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[发明专利]聚焦离子束装置的控制方法以及记录介质-CN201810125436.1有效
发明人：渡边敬司;峰利之;志知广康;森下真年 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2018-02-07 - 公布日： 2019-12-24 - 主分类号： H01J37/304 文献下载
摘要：本发明提供一种对基于FIB的加工时的加工位置偏差以及加工尺寸偏差进行补正的技术。聚焦离子束装置的控制方法具有：在第1加工视野中通过聚焦离子束的照射在试样表面形成第1加工图形的工序(S102)；基于第1加工图形的外形尺寸，决定接下来的第2加工视野的位置的工序(S103)；以及使台座移动到所决定的第2加工视野的位置的工序(S106、S107)。还具有：在第2加工视野中通过聚焦离子束的照射形成第2加工图形的工序(S108)。
加工聚焦离子束装置视野聚焦离子束控制程序照射尺寸偏差加工位置试样表面补正台座移动

[发明专利]超声波换能器及超声波检查装置-CN201680038034.7有效
发明人：町田俊太郎;峰利之;藤崎耕司;竹崎泰一;龙崎大介 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2016-05-16 - 公布日： 2019-12-06 - 主分类号： H04R19/00 文献下载
摘要：在静电电容检测型的超声波换能器中，由于超声波换能器的单元阵列的各单元的膜状物的膜厚偏差，导致单元阵列内的单元的器件特性变得不均匀。超声波换能器具备CMUT芯片(301)，CMUT芯片(301)包括：形成有多个单元的单元阵列区域CAR；以及与单元阵列区域CAR相邻接的周边区域PER，在单元阵列区域CAR配置梁结构体(201)，并且在周边区域PER配置相当于梁结构体(201)的多个图案结构体(311)。由此，将单元阵列区域CAR的单位表面积和周边区域PER的单位表面积的差减小。其结果，能够提高覆盖梁结构体(201)和图案结构体(311)的绝缘膜的膜厚的均匀性。
超声波换能器检查装置

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201380078189.X在审
发明人：毛利友纪;峰利之;三木浩史;松村三江子;滨村浩孝 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2013-07-16 - 公布日： 2016-03-30 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种在例如以SiC功率MOSFET为代表的使用禁带宽度比硅大的半导体材料的半导体装置中，确保与Si功率MOSFET近似的栅绝缘膜的可靠性的技术。为了实现该目的，在SiC功率MOSFET中，栅电极(GE)由与栅绝缘膜(GOX)接触地形成且厚度为200nm以下的多结晶硅膜(PF1)和与该多结晶硅膜(PF1)接触地形成且任意厚度的多结晶硅膜(PF2)构成。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]光CVD膜的制造方法及光CVD膜的制造装置-CN201310323455.2无效
发明人： 峰利之;藤森正成;松崎永二 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2013-07-25 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： C23C16/48 文献下载
摘要：本发明提供一种容易进一步提高膜厚的均匀性的光CVD膜的制造方法和制造装置。在光CVD膜的制造方法中，包括：工序(a)，向形成光CVD膜的反应室导入光CVD膜的原料气体，使反应室达到规定压力；工序(b)，在工序(a)之后，停止原料气体向反应室的导入以及原料气体从反应室的排气，向反应室照射光；以及工序(c)，在工序(b)之后，停止照射，然后对反应室进行排气，将工序(a)～工序(c)反复多次。
cvd 制造方法装置

[发明专利]成膜装置及成膜方法-CN201210445200.9无效
发明人：藤森正成;峰利之;大桥直史 -专利权人：株式会社日立高新技术;株式会社日立国际电气
申请日： 2012-11-08 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明提供一种成膜装置及成膜方法。光CVD装置(成膜装置)(1)通过对原料气体照射光而生成晶种，并通过使晶种在基板(2)上堆积而使膜成长，并且在光源(13)和保持基板(2)的样品台(基板保持部)(14)之间配置遮光板(遮光构件)(20)。遮光板(20)具有：与基板(2)的成膜面(2a)相对的背面(20a)、位于背面(20a)相反侧的表面(20b)、以及从背面(20a)及表面(20b)中的一方贯穿到另一方的多个贯穿孔(21)。此外，遮光板(20)的背面(20a)和基板(2)的成膜面(2a)的距离(C1)在原料气体的气体分子的平均自由行程以下。根据本发明，能够防止或抑制作为成膜对象物的基板的劣化。
装置方法

