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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]具有非易失性存储器压力抑制的集成电路系统及制造方法-CN201710037064.2有效
发明人：北川真;对马朋人;大塚渉;囯广恭史 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2014-03-11 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： G11C11/4063 文献下载
摘要：本公开内容涉及具有非易失性存储器压力抑制的集成电路系统及制造方法。一种集成电路系统及其制造方法，包括：集成电路管芯；集成电路管芯中的非易失性存储器单元，所述非易失性存储器单元具有用于读取该非易失性存储器单元的数据条件状态的位线；以及集成电路管芯中的电压箝，所述电压箝具有连接到所述位线的、用于减小所述位线上的电压偏移的半导体开关。
具有非易失性存储器压力抑制集成电路系统制造方法

[发明专利]存储器单元开关装置-CN201880021813.5在审
发明人：保田周一郎;对马朋人 -专利权人：索尼公司
申请日： 2018-03-19 - 公布日： 2019-11-15 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：提供了具有多个存储器单元的存储器结构，每个存储器单元包括与开关装置结合的存储器装置。每个单元的存储器装置和开关装置串联连接，并且至少包括第一电极和第二电极。第一电极具有相对较高的电阻，以在存储器装置的操作期间提供减少的突然爆发电流。具有相对较高的电阻的第一电极可包含TiAlN或完全由TiAlN组成。
存储器装置第一电极存储器单元电阻存储器结构操作期间第二电极

[发明专利]存储器装置及存储器操作方法-CN201480032104.9有效
发明人：大塚涉;国广贵史;对马朋人;北川真;角野润 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2014-06-09 - 公布日： 2019-03-29 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本发明描述存储器装置及存储器操作方法。一个实例存储器系统包含共同导体及与所述共同导体耦合的多个存储器单元。所述存储器系统此外包含存取电路，所述存取电路经配置以在第一时刻与第二时刻之间的多个不同时刻将所述存储器单元的不同者提供到多个不同存储器状态中的一者中。所述存取电路经进一步配置以在所述第一时刻与所述第二时刻之间将所述共同导体维持在对应于所述一个存储器状态的电压电势处以将所述存储器单元提供到所述一个存储器状态中。
存储器装置操作方法

[发明专利]具有可变调整参数的存储器设备-CN201811240809.6在审
发明人：北川真;囯广恭史;大塚涉;对马朋人 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2015-02-09 - 公布日： 2019-02-19 - 主分类号： G11C16/20 文献下载
摘要：本发明涉及具有可变调整参数的存储器设备。所述存储器设备包括包含多个存储器单元的存储器阵列、耦接到所述存储器阵列的两个或更多个熔丝，其中所述两个或更多个熔丝的每一个包含用于所述存储器阵列的调整数据和用于选择两个或多个熔丝中的要启动的一个熔丝的模式寄存器。
熔丝存储器设备存储器阵列可变调整存储器单元模式寄存器调整数据

[发明专利]具有可变调整参数的存储器设备-CN201510065492.7有效
发明人：北川真;囯广恭史;大塚涉;对马朋人 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2015-02-09 - 公布日： 2018-11-20 - 主分类号： G11C17/16 文献下载
摘要：本发明涉及具有可变调整参数的存储器设备。所述存储器设备包括包含多个存储器单元的存储器阵列、耦接到所述存储器阵列的两个或更多个熔丝，其中所述两个或更多个熔丝的每一个包含用于所述存储器阵列的调整数据和用于选择两个或多个熔丝中的要启动的一个熔丝的模式寄存器。
具有可变调整参数存储器设备

[发明专利]具有非易失性存储器压力抑制的集成电路系统及制造方法-CN201410086816.0有效
发明人：北川真;对马朋人;大塚渉;囯广恭史 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2014-03-11 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：本公开内容涉及具有非易失性存储器压力抑制的集成电路系统及制造方法。一种集成电路系统及其制造方法，包括集成电路管芯；集成电路管芯中的非易失性存储器单元，所述非易失性存储器单元具有用于读取该非易失性存储器单元的数据条件状态的位线；以及集成电路管芯中的电压箝，所述电压箝具有连接到所述位线的、用于减小所述位线上的电压偏移的半导体开关。
具有非易失性存储器压力抑制集成电路系统制造方法

