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[发明专利]一种声学谐振器、滤波器和多工器-CN202310171963.7在审
发明人：谷曦宇;刘炎;孙成亮;国世上;孙博文;丁志鹏 -专利权人：苏州敏声新技术有限公司
申请日： 2023-02-27 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H03H9/15 文献下载
摘要：本申请提供一种声学谐振器、滤波器和多工器，涉及声学器件领域，包括衬底及设置在衬底上的谐振结构；谐振结构包括层叠设置的电极结构和复合压电层；复合压电层包括至少两层子压电层，至少一层子压电层中掺杂钪元素(作为掺钪压电层)，可以通过控制掺钪压电层的厚度处于较为适宜的厚度区间，避免掺钪压电层的厚度过厚，从而降低膜内温度随薄膜厚度的变化所产生的差别，减少不同取向晶粒的生长，使得最终制备得到的掺钪压电层的晶粒取向较为一致，有效提高复合压电层的质量，以便于使得具有该复合压电层的声学谐振器能够具有较好的品质因数，由其所搭建的滤波器不仅能够实现带宽的调节，而且还能够具有较低的滤波器的带内插损。
一种声学谐振器滤波器多工器

[发明专利]谐振器以及谐振器的制作方法-CN202310090204.8在审
发明人：罗天成;刘文娟;刘婕妤;温志伟;孙博文;孙成亮 -专利权人：武汉敏声新技术有限公司
申请日： 2023-01-18 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H03H9/13 文献下载
摘要：本申请提供了一种谐振器以及谐振器的制作方法，该谐振器包括相对设置的两个叉指电极结构，叉指电极结构包括电极母线及叉指电极，叉指电极设有第一异形结构，电极母线设有第二异形结构，第一异形结构和/或第二异形结构在谐振器工作时产生不同方向的声波。由于叉指电极设有第一异形结构，电极母线设有第二异形结构，且第一异形结构和/或第二异形结构在谐振器工作时产生不同方向的声波，避免了现有技术中声波通过叠加形成稳定且能量强的驻波，保证了谐振器不会产生能量较强的杂波，解决了现有中的由于矩形叉指形成的杂波导致谐振器性能较差的问题，保证了谐振器的性能较好。
谐振器以及制作方法

[发明专利]体声波谐振器和滤波器-CN202111105960.0有效
发明人： 孙成亮;谷曦宇;国世上;高超;邹杨;徐沁文 -专利权人：武汉敏声新技术有限公司
申请日： 2021-09-22 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：一种体声波谐振器和滤波器，涉及谐振器技术领域。该体声波谐振器包括具有空腔的衬底和依次设置于衬底上的底电极、压电层和顶电极；底电极、压电层和顶电极分别在衬底上的正投影的重合区域形成谐振区域；在谐振区域内，底电极和顶电极分别在衬底上的正投影的轮廓形状为由M条弧线首尾连接形成的封闭图形，且封闭图形为轴对称图形；其中，M为大于或等于2的整数，且弧线包括朝向谐振区域的中心凹设的内凹弧线和背向谐振区域的中心外凸的外凸弧线。该体声波谐振器能够减少声波简并，从而减少杂波谐振峰、减少伪模态，以获得较纯净的大机电耦合系数的主模。
声波谐振器滤波器

[发明专利]基于微环谐振腔的MOEMS三轴加速度传感器及其制备方法-CN202210344926.7有效
发明人：王融汇;孙成亮;蔡耀;范宇晨;刘炎;许秉乾 -专利权人：武汉大学
申请日： 2022-03-31 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： G01P15/03 文献下载
摘要：一种基于微环谐振腔的MOEMS三轴加速度传感器及其制备方法，涉及微光机电系统(MOEMS)中的惯性器件领域。该传感器包括含有空腔(20)的基底(10)，空腔(20)上表面为一层薄膜(30)；薄膜(30)下方附着有一个质量块(40)；顶层刻蚀有相互耦合的两组直波导(60)和四个微环谐振腔(50)，其中四个微环谐振腔(50)均位于空腔(20)上方的薄膜(30)上；直波导(60)则位于基底(10)上，每个直波导(60)具有一个入射端和两个出射端，每一个微环谐振腔(50)分别与一个出射端相耦合。该加速度计通过检测各个微环谐振腔谐振峰的改变来测量三个不同方向的加速度分量。
基于谐振腔 moems 加速度传感器及其制备方法