[发明专利]光半导体装置及其制造方法-CN201210097436.8无效
发明人： 峰利之;藤森正成;大桥直史 -专利权人：株式会社日立高新技术;株式会社日立国际电气
申请日： 2012-03-30 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：本发明提供一种在具有有机EL元件的设备中不使来自有机EL层的光提取效率恶化而阻水性和平坦化性高的密封膜及其制造方法。在具有从基板的主面侧起依次形成的阳极电极(103)、有机EL层(105)以及阴极电极(106)以及设置于基板上以覆盖该发光层的密封膜的设备中，密封膜包含交替地层叠作为平坦化膜的缓冲膜(108、110、112)以及阻水性高的缓冲膜(109、111)而成的层叠膜，平坦化膜以及阻挡膜包含氮氧化硅膜。另外，在设备的制造工序中，通过使用了真空紫外线的光CVD法来形成包含氮氧化硅的缓冲膜(108)，在该工序中在真空紫外线的照射过程中通过远程等离子体进行自由基照射(radical irradiation)。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]非易失性半导体存储装置及其制造方法-CN200810144935.1有效
发明人：滨村浩孝;柳至;峰利之 -专利权人：株式会社瑞萨科技
申请日： 2008-08-07 - 公布日： 2009-03-18 - 主分类号： H01L29/792 文献下载
摘要：本发明提供一种非易失性半导体存储装置及其制造方法的技术，该技术能够通过抑制金属氧化膜和夹持其上下的绝缘膜的相互扩散，提高使用金属氧化膜作为电荷蓄积膜的非易失性存储单元的电荷保持特性。存储单元MC1具有的电荷保持用绝缘膜4由从半导体衬底1的沟道区域侧依次形成下部绝缘膜4a、由金属氧化膜构成的电荷蓄积膜4c、及上部绝缘膜4e得到的层合膜构成，通过对下部绝缘膜4a进行等离子体氮化处理，在下部绝缘膜4a中的上表面侧形成氮浓度为1原子％以上且具有峰值的氮化区域4b，该氮化区域4b的厚度为0.5nm以上、1.5nm以下。
非易失性半导体存储装置及其制造方法

[发明专利]半导体存储器件及其制造方法-CN200810210991.0无效
发明人：石丸哲也;川岛祥之;岛本泰洋;安井感;有金刚;峰利之 -专利权人：株式会社瑞萨科技
申请日： 2008-08-20 - 公布日： 2009-02-25 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体存储器件，在包含选择用nMIS(Qnc)和在选择用nMIS(Qnc)的侧面隔着绝缘膜(6b)、(6t)和电荷存储层(CSL)形成的存储用nMIS(Qnm)的存储单元(MC1)中，将选择栅电极(CG)的栅极长度方向端部之下的栅极绝缘膜(4)的厚度形成得比栅极长度方向中央部之下的栅极绝缘膜(4)的厚度厚，并将位于选择栅电极(CG)和电荷存储层(CSL)之间、且最靠近半导体衬底(1)的下层绝缘膜(6b)的厚度形成为位于半导体衬底(1)和电荷存储层(CSL)之间的下层绝缘膜(6b)的厚度的1.5倍以下。能够在分割栅型MONOS存储单元中提高采用SSI方式进行写入时的抗干扰性。
半导体存储器件及其制造方法

[发明专利]非易失性半导体存储器件-CN200810095311.5无效
发明人：石丸哲也;岛本泰洋;峰利之;青木康伸;鸟羽功一;安井感 -专利权人：株式会社瑞萨科技
申请日： 2008-04-25 - 公布日： 2008-10-29 - 主分类号： H01L29/792 文献下载
摘要：本发明提供一种使数据保持特性提高的非易失性半导体存储器件。在通过热载流子注入来进行写入或者擦除的存储单元中，包括作为由电荷蓄积部的氮化硅膜(SIN)、位于其上下的氧化膜(BOTOX)、(TOPOX)的层叠膜构成的ONO膜；其上部的存储器栅电极(MG)；源极区域(MS)以及漏极区域(MD)，使包含在氮化硅膜(SIN)中的N－H键和Si－H键的总密度为5×10²⁰cm^－3以下。
非易失性半导体存储器件

[发明专利]超声波摄像装置-CN200680026787.2无效
发明人：东隆;梅村晋一郎;永田达也;福田宏;町田俊太郎;峰利之 -专利权人：株式会社日立医药
申请日： 2006-01-30 - 公布日： 2008-07-23 - 主分类号： A61B8/00 文献下载
摘要：以隔膜型的电声转换元件(101)为基本单位构成的超声波阵列换能器的接收灵敏度因漏泄等导致的电荷蓄积量的经时变化，主射束灵敏度偏移，导致声音噪声等级的上升引起声音SN比恶化或超声波射束的定向性恶化。故设置电荷蓄积控制部(电荷蓄积监视器(211))，进行电声转换元件(101)中电荷蓄积量的控制。以蓄积电荷监测部(102)监视电荷蓄积量的变化，在电荷蓄积量的变化小时，例如在控制部(104)中通过乘以与变化量对应的修正系数，从而进行送波或受波灵敏度的修正，再有在电荷蓄积量的变化大时，例如也可由蓄积电荷注入部(103)进行电荷的再注入。通过由控制部(104)来控制以上一系列动作，尤其修正多个元件间的经时变化的不同引起的灵敏度偏差。
超声波摄像装置