[发明专利]存储设备和用于操作该存储设备的操作方法-CN201210026986.0有效
发明人：北川真;椎本恒则;对马朋人 -专利权人：索尼公司
申请日： 2012-02-08 - 公布日： 2012-08-15 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：提供了存储设备和用于操作该存储设备的操作方法。该存储设备包含：多个存储元件，配置为其阻抗状态根据施加的电压变化；和驱动部分，配置为执行阻抗变化操作和读操作，阻抗变化操作涉及通过改变其阻抗状态将信息写到存储元件或者从存储元件擦除信息，读操作涉及从存储元件读信息；其中驱动部分包括：放大器，配置为在执行读操作时输出读信号；恒流负载；以及控制部分，配置为对存储单元执行阻抗变化操作和直接确认操作，直接确认操作涉及在阻抗变化操作之后执行读操作，以确认将信息写入存储元件或者从存储元件擦除信息是否正常完成。
存储设备用于操作操作方法

[发明专利]非易失性半导体存储器件-CN201110034215.1无效
发明人：北川真;椎本恒则;对马朋人 -专利权人：索尼公司
申请日： 2011-02-01 - 公布日： 2011-08-24 - 主分类号： G11C7/06 文献下载
摘要：一种非易失性半导体存储器件，包括：存储元件，其中存储元件的两个电极之间的电荷放电速率根据所存储的信息的逻辑值而不同；单元布线，连接到存储元件的一个电极；感测放大器，具有连接到单元布线的感测节点，该感测放大器通过将感测节点的电位与基准电位进行比较来读取信息的逻辑值；以及读出控制电路，能够在动态感测操作与静态感测操作之间切换，所述动态感测操作通过预充电单元布线并经由存储元件对单元布线放电或充电来执行读出，所述静态感测操作在电流负载连接到感测节点的状态下执行读出。
非易失性半导体存储器件

[发明专利]存储装置及信息再记录方法-CN200880119294.2有效
发明人： 对马朋人;椎本恒则;保田周一郎 -专利权人：索尼公司
申请日： 2008-12-11 - 公布日： 2010-11-17 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种存储装置和信息再记录方法。该存储装置能够减少多值记录时进行校验所需的循环数。将校验时的开关晶体管的栅极和源极之间的电位差VGS设定为根据多值信息的电阻值等级变化的值。在写入侧执行3值记录的情况下，当“01”是信息时，将初始值VGS01设定为小于与目标电阻值等级“01”对应的VGS＝1.7V，而当“00”为信息时，将值设定为低于与目标电阻值等级“00”对应的VGS＝2.2V而高于上述的VGS01。这可以减少校验过程中所需的循环数。
存储装置信息记录方法

[发明专利]存储装置及信息再记录方法-CN200880119293.8无效
发明人：椎本恒则;对马朋人;保田周一郎 -专利权人：索尼公司
申请日： 2008-12-11 - 公布日： 2010-11-17 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种能够减少需要控制的电压的数目并能够减小外围电路尺寸的存储装置。从第一电源(21)通过位线BLR向可变电阻元件(10)的电极(11)供给第一脉冲电压(VBLR)。从第二电源(22)通过字线WL向晶体管(20)的控制端子(20c)供给用于选择单元的第二脉冲电压(VWL)。从第三电源(23)通过位线BLT向晶体管(20)的第二输入/输出端子(20b)供给第三脉冲电压(VBLT)。在重写信息时，通过调整电路(24)来调整第三电源(23)的电压值(VBLT)。从而，改变(增大或降低)了单元电压和单元电流。
存储装置信息记录方法

