F17D1/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于半导体制造的供气系统及供气方法，属于半导体技术领域，用以解决现有技术中供气系统无法对其是否处于被污染状态进行检测的问题。本发明的供气系统包括主气源、压缩气体配件和气体纯度分析仪，主气源通过压缩气体配件与晶圆处理设备的进气口连接，气体纯度分析仪设于压缩气体配件与晶圆处理设备的连接管路上。本发明的供气方法包括如下步骤：更换主气源和压缩气体配件后开启主气源或者在主气源供气过程中，开启气体纯度分析仪，检测主气源供气的气体纯度。本发明的供气系统和供气方法可用于晶圆制造。
一种用于半导体制造供气系统方法

[发明专利]一种半导体工艺设备、隔离阀及控制方法-CN202010419419.6有效
发明人： 崔珍善;李俊杰;李琳;王佳 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-05-18 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： F16K3/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体工艺设备、隔离阀及控制方法，设备包括：第一舱室和第二舱室；所述第一舱室和所述第二舱室之间设置有隔离阀；所述隔离阀包括：阀板、过滤模块、抽气模块和控制模块；所述控制模块与所述阀板连接，以带动所述阀板往返移动，从而连通或隔断所述第一舱室和所述第二舱室；所述抽气模块与所述过滤模块连接，以将杂质吸附至所述过滤模块。本发明提供的半导体工艺设备、隔离阀及控制方法，用以解决现有技术中的半导体工艺设备存在舱室易被杂质粒子污染的技术问题。实现了减少腔室、内部设备和晶圆污染，提高良率和减少设备损坏几率的技术效果。
一种半导体工艺设备隔离控制方法

[发明专利]一种晶圆处理装置及半导体制造设备-CN202011127842.5在审
发明人： 崔珍善;周娜;王佳;李琳;李俊杰 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司
申请日： 2020-10-19 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆处理装置及半导体制造设备，属于半导体制造技术领域，用以解决现有技术中转运腔室产生的微粒流入工艺腔室内的问题。该晶圆处理装置包括工艺腔室、转运腔室和隔离阀门；工艺腔室与转运腔室连接，隔离阀门设置在工艺腔室与转运腔室的连接部位，控制工艺腔室与转运腔室间的传送通道的开启和关闭；隔离阀门包括内板、过滤器、外板和驱动单元；过滤器设置在内板和外板之间；在晶圆加载或卸载前，驱动单元驱动内板和外板开启，过滤器对进入工艺腔室的气流进行过滤；在晶圆加载或卸载时，驱动单元驱动过滤器开启，工艺腔室与转运腔室之间的传送通道开启。本发明可降低晶圆缺陷、提高良率。
一种处理装置半导体制造设备

[发明专利]射频电源的谐波监控系统以及监控方法、半导体设备系统-CN202010485542.8在审
发明人： 崔珍善;周娜;李琳;李俊杰 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-06-01 - 公布日： 2020-08-28 - 主分类号： H02J3/01 文献下载
摘要：本发明公开了一种射频电源的谐波监控系统以及监控方法、半导体设备系统，该射频电源用于为铁氧体耦合感应等离子体工艺设备供电，该射频电源的谐波监控系统包括：与射频电源连接的谐波分析仪，谐波分析仪用于测定射频电源的谐波，获得射频电源的总谐波失真；与谐波分析仪连接的监视器，监视器用于实时显示总谐波失真。本发明提供的射频电源的谐波监控系统以及监控方法、半导体设备系统，可以实时对射频电源的谐波进行监测。
射频电源谐波监控系统以及方法半导体设备

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