[发明专利]压电扬声器及其制备方法、电子设备-CN202310244911.8在审
发明人：胡博豪;刘文娟;卢亮宇;杨超翔;王健;孙博文;国世上;孙成亮 -专利权人：武汉敏声新技术有限公司
申请日： 2023-03-14 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H04R17/00 文献下载
摘要：一种压电扬声器及其制备方法、电子设备，涉及扬声器技术领域。该扬声器包括衬底、设于衬底相对两面的第一振膜和第二振膜、设于第一振膜上的第一有源发声区、设于第二振膜上的第二有源发声区以及两端分别与第一振膜和第二振膜连接的驱动推杆；第一有源发声区和第二有源发声区均包括层叠设置的第一电极层、压电层和第二电极层；第一电极层、压电层、第二电极层和声腔在衬底上的正投影的重合区域形成发声有源区；第一振膜具有围绕发声有源区设置的第一褶皱结构，第一褶皱结构通过在第一振膜的相对两个表面分别凹设第一凹槽得到，且所述第一振膜的相对两个表面的第一凹槽呈交错设置。该压电扬声器能够提高发声声压级、工作相对带宽。
压电扬声器及其制备方法电子设备

[发明专利]谐振器的制备方法及谐振器-CN202310318312.6在审
发明人：林炳辉;蔡耀;邹杨;高超;王雅馨;孙博文;孙成亮 -专利权人：武汉敏声新技术有限公司
申请日： 2023-03-29 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H03H3/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种谐振器的制备方法及谐振器。制备方法包括：提供半导体基体，半导体基体具有第一表面；在具有第一表面的半导体基体的一侧形成第一单晶层；在第一单晶层远离半导体基体的一侧形成压电层；在第一表面上形成间隔设置的两个阻隔件，阻隔件将第一单晶层分隔为多个单晶层，多个单晶层与两个阻隔件交替设置；顺序刻蚀压电层和单晶层，形成贯穿单晶层的第一通孔和贯穿压电层的第二通孔，第一通孔和第二通孔连通；根据第一通孔和第二通孔去除位于相邻阻隔件之间的键合层，形成空腔。上述方法由于在单晶层上生长得到的薄膜质量较好，因此该谐振器结构中能够得到高质量的第一电极层和压电层从而提高了具有该谐振器结构的谐振器的性能。
谐振器制备方法

[发明专利]基于声子晶体提升品质因数的薄膜体声波谐振器-CN202211677918.0在审
发明人：蔡耀;许秉乾;孙成亮;邹杨;周禹;杨婷婷;国世上;刘炎 -专利权人：武汉大学
申请日： 2022-12-26 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H03H9/17 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于声子晶体提升品质因数的薄膜体声波谐振器，抑制现有薄膜体声波谐振器因加工中产生的材料C轴取向不一致导致的横向伪模式，将谐振器的纵向振动限制在上下电极覆盖部分的压电薄膜，提升谐振器品质因数。本发明基于FBAR的空气隙结构，在传统的上电极‑压电薄膜‑下电极的三明治结构中引入声子晶体作为侧边声波抑制结构，使得FBAR中横向传播的伪模态被抑制，减少了杂波。本发明设计的声子晶体的具体单元结构为：1.环绕传统多边形上下电极的电极群，从而减小电极区域的能量泄露；2.贯穿压电薄膜的图案化孔洞，从而将声波能量约束上下电极覆盖的压电薄膜区域内，即解决横向伪模态的声波传输，从而显著提升品质因数。
基于晶体提升品质因数薄膜声波谐振器

