专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]灵敏放大器及半导体存储器-CN202210284403.8在审
  • 周润发;季汝敏;杨宇 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2022-03-22 - 2023-09-29 - G11C11/4091
  • 本公开提供一种灵敏放大器及半导体存储器,体偏置调节模块的第一输入端耦合第一N型晶体管的漏极,第二输入端耦合第二N型晶体管的漏极,第一输出端耦合第一P型晶体管的体端,第二输出端耦合第二P型晶体管的体端,控制端耦合使能信号。体偏置调节模块在接收到使能信号后,根据第一N型晶体管的漏极电压和第二N型晶体管的漏极电压的差异调节第一P型晶体管的体端电压和/或第二P型晶体管的体端电压,以调节第一P型晶体管的体偏置电压和/或第二P型晶体管的体偏置电压,以补偿第一N型晶体管的阈值电压或第二N型晶体管的阈值电压,减小第一N型晶体管和第二N型晶体管的阈值电压的失配,使得灵敏放大器有效放大位线和互补位线之间的电压差。
  • 灵敏放大器半导体存储器
  • [发明专利]反熔丝存储单元状态检测电路及存储器-CN202010687680.4有效
  • 季汝敏 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2020-07-16 - 2023-09-12 - G11C17/18
  • 本公开提供一种反熔丝存储单元状态检测电路及存储器,电路包括:放大器,第一输入端连接第一参考电压,第二输入端连接第一节点,输出端连接第二节点;反熔丝存储单元阵列,包括多个位线均连接第一节点、字线均连接控制器的反熔丝存储单元子阵列,反熔丝存储单元子阵列包括多个反熔丝存储单元;第一开关元件,第一端连接电源,第二端连接第一节点,控制端连接第二节点;第二开关元件,第一端连接电源,第二端连接第三节点,控制端连接第二节点;第三开关元件,第一端连接第三节点,第二端接地,控制端连接控制器;比较器,第一输入端连接第三节点,第二输入端连接第二参考电压。本公开实施例可以提高反熔丝存储单元存储状态检测的准确度。
  • 反熔丝存储单元状态检测电路存储器
  • [发明专利]反熔丝存储单元状态检测电路及存储器-CN202010688530.5有效
  • 季汝敏 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2020-07-16 - 2023-09-12 - G11C17/18
  • 本公开提供一种反熔丝存储单元状态检测电路及存储器,电路包括:第一电流模块,第一端通过第一节点连接反熔丝存储单元阵列,第二端连接第二节点,第一电流模块用于通过第二节点输出检测电流,检测电流与反熔丝存储单元阵列中待测反熔丝存储单元的阻值相关;第二电流模块,第一端通过第三节点连接参考电阻的第一端,第二端连接第四节点,参考电阻的第二端接地,第二电流模块用于通过第四节点输出参考电流,参考电流与参考电阻的阻值相关;比较器,第一输入端连接第二节点,第二输入端连接第四节点,用于检测待测反熔丝存储单元的存储状态。本公开实施例可以提高反熔丝存储单元存储状态检测的准确度。
  • 反熔丝存储单元状态检测电路存储器
  • [发明专利]一种电源电路和存储器-CN202310381597.8有效
  • 倪潼;颜崇根;季汝敏 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2023-04-11 - 2023-06-30 - G05F1/567
  • 本公开涉及集成电路领域,公开了一种电源电路和存储器。其中,电源电路包括:温度传感电路和生成电路。温度传感电路,被配置为根据温度生成模拟化的第一温控电压;第一温控电压随温度呈线性变化;生成电路,连接温度传感电路,被配置为接收第一温控电压,将第一温控电压转换为第一数字信号,根据第一数字信号生成数字化的第二温控电压;其中,第二温控电压包括多个电压值,每个电压值在对应的一个温度区间内恒定。本公开实施例能够根据温度的变化,适时地调整集成电路中的电压/电流条件,来抵消温度变化所带来的负面影响,进而提高集成电路的性能。
  • 一种电源电路存储器
  • [发明专利]反熔丝存储版图及其电路、反熔丝存储器及其设计方法-CN202111590314.8在审
  • 季汝敏 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2021-12-23 - 2023-06-27 - G11C5/02
  • 本公开实施例提供一种反熔丝存储版图及其电路、反熔丝存储器及其设计方法,反熔丝存储版图包括:有源区,沿第一方向延伸且沿第二方向分立排布,每一有源区包括沿第一方向排布的至少两个存储单元区,每一存储单元区包括沿第一方向排布的反熔丝区和控制区,在沿第一方向上,相邻存储单元区的控制区相邻接;字线区,沿第二方向延伸且与控制区相交;电连接区,沿第二方向延伸且与反熔丝区相交;编程控制区,沿第三方向延伸且位于相应的有源区的一侧,且编程控制区与沿第一方向排列的电连接区相交。本公开实施例至少有利于缩小反熔丝存储版图的布局面积。
  • 反熔丝存储版图及其电路存储器设计方法
  • [发明专利]一种修调电路和存储器-CN202310291714.1有效
  • 季汝敏 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2023-03-23 - 2023-06-23 - G11C29/02
  • 本公开涉及半导体领域,目前的修调电路的控制逻辑较为复杂,本公开提供一种修调电路和存储器,修调电路包括控制模块和输出模块,控制模块中的第一熔丝单元的熔断状态指示修调参数的取值,控制模块仅根据工作控制信号即可对第一熔丝单元的熔断状态进行读出,后续经由输出模块输出修调参数,控制逻辑简单。
