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[发明专利]谐振器的制作方法以及谐振器-CN202310297640.2有效
发明人：林炳辉;蔡耀;萧莉燕;丁志鹏;高超;王雅馨;邹杨;詹道栋;孙博文;孙成亮 -专利权人：武汉敏声新技术有限公司
申请日： 2023-03-24 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H03H3/02 文献下载
摘要：本申请提供了一种谐振器的制作方法以及谐振器，该方法包括：首先，提供层叠的第一衬底以及预备压电层；然后，对预备压电层进行应力检测，得到预备压电层的第一应力值，根据预备压电层的第一应力值的分布情况，对预备压电层进行多次分割，形成多个压电层；之后，在压电层的远离第一衬底的表面上形成多个间隔设置的第一金属层，在各第一金属层的远离压电层的表面上形成层叠的牺牲层以及第一键合层；之后，提供层叠的第二衬底以及第二键合层，并且将第一键合层与第二键合层进行键合；最后，去除第一衬底，在压电层的远离第一金属层的表面上形成多个间隔设置的第二金属层，形成刻蚀孔，并通过刻蚀孔去除牺牲层，以得到空腔。保证了谐振器的性能较好。
谐振器制作方法以及

[发明专利]一种声学器件封装结构及方法-CN202210286564.0有效
发明人：丁志鹏;任沁;孙博文;陈邦涛;萧莉燕;赵伟良;顾超;刘炎;林炳辉 -专利权人：武汉敏声新技术有限公司
申请日： 2022-03-22 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H03H9/10 文献下载
摘要：本申请提供一种声学器件封装结构及方法，涉及半导体技术领域，包括：衬底以及位于衬底上的压电堆叠结构，在压电堆叠结构上设置有第一有机材料层，在第一有机材料层上设置第二有机材料层，第一有机材料层包括第一支撑部和第二支撑部，第二支撑部形成第一声反射结构，由此，在声波传输至第一声反射结构时，能够被反射回有效区域，从而降低声波的损耗，提高声学器件的性能。第一支撑部配合第二有机材料层形成第二声反射结构，由此，在部分声波未被第一声反射结构反射回且传输至第二声反射结构处时，能够被反射回有效区域，从而进一步的降低声波的损耗，提高声学器件的性能。
一种声学器件封装结构方法

[发明专利]薄膜体声波谐振器及其制备方法、薄膜体声波滤波器-CN202111104999.0有效
发明人：陈邦涛;丁志鹏;孙博文;萧莉燕;高峰;邹杨;孙成亮 -专利权人：武汉敏声新技术有限公司
申请日： 2021-09-22 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本申请提供一种薄膜体声波谐振器及其制备方法、薄膜体声波滤波器，涉及谐振器技术领域，包括基底，基底上设有凸出于基底表面的两个相对设置的保护墙，两个保护墙之间形成空腔，基底上、保护墙远离空腔的一侧还设有绝缘层；还包括换能器堆叠结构，换能器堆叠结构覆盖绝缘层、空腔和保护墙，换能器堆叠结构沿堆叠方向的两侧分别和空腔、外界连通。通过保护墙设置空腔，通过空腔和外界连通，通过外界释放向空腔区域的腐蚀物质而形成空腔，实现空腔释放加工的精准控制，流程更简单，控制成本，缩短工艺周期；保护墙面积占比很小，CMP要求较低，有利于提高良品率；薄膜体声波谐振器结构建立在绝缘层上，有利于减少寄生电容电阻，提高器件综合性能。
薄膜声波谐振器及其制备方法滤波器

[发明专利]薄膜体声波滤波器的封装结构及其封装方法-CN202111104991.4有效
发明人：陈邦涛;萧莉燕;丁志鹏;任沁;邹杨;孙博文;孙成亮 -专利权人：武汉敏声新技术有限公司
申请日： 2021-09-22 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本申请提供一种薄膜体声波滤波器的封装结构及其封装方法，涉及薄膜体声波滤波器技术领域，包括薄膜体声波滤波器和盖帽晶圆，薄膜体声波滤波器包括顶电极，顶电极上设置有金属键合图案，盖帽晶圆通过金属键合图案和薄膜体声波滤波器键合，以封装薄膜体声波滤波器的工作区。采用直接在薄膜体声波滤波器上封装金属键合图案的工艺，通过金属键合图案使盖帽晶圆封装薄膜体声波滤波器，相较于现有技术中在盖帽晶圆上制作通孔并布线的封装方式，本申请的薄膜体声波滤波器的封装结构，大大降低了工艺难度，有利于提高薄膜体声波滤波器的封装结构的成品率，并且还有效控制了工艺成本。
薄膜声波滤波器封装结构及其方法

[发明专利]射频谐振器及滤波器-CN202210235692.2在审
发明人：童欣;孙博文;刘文娟;萧莉燕;孙成亮 -专利权人：武汉敏声新技术有限公司
申请日： 2022-03-11 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：一种射频谐振器及滤波器，涉及谐振器技术领域。该射频谐振器包括衬底、位于衬底上的压电层以及位于压电层上的上电极；上电极包括第一电极阵列和与第一电极阵列电势相反的第二电极阵列，第一电极阵列和第二电极阵列分别包括多个并排设置的子电极，且第一电极阵列的子电极和第二电极阵列的子电极交替排布；其中，压电层包括位于其中心的第一区域和位于第一区域之外的第二区域，位于第一区域的子电极的平均宽度大于位于第二区域的子电极的平均宽度。该射频谐振器能够有效减少能量泄露、进一步激励压电层压电效应，并有效抑制伪模态。
射频谐振器滤波器

[实用新型]薄膜体声波谐振器及滤波器-CN202123113547.7有效
发明人：陈邦涛;孙博文;丁志鹏;萧莉燕;林炳辉;孙成亮 -专利权人：武汉敏声新技术有限公司
申请日： 2021-12-10 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：一种薄膜体声波谐振器及滤波器，涉及谐振器技术领域。该薄膜体声波谐振器包括具有空腔的衬底、位于衬底上的底电极、位于底电极上的压电层、位于压电层上的顶电极，底电极通过贯穿设置于压电层内的引出金属引出至压电层靠近顶电极的一侧；衬底包括本体、位于本体上的环形保护墙以及围设于环形保护墙外周的绝缘层，其中，位于环形保护墙内部的区域形成空腔。该薄膜体声波谐振器由于设置了环形保护墙，因此能够避免绝缘层被过度腐蚀且能够便于对衬底表面进行抛光，进而提高器件的性能和良率。
薄膜声波谐振器滤波器