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[发明专利]光电子器件的制造-CN201880077776.X有效
发明人：托马斯·施瓦茨;安德烈亚斯·普洛斯尔;约尔格·佐尔格 -专利权人：欧司朗OLED股份有限公司
申请日： 2018-11-23 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于制造光电子器件的方法。所述方法包括：提供金属载体，其中载体具有前侧和与前侧相反的后侧；在前侧上移除载体材料，使得载体在前侧的区域中具有突出的载体部段和在其之间设置的凹陷部；构成邻接于载体部段的塑料体；将光电子半导体芯片设置在载体部段上；在凹陷部的区域中在后侧上移除载体材料，使得载体结构化为分离的载体部段；和进行分割。在此，将塑料体在分离的载体部段之间切开并且形成具有至少一个光电子半导体芯片的分割的光电子器件。此外，本发明涉及一种光电子器件。
光电子器件制造

[发明专利]用于制造光电子半导体器件的方法和光电子半导体器件-CN201880007156.9有效
发明人： 安德烈亚斯·普洛斯尔;西格弗里德·赫尔曼;马丁·鲁道夫·贝林格;弗兰克·辛格;托马斯·施瓦茨;亚历山大·F·普福伊费尔 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2018-01-12 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：提出一种方法，设计用于制造光电子半导体器件并且包括如下步骤：A)提供源衬底(21，22，23)，其中每个源衬底(21，22，23)装配有特定类型的发射辐射的半导体芯片(41，42，43)；B)提供具有安装平面(30)的目标衬底(3)；C)在目标衬底(3)上或在至少一个源衬底(21，22，23)上产生平台(52，53)；以及D)将至少一部分的半导体芯片(41，42，43)借助晶片间工艺从源衬底(21，22，23)传递到目标衬底(3)上，使得传递到目标衬底(3)上的半导体芯片(41，42，43)在一种类型之内保持其彼此间的相对位置，并且目标衬底(3)上的每种类型的半导体芯片(41，42，43)由于平台(52，53)在安装平面(30)之上具有不同的高度(H1，H2，H3)。
用于制造光电子半导体器件方法

[发明专利]用于制造半导体器件的方法-CN202211421987.5在审
发明人： 安德烈亚斯·普洛斯尔;诺温·文马尔姆;多米尼克·斯科尔茨;克里斯托弗·施瓦茨迈尔;马丁·鲁道夫·贝林格;亚历山大·F·普福伊费尔 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2017-12-15 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：根据用于制造半导体器件的方法的至少一个实施方式，该方法包括如下方法步骤：其中将具有第一横向热膨胀系数的辅助载体施加在半导体本体的第一侧上。此外，该方法包括如下方法步骤：其中将具有第二横向热膨胀系数的连接载体施加在所述半导体本体的第二侧上，所述第二侧背离所述辅助载体。在此，所述半导体本体施加在与所述辅助载体不同的生长衬底上，所述第一横向热膨胀系数和所述第二横向热膨胀系数相差最多50％，以及在施加所述辅助载体(40)之前去除所述生长衬底(30)。
用于制造半导体器件方法

[发明专利]用于制造半导体器件的方法-CN201780077998.7有效
发明人： 安德烈亚斯·普洛斯尔;诺温·文马尔姆;多米尼克·斯科尔茨;克里斯托弗·施瓦茨迈尔;马丁·鲁道夫·贝林格;亚历山大·F·普福伊费尔 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2017-12-15 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：根据用于制造半导体器件的方法的至少一个实施方式，该方法包括如下方法步骤：其中将具有第一横向热膨胀系数的辅助载体施加在半导体本体的第一侧上。此外，该方法包括如下方法步骤：其中将具有第二横向热膨胀系数的连接载体施加在所述半导体本体的第二侧上，所述第二侧背离所述辅助载体。在此，所述半导体本体施加在与所述辅助载体不同的生长衬底上，所述第一横向热膨胀系数和所述第二横向热膨胀系数相差最多50％，以及在施加所述辅助载体(40)之前去除所述生长衬底(30)。
用于制造半导体器件方法