[发明专利]采用微型机电系统的开关-CN200610164502.3无效
发明人：福田宏;峰利之 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2006-12-06 - 公布日： 2007-06-13 - 主分类号： H01H59/00 文献下载
摘要：本发明提供一种双稳态MEMS开关，其小型、结构简单、可低电压驱动、保持状态长期稳定、且和半导体集成电路的混载容易。包括：衬底(101)、与上述衬底(101)隔着空气隙(103)地设置并由静电力引起弹性形变的膜片(134)、设置于衬底(101)的开关驱动电极(102)、以及设置于膜片(134)的开关驱动电极107。并且，电荷蓄积电极(105)位于开关驱动电极(102)和开关驱动电极(107)之间，并设置于膜片(134)。当在电荷蓄积电极(105)上蓄积了电荷时，电荷蓄积电极(105)和开关驱动电极(102)之间产生静电力(F)，膜片(134)变形。
采用微型机电系统开关

[发明专利]半导体器件-CN200610108919.8无效
发明人：佐野聪明;石井智之;龟代典史;峰利之 -专利权人：株式会社瑞萨科技
申请日： 2006-07-28 - 公布日： 2007-03-21 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件，在增益单元结构的存储单元中，能实现稳定的读出动作。本发明的半导体器件包括写入晶体管(Qw)，其具有：形成在绝缘层(6)上的源极(2)和漏极(3)；沟道(4)，由半导体构成，形成在绝缘层(6)上、并形成在源极(2)和漏极(3)之间；以及栅极(1)，形成在绝缘层(6)的上部、并形成在源极(2)和漏极(3)之间，与沟道(4)隔着栅极绝缘膜(5)而电绝缘，并控制沟道(4)的电位。沟道(4)在源极(2)和漏极(3)的侧面将源极(2)和漏极(3)电连接。
半导体器件

[发明专利]电声变换元件-CN200610105747.9有效
发明人：东隆;梅村晋一郎;永田达也;福田宏;町田俊太郎;峰利之 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2006-07-21 - 公布日： 2007-03-14 - 主分类号： H04R17/00 文献下载
摘要：提供一种电声变换元件，其特征在于，具有：在基板或者基板中形成的第一电极；以在上述基板上设置的硅或者硅化合物为基体材料的薄膜；在上述薄膜上或者薄膜中形成的第二电极；在上述第一电极和上述第二电极间设置的空隙层；将由上述第一电极和上述第二电极赋予的电荷蓄积的、在上述第一电极和上述第二电极间设置的电荷蓄积层；以及用来测量在上述电荷蓄积层中蓄积的电荷量的源电极和漏电极。由此可以减小半导体振膜型电声变换元件中因泄漏等引起的电荷蓄积量和电声变换效率的变化，防止以该电声变换元件为基本单位构成的超声波阵列变换器的主束灵敏度的漂移和声音SN比与超声波束指向性的劣化。
电声变换元件

[发明专利]电声转换元件、阵列型超声波转换器以及超声波诊断装置-CN200610002116.4有效
发明人：梅村晋一郎;东隆;永田达也;福田宏;峰利之;町田俊太郎 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2006-01-16 - 公布日： 2006-12-27 - 主分类号： H04R17/00 文献下载
摘要：本发明的目的在于在使膜片型电声转换元件的电声转换特性稳定的同时，降低使用该电声转换元件构成的超声波诊断装置的噪音级。由在硅底板(1)上所形成的下部电极(2)和在其上部夹持空隙部(4)的上部电极(6)形成的电容器单元(8)构成电声转换元件(9)，使用电气时间常数比1秒短且比10微秒长的材料，例如在化学计量方面过多包含硅的氮化硅形成在上部电极(6)的空隙部(4)一侧形成的电极短路防止膜(5)。其结果，电极短路防止膜(5)因为变得具有微弱的导电性，所以可以防止向电极短路防止膜(5)的带电或其漂移。其结果，电声转换元件(9)的电声转换特性稳定，而且超声波诊断装置的音响噪音级降低。
电声转换元件阵列超声波转换器以及诊断装置

[发明专利]半导体存储器件-CN200510078192.9无效
发明人：石井智之;峰利之;佐野聪明;龟代典史 -专利权人：株式会社瑞萨科技
申请日： 2005-06-16 - 公布日： 2005-12-28 - 主分类号： H01L27/105 文献下载
摘要：提供一种半导体存储器件。随着微细化的推进，尽管需求代替SRAM的半导体存储器，而课题是使与逻辑晶体管的工艺兼容性和低成本并存的半导体存储器的实现方法。本发明是在一种同一芯片内具有逻辑部和存储部的半导体器件中，存储部的单位存储单元至少具有两个晶体管，上述一个晶体管是进行存储电荷的存取的写入晶体管，上述另一个晶体管是依赖通过上述写入晶体管存取的存储电荷量来改变其源漏之间的导电性的读取晶体管，在上述读取晶体管中使用比逻辑部的晶体管更厚的栅绝缘膜，其特征在于，在上述读取晶体管中使用与逻辑部相同的扩散层结构。
半导体存储器件

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