[发明专利]一种谐振器-CN202111087392.6有效
发明人：谢英;蔡耀;孙成亮 -专利权人：武汉敏声新技术有限公司
申请日： 2021-09-16 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种谐振器，涉及无线通信技术领域，本发明的谐振器,包括衬底，以及在衬底内部形成的空腔，衬底上铺设有压电层，压电层上设置有沿第一方向的多个条形正电极，多个条形正电极沿垂直于第一方向的第二方向依次间隔排列，相邻的两个正电极之间设置有条形负电极，压电层上设置有沿第二方向延伸的凹槽。本发明提供的谐振器，能够有效降低超高频体声波谐振器机电耦合系数。
一种谐振器

[发明专利]带有沟槽结构的体声波谐振器-CN202110160231.9有效
发明人： 孙成亮;罗天成;刘炎;邹杨;周杰;谢英;徐沁文;高超 -专利权人：武汉敏声新技术有限公司
申请日： 2021-02-05 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种带有沟槽结构的体声波谐振器，具体指一种带有阵列式沟槽结构，高谐振频率的体声波谐振器结构。该谐振器结构包括底电极、压电层、压电层中的沟槽结构和顶电极。该结构能够减小谐振器中压电层的等效厚度，有效地提高谐振器的谐振频率，能满足5G/6G通讯的实际需求。
带有沟槽结构声波谐振器

[发明专利]一种薄膜体声波谐振器及其制备方法-CN202210643790.X有效
发明人： 孙成亮;蔡耀;孙博文;丁志鹏;林炳辉 -专利权人：武汉敏声新技术有限公司
申请日： 2022-06-08 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本申请提供一种薄膜体声波谐振器及其制备方法，涉及半导体技术领域，包括衬底以及位于衬底上表面的下电极、压电层和上电极；下电极具有第一拱形部，以在第一拱形部和衬底之间形成有第一空腔；在下电极和压电层之间设置有第一反射腔，第一反射腔位于第一拱形部的斜坡处。由于下电极具有第一拱形部，第一反射腔可以位于第一拱形部斜坡上的斜面处，如此，能够利用斜坡使得第一反射腔在反射横向声波时，使横向声波发生多次反射，从而消耗横向横波的能量，以便于进一步的降低横向寄生模态，有助于提高薄膜体声波谐振器的品质因子。
一种薄膜声波谐振器及其制备方法

[发明专利]压电针式PMUT的血压监测装置-CN202211260250.X在审
发明人：刘文娟;卢亮宇;胡博豪;杨超翔;汪泽凯;蔡耀;刘炎;孙成亮 -专利权人：武汉大学
申请日： 2022-10-14 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： A61B5/021 文献下载
摘要：本申请公开了压电针式PMUT的血压监测装置。该血压监测装置包括：一压电传感器模块，其包括依次叠设的衬底、传感器阵列层和封装层，PMUT器件至少部分凸出于封装层的表面，PMUT器件包括依次叠设的压电层和电极层，压电层覆于衬底的顶面，压电层覆于封装层的底面；CMOS电路模块，与压电传感器模块集；可穿戴式装配体，供压电传感器模块、CMOS电路模块安装并用以提供穿戴功能。其中压电传感器模块检测到脉搏并将机械能转换成电能，输出电荷经过数据处理模块，通过动脉脉冲的压电动力学原理，由微处理单元将输出电压波形转换成血压值输出，即可完成血压实时监测功能。本装置操作简单，测量精确，可批量化生产。
压电 pmut 血压监测装置

