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[发明专利]成膜装置、成膜方法、及电子器件的制造方法-CN202210659246.4在审
发明人： 岩崎达哉 -专利权人：佳能特机株式会社
申请日： 2022-06-13 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明涉及一种成膜装置，所述成膜装置由于能够利用简单的结构长时间连续地进行稳定的成膜，因此，生产性能优异。根据本发明的成膜装置(1)，圆筒状的靶(30)、以及在腔室(2)内支承靶(30)且具有与靶(30)在铅垂方向中的朝上的方向上相对的相对面(320)的大气箱(32)在相对于基板(10)在铅垂方向中的朝上的方向上相对的相对区域(A)与相对于基板(10)在铅垂方向上不相对的非相对区域(B)之间移动，能够变更磁场形成机构(4)形成磁场的方向，其中，当靶(30)和大气箱(32)处于相对区域(A)时，使磁场形成机构(4)位于在靶(30)与基板(10)之间形成磁场的成膜位置，当靶(30)和大气箱(32)处于非相对区域(B)时，使磁场形成机构(4)位于在靶(30)与大气箱(32)的相对面(320)之间形成磁场的非成膜位置。
装置方法电子器件制造

[发明专利]交通工具用座椅-CN201980019759.5有效
发明人：竹田雅一;冢田充;明珍惠多;岩崎达哉 -专利权人：株式会社泰极爱思
申请日： 2019-03-06 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： B60N2/68 文献下载
摘要：交通工具用座椅(10)具有被固定在交通工具的车身的座椅座垫(20)以及座椅靠背(30)。座椅靠背(30)具有：被形成为板状的第1部件(50)；以及其凸缘部(61)与第1部件(50)的厚度方向单面接触的帽形截面形状的第2部件(60)，在第1部件(50)的中央部设置有中央部突条(52)。中央部突条(52)在沿着第1部件(50)的厚度方向俯视时，第2部件(60)与中央部突条(52)的长度方向端部重叠。因此，能够防止座椅靠背(30)的第1部件(50)在中央部突条(52)的长度方向端部发生变形。
交通工具座椅

[发明专利]Ag合金圆筒形溅射靶、溅射装置和电子器件的制造方法-CN202110896278.1在审
发明人：小林孝博;仲野幸健;内田敏治;松本行生;岩崎达哉;菅原洋纪;青沼大介 -专利权人：松田产业株式会社;佳能特机株式会社
申请日： 2021-08-05 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明涉及Ag合金圆筒形溅射靶、溅射装置和电子器件的制造方法。一种Ag合金圆筒形溅射靶，包含Ag合金，其特征在于，以所述Ag合金圆筒形溅射靶的表层部为对象，使用CuKα射线在衍射角度(2θ)为30°～80°的范围内进行X射线衍射测定而得到的X射线衍射图案中，显示出源自Ag合金的晶面的多个峰，由各晶面的峰强度基于下式(1)计算出的晶体取向含有比均小于0.5。一种Ag合金圆筒形溅射靶的制造方法，其特征在于，包括：调节含有Ag和合金元素的合金熔液的工序、利用气体雾化法制作该合金雾化粉末的工序、和将该雾化粉末喷吹到作为圆筒形基体的背衬管上的工序。
ag 合金圆筒溅射装置电子器件制造方法

[发明专利]电子器件的制造方法、测定方法以及成膜装置-CN202110344993.4在审
发明人： 岩崎达哉;松本行生 -专利权人：佳能特机株式会社
申请日： 2021-03-31 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： C23C14/54 文献下载
摘要：本发明的电子器件的制造方法、测定方法以及成膜装置能够更准确地测定在基板上形成的膜的厚度，由此，准确地控制在基板的元件区域形成的膜的厚度。具有：在具有形成电子器件的元件区域以及与元件区域不同的测定区域的基板的测定区域，形成对光进行反射的反射层的反射层形成工序；以至少在测定区域中与反射层重叠的方式，在元件区域及测定区域形成第1膜的第1成膜工序；通过从第1膜一侧向反射层及第1膜照射光，测定第1膜的厚度的测定工序；以及在测定工序之后，至少在元件区域形成第2膜的第2成膜工序。
电子器件制造方法测定以及装置

[发明专利]成膜装置、成膜方法及电子器件的制造方法-CN202110347231.X在审
发明人： 岩崎达哉;安川英宏;锅岛健;松本行生;绪方俊宏;渡部新;菅原洋纪 -专利权人：佳能特机株式会社
申请日： 2021-03-31 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： H01L51/56 文献下载
摘要：本发明提供一种成膜装置、成膜方法、及电子器件的制造方法。在多个群集型单元连结的结构的成膜装置中，提供一种用于实现高精度的膜厚控制和高生产性的技术。成膜装置具备：具有对基板成膜出第一层的第一成膜室的群集型的第一单元；具有与第一层重叠地成膜出第二层的第二成膜室的群集型的第二单元；配设在第一单元与第二单元之间并将相邻的群集型的单元连结的连结室；至少一部分设置于连结室包含的通路室内，测定在通路室收容的基板上成膜的膜的膜厚的膜厚测定部；以及基于通过膜厚测定部测定的膜厚，控制第一成膜室的成膜条件及第二成膜室的成膜条件中的至少一方的控制部。
装置方法电子器件制造

[发明专利]成膜装置-CN202011507274.1在审
发明人： 岩崎达哉;内田敏治 -专利权人：佳能特机株式会社
申请日： 2020-12-18 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： C23C14/56 文献下载
摘要：本发明提供一种成膜装置，能够在不阻碍成膜源的移动的情况下稳定且再现良好地进行成膜。另外，实现成膜装置的耐久性的提高。成膜装置具有成膜室、成膜源以及连结构件，所述成膜源能够在所述成膜室内移动，所述连结构件连结所述成膜室的壁部和所述成膜源，向所述成膜源供给电力的配线插通于所述连结构件的内部，其中，所述连结构件具有至少一个移动体和将所述移动体与所述成膜室的壁部或所述成膜源连接的连接部，在所述连接部的内部设置有与所述配线连接的非接触送电受电线圈。
装置