[发明专利]半导体激光器和用于制造这种半导体激光器的方法-CN202111030865.9在审
发明人：胡贝特·哈尔布里特;安德烈亚斯·普洛斯尔;罗兰德·海因里希·恩茨曼;马丁·鲁道夫·贝林格 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2018-01-09 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：在一个实施方式中，半导体激光器(1)包括表面发射的半导体激光器芯片(4)，所述半导体激光器芯片具有：半导体层序列(40)，所述半导体层序列具有用于产生激光辐射(L)的有源区(41)；和光出射面(44)，所述光出射面垂直于半导体层序列(4)的生长方向(G)取向。此外，半导体激光器(1)包含衍射光学元件(3)，所述衍射光学元件设计用于扩宽和分配激光辐射(L)，使得半导体激光器(1)优选是人眼安全的。衍射光学元件(3)的光学有效结构(33)由具有至少1.65或2.0的折射率的材料构成。
半导体激光器用于制造这种方法

[发明专利]半导体激光器和用于制造这种半导体激光器的方法-CN201880007155.4有效
发明人：胡贝特·哈尔布里特;安德烈亚斯·普洛斯尔;罗兰德·海因里希·恩茨曼;马丁·鲁道夫·贝林格 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2018-01-09 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：在一个实施方式中，半导体激光器(1)包括表面发射的半导体激光器芯片(4)，所述半导体激光器芯片具有：半导体层序列(40)，所述半导体层序列具有用于产生激光辐射(L)的有源区(41)；和光出射面(44)，所述光出射面垂直于半导体层序列(4)的生长方向(G)取向。此外，半导体激光器(1)包含衍射光学元件(3)，所述衍射光学元件设计用于扩宽和分配激光辐射(L)，使得半导体激光器(1)优选是人眼安全的。衍射光学元件(3)的光学有效结构(33)由具有至少1.65或2.0的折射率的材料构成。
半导体激光器用于制造这种方法

[发明专利]用于制造光电子器件的方法和光电子器件-CN201980088661.5在审
发明人： 安德烈亚斯·普洛斯尔 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2019-12-20 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：提出一种用于制造光电子器件(1)的方法，所述方法具有如下步骤：‑提供具有功能性半导体层(3)和生长层(5)的半导体晶片(2)，所述功能性半导体层具有电子控制元件(4)；‑在半导体晶片(2)中产生多个凹部(6)，所述凹部使生长层(5)局部地露出；以及‑在露出的生长层(6)上外延生长多个半导体层堆(7)。此外，提出一种光电子器件(1)。
用于制造光电子器件方法

[发明专利]用于转移半导体芯片的转移工具和方法-CN201980071907.8在审
发明人： 安德烈亚斯·普洛斯尔 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2019-10-24 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：提出一种用于转移半导体芯片(2)的转移工具(1)，所述转移工具具有：‑粘性压模(3)，所述粘性压模(3)具有用于容纳所述半导体芯片(2)的粘附面(4)，和‑用于调节粘附面(4)的面积的装置(15)，其中‑所述粘性压模(3)构成为可变形的，‑所述粘附面(4)通过所述粘性压模(3)的外面的一部分形成，和‑所述粘附面(4)的面积能够通过所述粘性压模(3)的变形来调节。此外，提出一种用于转移半导体芯片(2)的方法。
用于转移半导体芯片工具方法

