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[发明专利]多晶硅熔化参数的检测方法、多晶硅、单晶硅及其制造方法-CN201910473292.3有效
发明人： 宮尾秀一 -专利权人：西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日： 2019-05-31 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： G01N23/20008 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种多晶硅熔化参数的检测方法、多晶硅、单晶硅及其制造方法，多晶硅熔化参数的检测方法包括：提供多个满足预设要求的多晶硅试样；对所述多个多晶硅试样分别进行衍射分析，确定指定的米勒指数面hkl衍射强度的变动量；根据指定的米勒指数面hkl衍射强度的变动量，确定所述多晶硅试样的熔化参数。这样可以筛选出熔化性能好的硅块，并将筛选得到的硅块作为生产单晶硅的原料，可以防止在CZ单晶硅制作过程时出现结晶线紊乱现象，可以提高单晶硅的质量和生产效率。
多晶熔化参数检测方法单晶硅及其制造

[发明专利]多晶硅选择方法、多晶硅及其在直拉法中的应用-CN201910414330.8有效
发明人： 宮尾秀一 -专利权人：西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日： 2019-05-17 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： G01N23/207 文献下载
摘要：本发明涉及硅制造领域，特别涉及多晶硅选择方法、多晶硅及其在直拉法中的应用。所述多晶硅选择方法，包括以下步骤：将多晶硅原料切割为多晶硅板；对所述多晶硅板的表面进行研磨处理及蚀刻处理，得到多晶硅试样；在荧光灯条件下，对所述多晶硅试样的表面进行观察，根据所述多晶硅试样的表面形态特征，判断并选择最适合用于直拉法的多晶硅原料。该多晶硅选择方法，可以通过肉眼直接观察的方式，判断并选择出较为适合用于直拉法的多晶硅原料，所述方法简单、快速、明确，且判断的准确率高。本发明选择出的多晶硅原料经过直拉法生产单晶硅时，融化速度快，较少出现错乱，解决了由于多晶硅原料筛选不当导致的单晶硅的质量差、生产效率低的问题。
多晶选择方法及其直拉法中的应用

[发明专利]蚀刻装置及蚀刻装置的工作方法-CN201910476381.3有效
发明人： 宮尾秀一 -专利权人：西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日： 2019-06-03 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： C30B35/00 文献下载
摘要：本发明涉及单晶硅制备设备领域，尤其涉及蚀刻装置及蚀刻装置的工作方法。所述蚀刻装置，包括蚀刻槽，所述蚀刻槽的侧壁的下部设置有蚀刻液出口，所述蚀刻槽的侧壁的上部设置有蚀刻液入口；所述蚀刻槽的底部设置有第一阀门；硅块收纳容器，所述硅块收纳容器设置于所述蚀刻槽内；设置在所述硅块收纳容器与所述蚀刻槽底部之间的筛网；所述硅块收纳容器与所述筛网之间的空间用于硅块下落；碎片捕捉器；第一管路；所述第一管路上设置有第二阀门；可监测冲程往返时间的泵；第二管路；以及第三管路。本发明有效减少原料硅块在阀门、配管及泵处的堵塞机率，提高清洗装置的简便性及安全性，从而达到提高生产效率，节约成本的目的。
蚀刻装置工作方法

[发明专利]减少硅块表面有机物的方法及单晶硅的制备方法-CN201910475513.0有效
发明人： 宮尾秀一;同嘉锡 -专利权人：西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日： 2019-06-03 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： C30B35/00 文献下载
摘要：本发明涉及多晶硅领域，尤其涉及减少硅块表面有机物的方法及单晶硅的制备方法。所述减少硅块表面有机物的方法，包括以下步骤：在特氟龙板上将硅锭破碎成硅块，然后利用所述特氟龙板将所述硅块运送至蚀刻容器的上方；倾斜所述特氟龙板使所述硅块滑落入所述蚀刻容器内；在所述蚀刻容器内对所述硅块进行蚀刻处理，蚀刻处理后排出蚀刻液；将包装袋套于所述蚀刻容器的开口处，翻转所述蚀刻容器，使所述蚀刻处理后的硅块直接落入包装袋内，完成包装。本发明完全实现了无手套化操作，同时避免了机械手等运送硅块时产生的磨损。实验结果表明，本发明的方法可有效减少原料硅块表面的有机物浓度。
减少表面有机物方法单晶硅制备