[发明专利]体声波谐振器以及体声波谐振器的制作方法-CN202310168373.9在审
发明人：邹杨;蔡耀;高超;林炳辉;孙博文;孙成亮 -专利权人：武汉敏声新技术有限公司
申请日： 2023-02-27 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H03H9/17 文献下载
摘要：本申请提供了一种体声波谐振器以及体声波谐振器的制作方法。该体声波谐振器包括衬底、压电层、支撑层、第一电极层、第二电极层以及框架结构，其中，支撑层夹设在衬底与压电层之间，衬底、压电层以及支撑层围合形成空腔，第一电极层设置于压电层的靠近衬底的一侧，第二电极层设置于压电层的远离衬底的一侧，框架结构设置于第一电极层和/或第二电极层的远离压电层的部分表面上，框架结构由至少两种声阻抗材料构成。该体声波谐振器的谐振区域内的第二电极层和/或第一电极层的表面设置有框架结构，框架结构可以有效反射横向声波，因此可以减小横向播的泄露，从而提高谐振器的Q值，进而解决了现有技术中体声波谐振器Q值较低的问题。
声波谐振器以及制作方法

[发明专利]一种可调谐的压电式光环谐振腔-CN202210429303.X有效
发明人： 孙成亮;国世上;许秉乾;蔡耀;杨超翔;范宇晨;刘炎 -专利权人：武汉大学
申请日： 2022-04-22 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本发明属于MEMS光电器件技术领域，公开了一种可调谐的压电式光环谐振腔，包括压电悬臂梁组件、光学波导组件，光学波导组件位于压电悬臂梁组件的上方，光学波导组件包括微环谐振腔和耦合器，压电悬臂梁组件在电信号的作用下产生振动，微环谐振腔基于振动产生应变并改变其谐振频率。本发明解决了现有技术中微环谐振腔难以实现多频率工作且无法调谐的问题。本发明利用压电效应，通过电信号作用使压电悬臂梁组件产生振动，进而使微环谐振腔产生应变并改变其谐振频率，本发明具有较大的频响范围与可调谐性，本发明结构集成度较高，灵敏度优良，成本较低。
一种调谐压电光环谐振腔

[发明专利]薄膜体声波谐振器及其制备方法、薄膜体声波滤波器-CN202111104999.0有效
发明人：陈邦涛;丁志鹏;孙博文;萧莉燕;高峰;邹杨;孙成亮 -专利权人：武汉敏声新技术有限公司
申请日： 2021-09-22 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本申请提供一种薄膜体声波谐振器及其制备方法、薄膜体声波滤波器，涉及谐振器技术领域，包括基底，基底上设有凸出于基底表面的两个相对设置的保护墙，两个保护墙之间形成空腔，基底上、保护墙远离空腔的一侧还设有绝缘层；还包括换能器堆叠结构，换能器堆叠结构覆盖绝缘层、空腔和保护墙，换能器堆叠结构沿堆叠方向的两侧分别和空腔、外界连通。通过保护墙设置空腔，通过空腔和外界连通，通过外界释放向空腔区域的腐蚀物质而形成空腔，实现空腔释放加工的精准控制，流程更简单，控制成本，缩短工艺周期；保护墙面积占比很小，CMP要求较低，有利于提高良品率；薄膜体声波谐振器结构建立在绝缘层上，有利于减少寄生电容电阻，提高器件综合性能。
薄膜声波谐振器及其制备方法滤波器

[实用新型]一种体声波谐振器及滤波器-CN202223016096.X有效
发明人：谢英;刘文娟;孙成亮;孙博文 -专利权人：武汉敏声新技术有限公司
申请日： 2022-11-09 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H03H9/17 文献下载
摘要：本申请公开了一种体声波谐振器及滤波器，涉及微电子技术领域，本申请的体声波谐振器，包括衬底和压电层，压电层上设置有第一电极结构和第二电极结构，第一电极结构包括多个条形正电极，第二电极结构包括多个条形负电极，多个条形正电极和多个条形负电极平行间隔设置，条形正电极和/或条形负电极上设置有凸起结构，凸起结构用于消除体声波谐振器的寄生模态。本申请提供的体声波谐振器及滤波器，能够有效抑制电极中横向传播的声波，从而减小谐振器的寄生模态。
一种声波谐振器滤波器