[发明专利]用于将半导体芯片固定在基板上的方法和电子器件-CN201880039332.7在审
发明人：克劳斯·穆勒;安德烈亚斯·普洛斯尔;马蒂亚斯·文特 -专利权人：欧司朗OLED股份有限公司
申请日： 2018-06-06 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：提出一种用于将半导体芯片(1)固定在基板(3)上的方法。方法包括如下方法步骤：A)提供半导体芯片(1)，B)将焊料金属层序列(2)施加到半导体芯片(1)上，C)提供基板(3)，D)将金属化层序列(4)施加到基板(3)上，E)将半导体芯片(1)经由焊料金属层序列(2)和金属化层序列(4)施加到基板(3)上，F)加热通过E)产生的用于将半导体芯片(1)固定在基板(3)上的装置，其中焊料金属层序列(2)包括：‑包含铟锡合金的第一金属层(2a)，‑在第一金属层(2a)之上设置的阻挡层(2b)和‑设置在阻挡层(2b)和半导体芯片(1)之间的包括金的第二金属层(2c)，其中在第二金属层中的金的物质量比在第一金属层中的锡的物质量更大。
半导体芯片基板第一金属层焊料金属第二金属层金属化层阻挡层施加物质量比铟锡合金加热

[发明专利]用于制造光电子器件的方法和光电子器件-CN201880017240.9在审
发明人：诺温·文马尔姆;安德烈亚斯·普洛斯尔 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2018-03-06 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于制造光电子器件(100)的方法，所述方法具有如下步骤：A)提供衬底(1)，B)提供金属液体(2)，所述金属液体结构化地设置在衬底(1)上并且具有至少一种第一金属(Me1)，C)提供半导体芯片(3)，所述半导体芯片分别在其背侧(31)上具有金属封闭层(4)，其中金属封闭层具有至少一种与第一金属(Me1)不同的第二金属(Me2)，以及D)将半导体芯片(3)自组织地设置(5)到金属液体(2)上，使得第一金属(Me1)和第二金属(Me2)构成至少一种金属间化合物(6)，所述金属间化合物与金属液体(2)的熔化温度相比具有更高的再熔化温度，其中金属间化合物(6)用作为在衬底(1)与半导体芯片(3)之间的连接层。
半导体芯片金属液体金属间化合物金属光电子器件衬底金属封闭熔化结构化地连接层再熔化自组织制造

[发明专利]发射光的半导体器件-CN201710080866.1有效
发明人：马蒂亚斯·扎巴蒂尔;安德烈亚斯·普洛斯尔;汉斯-于尔根·卢高尔;亚历山大·林科夫;帕特里克·罗德 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2012-03-07 - 公布日： 2019-05-10 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：提出一种发射光的半导体器件，其具有：第一半导体本体(1)，所述第一半导体本体包括有源区(11)，在发射光的半导体器件工作时在所述有源区中产生电磁辐射，所述电磁辐射至少部分地穿过辐射出射面(1a)而离开第一半导体本体(1)；以及第二半导体本体(2)，所述第二半导体本体适合于将电磁辐射转换为经转换的具有更小波长的电磁辐射，其中第一半导体本体(1)和第二半导体本体(2)相互分开制成，第二半导体本体(2)是电无源的，并且第二半导体本体(2)与辐射出射面(1a)直接接触，并且在那里无连接剂地固定在第一半导体本体(1)上。
发射半导体器件

[发明专利]发射辐射的半导体芯片和用于制造发射辐射的半导体芯片的方法-CN201480054816.0有效
发明人： 安德烈亚斯·普洛斯尔;黑里贝特·齐尔 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2014-08-29 - 公布日： 2018-06-01 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：一种具有半导体本体(2)和载体(5)的发射辐射的半导体芯片(1)，所述半导体本体具有半导体层序列(200)、第一传导类型的第一半导体层(21)和与第一传导类型不同的第二传导类型的第二半导体层(22)，其中所述半导体层序列具有设置用于产生辐射的有源区域(20)，其中半导体本体设置在所述载体上，其中在所述载体中构成有pn结(55)；载体在背离半导体本体的后侧(501)上具有第一接触部(61)和第二接触部(62)；以及有源区域和pn结经由第一接触部和第二接触部关于导通方向彼此反并联地连接。此外，本发明提出一种用于制造发射辐射的半导体芯片的方法。
半导体本体半导体芯片发射辐射传导类型半导体层序列半导体层源区域地连接反并联导通制造背离辐射