[发明专利]包括含铟和锌的氧化物半导体材料的沟道的场效应晶体管-CN201410317457.5有效
发明人： 岩崎达哉;田透;板垣奈穗 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2006-09-05 - 公布日： 2018-11-23 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：这里公开了一种包括由包括In和Zn的氧化物半导体材料构成的沟道的场效应晶体管。通过In/(In+Zn)表达的原子组成比率不少于35原子％并且不多于55原子％。Ga不包括在氧化物半导体材料中，或者当Ga包括在其中时，将通过Ga/(In+Zn+Ga)表达的原子组成比率设置为30原子％或更低。所述晶体管具有改进的S值和场效应迁移率。
包括氧化物半导体材料沟道场效应晶体管

[发明专利]沟道刻蚀型薄膜晶体管及其制造方法-CN201110418044.2无效
发明人：柳沼诚一郎;岩崎达哉;林享;云见日出也;渡边昌也 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2011-12-15 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明涉及沟道刻蚀型薄膜晶体管及其制造方法。通过使用氧化物半导体在衬底上形成沟道层，并且随后在沟道层上形成包含In、Zn和Ga并且表现出比该氧化物半导体的刻蚀速率大的刻蚀速率的氧化物的牺牲层。其后，在牺牲层上形成源极电极和漏极电极，并且利用湿法刻蚀去除在源极电极和漏极电极之间露出的牺牲层。
沟道刻蚀薄膜晶体管及其制造方法

[发明专利]场效应晶体管和显示器-CN201110374817.1无效
发明人： 岩崎达哉;板垣奈穗 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2008-12-02 - 公布日： 2012-03-28 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明涉及场效应晶体管和显示器。所述场效应晶体管至少包括沟道层、栅绝缘层、源极电极、漏极电极和栅极电极。所述沟道层由包含In和Al的非晶氧化物材料In-Al-O形成。所述非晶氧化物材料的通过Al/(In+Al)表达的元素比为大于等于0.15且小于等于0.45。
场效应晶体管显示器

[发明专利]使用氧化物半导体的薄膜晶体管和显示器-CN200980103882.1有效
发明人：阿米达·高亚;板垣奈穗;岩崎达哉 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2009-01-30 - 公布日： 2010-12-29 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：薄膜晶体管包括在衬底上形成的栅电极、栅极绝缘层、沟道层、源电极和漏电极，其中：该沟道层含有铟、锗和氧；并且该沟道层具有0.5-0.97的由In/(In+Ge)表示的组成比。
使用氧化物半导体薄膜晶体管显示器

[发明专利]使用非晶氧化物的场效应晶体管-CN200980103002.0有效
发明人： 岩崎达哉;高亚阿米达;板垣奈穗 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2009-01-20 - 公布日： 2010-12-22 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：一种场效应晶体管，至少包括形成在基板上的沟道层、栅绝缘层、源极电极、漏极电极、以及栅极电极。所述沟道层以至少包含In和B的非晶氧化物材料制成，所述非晶氧化物材料具有等于或大于0.05并且等于或小于0.29的元素比率B/(In+B)。
使用氧化物场效应晶体管

[发明专利]非晶氧化物和场效应晶体管-CN200880123969.0有效
发明人：板垣奈穗;A·戈雅尔;岩崎达哉 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2008-12-25 - 公布日： 2010-12-08 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：一种非晶氧化物至少包含：选自由In、Zn和Sn构成的组的至少一种元素；和Mo。该非晶氧化物中的Mo对比所有金属原子的数量的原子组成比大于等于0.1原子％且小于等于5原子％。
氧化物场效应晶体管

[发明专利]氧化物场效应晶体管-CN200880120014.X有效
发明人： 岩崎达哉;板垣奈穗 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2008-12-02 - 公布日： 2010-11-24 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：一种场效应晶体管至少包括沟道层、栅绝缘层、源极电极、漏极电极和栅极电极。沟道层由至少包含In和Mg的非晶氧化物材料形成，非晶氧化物材料的通过Mg/(In+Mg)表达的元素比为大于等于0.1且小于等于0.48。
氧化物场效应晶体管

[发明专利]非晶氧化物膜的制造方法-CN201010203204.7有效
发明人： 岩崎达哉 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2006-09-05 - 公布日： 2010-10-13 - 主分类号： H01L21/363 文献下载
摘要：本发明涉及一种非晶氧化物膜的制造方法，所述非晶氧化物膜包含In或Zn，并且用作场效应晶体管的沟道层，所述方法包括以下步骤：在成膜设备中放置基底；以及在以各自的分压在成膜设备中引入氧气和氢气的同时，通过溅射成膜法在基底上形成所述非晶氧化物膜，其中用于所述氢气的分压为0.001至0.01Pa，用于所述氧气的分压为0.008至0.5Pa。
氧化物制造方法

[发明专利]场效应晶体管-CN200880105254.2有效
发明人： 岩崎达哉;板垣奈穗 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2008-08-29 - 公布日： 2010-08-04 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：提供一种场效应晶体管，该场效应晶体管包含栅电极(15)、源电极(13)、漏电极(14)和沟道层(11)，以通过向栅电极(15)施加电压控制在源电极(13)和漏电极(14)之间流动的电流。沟道层(11)由包含In和Si并且具有不小于0.05且不大于0.40的由Si/(In+Si)表示的成分比的非晶氧化物构成。
场效应晶体管

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