  • 一种电路存储器
  • [发明专利]一种存储器及其读取方法-CN202310311674.2有效
  • 季汝敏 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2023-03-28 - 2023-06-16 - G11C17/18
  • 本公开实施例提供了一种存储器及其读取方法,该存储器包括:熔丝阵列、控制信号产生电路和读取电路;控制信号产生电路被配置为接收复位信号,并基于复位信号向读取电路输出第一控制信号;其中,复位信号用于指示存储器执行复位操作;复位信号在第一时刻从有效电平翻转为无效电平;读取电路与控制信号产生电路连接,被配置为根据第一控制信号在第二时刻开始读取熔丝阵列中的目标熔丝单元中存储的熔丝数据;第二时刻与第一时刻之间存在时间间隔。
  • 一种存储器及其读取方法
  • [发明专利]存储器和存储器的制造方法-CN202110998261.7在审
  • 季汝敏;龚园媛 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2021-08-27 - 2023-03-03 - G11C5/02
  • 本申请实施例涉及存储器领域,提供一种存储器和存储器的制造方法,至少可以提高电压转换的效率。存储器包括:基板,所述基板上具有封装壳,所述封装壳与所述基板围成封闭区域;芯片,所述芯片上具有负载;所述芯片位于所述封闭区域内;升压转换器,所述升压转换器中的至少部分结构集成在所述芯片上,所述升压转换器用于向所述负载提供电压;所述升压转换器至少包括电感和开关焊点,所述电感包括相对的第一端和第二端,所述电感的所述第二端与所述开关焊点电连接,所述开关焊点集成在所述芯片上;所述升压转换器位于所述封闭区域内。
  • 存储器制造方法
  • [发明专利]反熔丝存储电路-CN202110813575.5在审
  • 季汝敏 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2021-07-19 - 2023-01-24 - G11C17/16
  • 本申请实施例应用于半导体电路设计领域,以提供一种反熔丝存储电路,包括:存储阵列,包括多个反熔丝存储单元;位线,连接在位线的延伸方向上排列的反熔丝存储单元,反熔丝存储单元通过第一开关管电连接位线;字线,连接在字线的延伸方向上排列的第一开关管;第二开关管,用于使位线连接传输导线;第三开关管,用于对传输导线进行放电;读取模块,包括第一输入端、第二输入端、采样输入端,第一输入端连接传输导线,第二输入端用于接收参考电压,采样输入端用于接收采样信号;补偿模块,连接第三开关管,用于减缓传输导线的电压降低速度,通过减缓第三开关管对传输导电的放电速度,从而保证反熔丝存储器读出数据的准确性。
  • 反熔丝存储电路
  • [发明专利]电源电路及存储器-CN202110807082.0在审
  • 季汝敏 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2021-07-16 - 2023-01-17 - G11C11/4074
  • 本发明实施例提供一种电源电路及存储器,电源电路包括:电压源和与电压源连接的多路电源模块,若电压源有效且电源模块处于使能状态,则将电源端的电压拉升至预设电压,且在拉升过程中向负载单元供电;第一类电源模块若接收到第一使能信号则进入使能状态,第二类电源模块若接收到第二使能信号则进入使能状态;控制模块,用于接收标志信号,若处于有效状态,则发送第一使能信号,有效状态表征电压源有效;还用于在发送第一使能信号之后接收多个外部信号,每一所述外部信号对应一所述第二类电源模块,不同外部信号的起始时刻不同,若接收到标志信号和外部信号,则发送对应的第二使能信号。本发明实施例有利于保证与电源端连接的芯片的有效启动。
  • 电源电路存储器
  • [发明专利]反熔丝存储电路-CN202110773222.7在审
  • 季汝敏 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2021-07-08 - 2023-01-13 - G11C17/16
  • 本申请实施例提供一种反熔丝存储电路,包括:存储阵列,包括多个反熔丝存储单元;位线,连接在位线的延伸方向上排列的反熔丝存储单元,反熔丝存储单元通过第一开关管电连接位线;字线,连接在字线的延伸方向上排列的第一开关管;第二开关管,用于使位线连接传输导线;读取模块,第一输入端连接传输导线,第二输入端用于接收参考电压,采样输入端用于接收采样信号;信号产生模块,用于根据预充电电压、预充电信号生成采样信号,其中,预充电信号用于指示对传输导线预充电至预充电电压,采样信号与预充电信号之间的延时长短与预充电电压的电压大小呈正相关,以保证预充电电压较大时,反熔丝存储单元有足够的时间泄放电流,保证读出数据的准确性。
  • 反熔丝存储电路
  • [发明专利]一种存储器-CN202210984495.0有效
  • 季汝敏 - 睿力集成电路有限公司
  • 2022-08-17 - 2022-11-04 - G11C17/16
  • 本公开实施例公开了一种存储器,存储器包括至少一个阵列区;阵列区包括:存储体区、第一锁存区和第二锁存区;其中,第一锁存区耦接于存储体区的第一端,第二锁存区耦接于存储体区的第二端;存储体区的第一端和第二端为沿第一方向相对的两端;第一锁存区和第二锁存区,用于将熔丝数据锁存并传输到存储体区。本公开能够节省布线设置,减小熔丝数据在传输过程中的延迟和损耗,节约功耗。
  • 一种存储器

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