“孙贺雷”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果5个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]半导体加工装置、半导体曝光设备及晶圆曝光方法-CN202211307235.6在审
发明人： 孙贺雷;张君君;陈恩浩 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-10-24 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本公开提供了一种半导体加工装置、半导体曝光设备及晶圆曝光方法，半导体加工装置包括承载部和吸附卡盘，吸附卡盘贯穿承载部，吸附卡盘吸附晶圆的中心区域以对晶圆进行固定；承载部包括多个调节模块，多个调节模块环绕吸附卡盘设置，调节模块具有多个气体通道，调节模块通过多个气体通道对晶圆的温度和/或形状进行调节。本公开中，通过在承载部上设置多个调节模块，多个调节模块环绕吸附卡盘设置，多个调节模块能够向承载部与晶圆之间提供气体或者抽出气体，使得晶圆能够处于期望的温度和形状，从而提升图形转移效果，改善套刻误差；并且，通过调节模块调节晶圆的形状，能够避免晶圆形变程度过大导致晶圆与承载部相互接触出现损坏。
半导体加工装置曝光设备方法

[发明专利]光刻机的浸润系统及其控制方法-CN202211358823.2在审
发明人：张伟;张君君;王顺;孙贺雷;程朝 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-11-01 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本公开实施例提供了一种光刻机的浸润系统及其控制方法，所述光刻机的浸润系统包括：浸润罩，具有环绕镜头的开口，以及位于所述浸润罩下表面的通水孔；可移动的晶圆台，所述晶圆台从远离所述浸润罩的位置移动至所述浸润罩下方之后与所述浸润罩在预设时段内具有相对静止状态，所述预设时段处于所述晶圆台上的晶圆被曝光之前；供液单元，连通所述通水孔，并在所述浸润罩、所述晶圆台和所述镜头之间供液；监测单元，设置在所述晶圆台，所述监测单元被配置为：在所述预设时段内监测所述通水孔是否被堵塞。
光刻浸润系统及其控制方法

[发明专利]显影方法及装置-CN202011241124.0在审
发明人： 孙贺雷;陈步祥 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2020-11-09 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： G03F7/30 文献下载
摘要：本申请提供一种显影方法及装置。该显影方法包括：获取待显影晶圆上方的气流状况；根据气流状况设置显影程式；按照显影程式对待显影晶圆进行显影，从而，提高了显影后形成的光刻图案质量。
显影方法装置

[发明专利]一种纳米钯/碳纳米管-MXene复合材料及其在硝基芳烃类爆炸物检测中的应用-CN201811329095.6有效
发明人：孙义民;曾伟;孙贺雷 -专利权人：武汉工程大学
申请日： 2018-11-09 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： G01N27/48 文献下载
摘要：本发明公开一种纳米钯/碳纳米管‑MXene复合材料及其在硝基芳烃类爆炸物检测中的应用，Ti3C2Tx MXene表面负载有钯纳米粒子，通过钯纳米粒子在MXene表面催化生长碳纳米管，碳纳米管直径范围为20‑40 nm，制备步骤：提供一种Ti3C2Tx MXene纳米片；将MXene纳米片静置在含钯前驱体溶液中，并在得到的Pd NPs/MXene复合材料上CVD，MXene纳米片层数少层，其在硝基芳烃类爆炸物检测中的应用，步骤如下：梯度配置硝基类爆炸物的比对标准溶液；将涂覆有纳米钯/碳纳米管‑MXene的玻碳电极插入所配置的标准溶液中富集；以铂丝作为对电极，以Ag/AgCl电极作为参比电极、以涂覆有纳米钯/碳纳米管‑MXene的玻碳电极作为工作电极，得到待测硝基类爆炸物的检测线及线性范围，检测方法为循环伏安法和线性扫描伏安法电化学法。
一种纳米 mxene 复合材料及其硝基芳烃爆炸物检测中的应用

[发明专利]一种N掺杂MXene材料及其制备方法和应用-CN201810621467.6在审
发明人：周爱军;孙贺雷;孙义民;曾伟;王若冲 -专利权人：武汉工程大学
申请日： 2018-06-15 - 公布日： 2018-11-16 - 主分类号： H01G11/34 文献下载
摘要：本发明涉及一种N掺杂MXene材料及其制备方法和应用，所述N掺杂MXene材料由MAX相陶瓷材料经刻蚀除去A原子层后再插层、剥离得到单层或少层的MXene，再置于氨气和氩气的混合气中进行煅烧得到。本发明提供的N掺杂MXene材料具有单层片状结构，有利于电解质离子的传输速率，N元素均匀包覆在MXene层表面，提高了MXene本身的赝电容和导电性，降低了其各向异性，使MXene排列更为紧凑规整，并且N元素包覆MXene片层的表面，使其暴露更多的电化学活性位点，为电解质离子的传输和交换提供了更大的便利，N掺杂MXene材料具有更优异的电化学性能，以及超高的比电容。
制备方法和应用电解质离子导电性氨气电化学活性电化学性能传输氩气单层片状均匀包覆陶瓷材料规整比电容混合气原子层赝电容包覆插层单层刻蚀片层少层位点煅烧紧凑剥离暴露便利交换