[发明专利]借助于等温凝固反应来连接接合配对件以形成In‑Bi‑Ag连接层的方法和接合配对件的相应装置-CN201480018514.8有效
发明人： 安德烈亚斯·普洛斯尔 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2014-03-24 - 公布日： 2018-03-23 - 主分类号： H01L23/62 文献下载
摘要：提出一种用于连接接合配对件(1，2)、例如光电子半导体芯片(例如发光二极管芯片)和电路板或金属导体框的方法，所述方法具有下述步骤提供第一接合配对件(1)和第二接合配对件(2)；将第一层序列(10)施加到第一接合配对件(1)上，所述第一层序列包括至少一个包含银或由银构成的层(11，15)；将第二层序列(20)施加到第二接合配对件(2)上，所述第二层序列包括至少一个包含铟和铋的层(29)或者包含铟的层(23)和包含铋的层(22，24)；在最高120℃的接合温度下，在预设的接合时间中，利用接合压强(p)将第一层序列(10)和第二层序列(20)在其分别背离第一接合配对件(1)和第二接合配对件(2)的端面上加压到一起，其中第一层序列(10)和第二层序列(20)熔化成连接层(30)，所述连接层直接邻接于第一接合配对件和第二接合配对件并且其熔化温度至少为260℃。
借助于等温凝固反应连接接合配对形成 in bi ag 方法相应装置

[发明专利]光电子器件和用于制造光电子器件的方法-CN201680031107.X在审
发明人：亚历山大·F·普福伊费尔;诺温·文马尔姆;斯特凡·格勒奇;安德烈亚斯·普洛斯尔 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2016-05-24 - 公布日： 2018-02-06 - 主分类号： H01L33/08 文献下载
摘要：光电子器件(100)具有半导体芯片(1)，所述半导体芯片划分成多个沿横向方向彼此并排设置的、可单独且独立操控的像点(10)。器件(100)还包括金属的连接元件(2)，所述连接元件具有上侧(20)和下侧(21)，其中半导体芯片(1)在支承区域中与连接元件(2)的上侧(20)直接接触并且与所述连接元件机械稳定地连接。连接元件(2)具有连贯的、金属的连接层(22)，所述连接层由多个沿横向方向彼此并排设置的金属的第一过孔(23)完全地穿过。在此，连接层(22)沿垂直于横向方向的方向与上侧(20)和下侧(21)齐平连接。第一过孔(23)通过绝缘区域(24)与连接层(22)电绝缘且间隔开。每个第一过孔(24)还一一对应地与一个像点(10)相关联，与所述像点(10)导电连接并且形成所述像点(10)的第一电接触部。此外，半导体芯片(1)还通过连接元件(2)机械稳定地且导电地与直接位于连接元件(2)的下侧(21)上的载体(3)连接。
光电子器件用于制造方法

[发明专利]光电子半导体器件和具有光电子半导体器件的设备-CN201580061728.8在审
发明人：于尔根·莫斯布格尔;安德烈亚斯·普洛斯尔 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2015-10-21 - 公布日： 2017-08-29 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：提出一种光电子半导体器件(1)，其具有发射区域(3)，所述发射区域具有半导体层序列(2)，所述半导体层序列具有第一半导体层(21)、第二半导体层(22)和设置在第一半导体层和第二半导体层之间的设为用于产生辐射的有源区域(20)；保护二极管区域(4)，其中‑半导体器件具有用于外部电接触半导体器件(1)的接触部(6)；‑接触部具有第一接触区域(61)，所述第一接触区域与发射区域导电连接；‑接触部具有第二接触区域(62)，所述第二接触区域与第一接触区域间隔开并且与保护二极管区域导电连接；和‑第一接触区域和第二接触区域能够借助于连接线路(9)的共同的端部(95)外部电接触。此外，提出一种具有光电子半导体器件的设备。
光电子半导体器件具有设备

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