专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种无场翻转SOT-MRAM的制造方法-CN202310833178.3在审
  • 孙慧岩;秦颖超;商显涛;卢世阳;刘宏喜;曹凯华;王戈飞 - 致真存储(北京)科技有限公司
  • 2023-07-07 - 2023-09-15 - H10B61/00
  • 本申请实施例涉及磁性存储器技术领域,尤其涉及一种无场翻转SOT‑MRAM的制造方法,具体包括:提供一衬底,在衬底中制作多个导通孔;在衬底的上表面刻蚀导通孔,使导通孔侧壁倾斜;在衬底上沉积SOT层,并进行化学机械抛光;在SOT层上依次沉积自由层、氧化层和固定层,并刻蚀,自由层、氧化层和固定层形成磁隧道结;在多个磁隧道结之间以及多个磁隧道结之上沉积层间电介质层;在层间电介质层中沉积金属电极,得到SOT‑MRAM存储器。通过SOT块角度的设计实现无场翻转,易于制造,确保衬底层面的可加工性;避免了刻蚀过程中对于膜堆全刻蚀带来的损伤,同时MTJ的刻蚀窗口增加;降低了SOT的表面粗糙度,提高了磁隧道结效应。
  • 一种翻转sotmram制造方法
  • [发明专利]存储器元件及磁存储器-CN202310740198.6在审
  • 商显涛;孙慧岩;熊丹荣;卢世阳;刘宏喜;曹凯华;王戈飞 - 致真存储(北京)科技有限公司
  • 2023-06-21 - 2023-09-12 - H10B61/00
  • 本发明涉及一种存储器元件及磁存储器,存储器元件包括:第一自旋霍尔层;第一磁层,采用绝缘材料,层叠于第一自旋霍尔层的一侧;第二自旋霍尔层,层叠于第一磁层背向第一自旋霍尔层的一侧;第二磁层,层叠于第二自旋霍尔层背向第一磁层的一侧;隧穿层,层叠于第二磁层背向第二自旋霍尔层的一侧;参考层,层叠于隧穿层背向第二磁层的一侧;其中,第一自旋霍尔层与第二自旋霍尔层的第一邻近端导电连接,第二邻近端分别用于接电极引线,邻近端为第一自旋霍尔层与第二自旋霍尔层距离最近的两个端面。本发明将电极引线连接在同一侧,降低了占用面积,提高了器件的集成密度,有助于器件极小尺寸工艺的改进。
  • 存储器元件磁存储器
  • [发明专利]面内自旋轨道矩器件及其制造方法-CN202211369688.1在审
  • 孙慧岩;秦颖超;商显涛;卢世阳;刘宏喜;曹凯华;王戈飞 - 致真存储(北京)科技有限公司
  • 2022-11-03 - 2023-03-07 - H10N50/10
  • 本公开涉及半导体器件及其制造技术领域,具体涉及一种面内自旋轨道矩器件及其制造方法,所述面内自旋轨道矩器件包括:电流写入层;界面修饰层,设置于所述电流写入层上,所述界面修饰层用于提高所述电流写入层将电荷流转化为自旋流的效率;磁隧道结,设置于所述界面修饰层背离所述电流写入层的一侧;其中,所述磁隧道结具备面内磁各向异性,所述电流写入层用于控制所述磁隧道结包括的自由层的磁矩方向进行翻转。通过在电流写入层和磁隧道结的自由层之间插入界面修饰层,以提高所述电流写入层将电荷流转化为自旋流的效率,从而提高了自由层磁矩方向的翻转效率,进而使得降低了该面内自旋轨道矩器件的功耗。
  • 自旋轨道器件及其制造方法
  • [发明专利]一种磁存储器及其制备方法-CN202210814026.4在审
  • 陈文静;孙慧岩;李淑慧;李丹丹;曹凯华;刘宏喜;王戈飞 - 致真存储(北京)科技有限公司
  • 2022-07-12 - 2022-10-21 - H01L43/08
  • 本发明公开了一种磁存储器及其制备方法,涉及电子领域,该磁存储器包括:金属填充塞层以及设置在金属填充塞层上方的第一介质层和磁隧道结,第一介质层设置于金属填充塞层以及磁隧道结之间,第一介质层与所述磁隧道结的接触面粗糙度小于金属填充塞层表面粗糙度。可见,第一方面,通过在金属填充塞层与磁隧道结之间引入粗糙度更小的第一介质层,使磁隧道结与下方的接触结构连接可靠性更好。第二方面,在后续对磁隧道结图形化过程中,避免了刻蚀接触磁隧道结与金属填充塞层的连接面,降低了后续图形化工艺对于器件可靠性的影响,以此提高了磁存储器的可靠性。
  • 一种磁存储器及其制备方法

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