[发明专利]用于硅系材料蚀刻处理的除热装置及除热装置的工作方法-CN201910285003.7在审
发明人： 宮尾秀一 -专利权人：西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日： 2019-04-10 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： C30B35/00 文献下载
摘要：本发明涉及单晶硅制备技术领域，具体涉及用于硅系材料蚀刻处理的除热装置及除热装置的工作方法。用于硅系材料蚀刻处理的除热装置，包括试剂槽；设置于试剂槽内的第一换热器；以及冷凝器，在所述试剂槽与冷凝器之间设置有中间换热槽；所述第一换热器内流通的介质为水，所述第一换热器的进水口与出水口均与中间换热槽连接，以形成循环回路；所述中间换热槽内设置有第二换热器，且所述中间换热槽内填充有水；所述第二换热器与中间换热槽以外的冷凝器连接。本发明所述除热装置，除热效果好，安全性好，各部件使用寿命长。
用于材料蚀刻处理装置工作方法

[发明专利]一种硅片中重金属的处理分析方法及处理装置-CN201910477207.0在审
发明人： 宮尾秀一;张婉婉 -专利权人：西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日： 2019-06-03 - 公布日： 2019-08-30 - 主分类号： G01N27/62 文献下载
摘要：本发明提供一种硅片中重金属的处理分析方法及处理装置，处理分析方法包括以下步骤：在结晶方位上对待处理硅片进行切割，得到包括检测区域的样品硅片；对样品硅片的表面进行清洗；将清洗后的样品硅片置于硝酸和氢氟酸的混合蒸汽中进行溶解，得到样品硅片处理液。本发明的处理分析方法中，在结晶方位上对待处理硅片进行切割，得到包括检测区域的样品硅片，对样品硅片的表面进行清洗，将清洗后的样品硅片置于硝酸和氢氟酸的混合蒸汽中进行溶解，得到样品硅片处理液，通过上述方法能够减少硅片的污染，便于后续硅片分析时提高检测结果的精确度，减少硝酸和氢氟酸的用量，不需要高纯度的硝酸和氢氟酸，降低成本，简化分析操作过程，效率高。
硅片硝酸氢氟酸清洗处理装置硅片处理混合蒸汽检测区域结晶方位分析重金属切割溶解分析操作过程检测结果高纯度污染

[发明专利]一种硅块的处理方法和处理装置-CN201910475524.9在审
发明人： 宮尾秀一 -专利权人：西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日： 2019-06-03 - 公布日： 2019-08-23 - 主分类号： C30B33/10 文献下载
摘要：本发明提供一种硅块的处理方法和处理装置，硅块的处理方法包括：在对硅块表面进行酸蚀刻之前，将所述硅块浸于盛有硝酸溶液和/或乙酸溶液的清洗槽中，以去除所述硅块表面的硅烷醇基。根据本发明的硅块的处理方法，在对硅块表面进行酸蚀刻之前，将硅块浸于盛有硝酸溶液和/或乙酸溶液的清洗槽中，以去除硅块表面的硅烷醇基，避免硅烷醇基对后续刻蚀的影响，减少对刻蚀工序中刻蚀液的影响，延长刻蚀液的使用时间，减少刻蚀液的更换次数，提高生产效率。
硅块硅块表面硅烷醇基刻蚀液处理装置硝酸溶液乙酸溶液清洗槽酸蚀刻去除刻蚀工序生产效率刻蚀

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