[发明专利]非易失性半导体存储装置及执行校验写入操作的方法-CN201010108132.8有效
发明人：椎本恒则;北川真;对马朋人 -专利权人：索尼公司
申请日： 2010-01-29 - 公布日： 2010-08-11 - 主分类号： G11C16/02 文献下载
摘要：本文公开了一种非易失性半导体存储装置及在其上执行校验写入操作的方法，该非易失性半导体存储装置包括多个存储单元和驱动器电路，该驱动器电路被配置成以周期执行校验写入操作，包括从多个存储单元的阵列中选择用于构成写入单元单位的预定数量的存储单元、将数据集体地写入预定数量的存储单元以及校验写入的数据，该驱动器电路还重复地执行校验写入操作，直到写入单元单位内的所有存储单元都通过了校验为止。
非易失性半导体存储装置执行校验写入操作方法

[发明专利]存储元件-CN200580024194.8有效
发明人：荒谷胜久;对马朋人;成泽浩亮;大塚涉;八野英生 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2005-07-08 - 公布日： 2007-06-27 - 主分类号： H01L27/10 文献下载
摘要：提供了一种其构造能够容易以高密度制造的存储元件。该存储元件包括两个电极(1、4)之间的记录层(2、3)，且向两个电极(1、4)施加不同极性的电势，从而由电阻变化元件(10)构造存储单元，用于可逆地改变记录层(2、3)的电阻值。在多个相邻的存储单元中，至少一部分构成电阻变化元件(10)的记录层的层(2、3)是由相同层共同形成的。
存储元件

[发明专利]存储器件和半导体器件-CN200510114006.2无效
发明人：长尾一;八野英生;相良敦;森宽伸;岡崎信道;大塚涉;对马朋人;中岛智惠子 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2005-10-13 - 公布日： 2006-05-31 - 主分类号： G11C11/15 文献下载
摘要：一种存储器件，包括：存储元件，具有这样的特性：作为被施加大于或等于第一门限信号的电信号的结果，其电阻值从高状态向低状态改变，并且作为被施加大于或等于第二门限信号的电信号的结果，其电阻值从低状态向高状态改变，其中所述第二门限信号的极性与第一门限信号的极性不同；以及电路元件，与存储元件串联，并且作为负荷，所述存储元件和电路元件形成存储单元，并且多个所述存储单元以矩阵排列，其中，在读取存储元件时的电路元件的电阻值与在写入或擦除存储元件时的电阻值不同。
存储器件半导体器件

[发明专利]存储装置及半导体装置-CN200510107643.7有效
发明人：八野英生;冈崎信道;大塚涉;对马朋人;相良敦;中岛智惠子;森宽伸;长尾一 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2005-09-29 - 公布日： 2006-05-10 - 主分类号： G11C11/34 文献下载
摘要：一种存储装置，包括存储器件，所述存储器件每个都具有存储元件，所述存储元件具有如下特性：不低于第一阈值信号的电信号的施加，允许存储元件从高电阻值状态转换到低电阻值状态，以及不低于第二阈值信号的电信号的施加，允许存储元件从低电阻值状态转换到高电阻值状态，所述第二阈值信号具有与第一阈值信号不同的极性；所述存储器件每个都具有电路元件，与存储元件串联以作为负载，其中，存储器件以矩阵排列，且每个存储器件的端子之一与公共线连接；并且其中向公共线施加在电源电势和接地电势之间的中间电势。
存储装置半导体

[发明专利]存储器件-CN200510069728.0有效
发明人： 对马朋人;荒谷胜久;河内山彰 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2005-01-28 - 公布日： 2005-11-16 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：一种存储器件，其中可以进行稳定的信息记录且可以缩短记录信息需要的时间。该存储器件包括由具有其中当向存储元件Amn两端之间施加等于或大于阈值电压的电压时电阻值变化的特性的存储元件Amn构成的存储单元C，和作为负载串联连接到存储元件Amn的电路元件Tmn；且当从高阻值状态向低阻值状态改变存储元件Amn的操作被定义为写入时，和当施加到存储元件Amn和电路元件Tmn两端之间的电压等于或大于某一大于阈值电压的电压值时，存储器件具有其中存储单元C中的存储元件Amn和电路元件Tmn的组合电阻值变成几乎无关于施加电压的幅度的常数值。
存储器件

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