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[发明专利]一种二氧化硅加载条型光波导集成结构及其制备方法-CN202010887032.3有效
发明人：张秀全;王金翠;刘桂银;李真宇;张涛;杨超;孔霞 -专利权人：济南晶正电子科技有限公司
申请日： 2020-08-28 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本申请提供的一种二氧化硅加载条型光波导集成结构及其制备方法，包括依次层叠的衬底层、隔离层、光调制层和功能薄膜层；光调制层包括加载条型光波导，以及包覆加载条型光波导的掺杂包层，其中，掺杂包层为掺杂无机材料，加载条型光波导为二氧化硅材料，加载条型光波导与掺杂包层的折射率差大于等于0.01；其中，加载条型光波导的底表面与掺杂包层的底表面在同一水平面，加载条型光波导的顶表面与掺杂包层的顶表面在同一水平面。光可以被限制在折射率大的加载条型光波导内传输。同时，由于本申请实施例中的加载条型光波导与光纤芯层材料相同，均为二氧化硅材料，因此，当光纤耦合至加载条型光波导时，属于相同材料之间的耦合，耦合损耗低。
一种二氧化硅加载条型光波导集成结构及其制备方法

[发明专利]一种具有捕获结构的复合衬底及其制备方法及电子元器件-CN202210392175.6有效
发明人：李真宇;杨超;胡文;孔霞;刘亚明;韩智勇 -专利权人：济南晶正电子科技有限公司
申请日： 2022-04-15 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L29/36 文献下载
摘要：本申请提供一种具有捕获结构的复合衬底及其制备方法及电子元器件，本申请提供的技术方案属于半导体器件领域，所述复合衬底包括依次设置的衬底基板、缺陷层、绝缘层和有源层，在所述衬底基板与所述缺陷层之间具有包括负电荷活性中心的捕获结构，所述捕获结构中的负电荷活动中心能够吸附缺陷层中的金属阳离子，从而抑制PSC。
一种具有捕获结构复合衬底及其制备方法电子元器件

[发明专利]一种高电阻率复合衬底、制备方法及电子元器件-CN202210392221.2有效
发明人：杨超;李真宇;胡卉;胡文;孔霞;刘亚明 -专利权人：济南晶正电子科技有限公司
申请日： 2022-04-15 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请公开一种高电阻率复合衬底、制备方法及电子元器件，属于半导体技术领域，在衬底层上制备第一厚度的多晶硅层；在多晶硅层上制备吸杂层，得到预制备体，其中，吸杂层的材料为二氧化硅、氮化硅或氮氧化硅；对预制备体进行退火处理，使预制备体内杂质由第一界面向第二界面方向迁移；去除吸杂层以及第二厚度的多晶硅层，使剩余的多晶硅层的厚度满足目标厚度要求，得到复合衬底。通过吸杂层与高温退火相结合的方式，激活衬底层与多晶硅界面处的杂质，并使杂质迁移至吸杂层与多晶硅层界面附近，然后通过去除吸杂层与靠近吸杂层附近的一部分多晶硅层的方式移除衬底层与多晶硅层界面的杂质，获得具有低损耗、高电阻率的复合衬底。
一种电阻率复合衬底制备方法电子元器件

[发明专利]射频损耗的无损检测系统及方法-CN202210523527.7在审
发明人：陈明珠;李真宇;胡卉;胡文;孔霞;郑姗姗 -专利权人：济南晶正电子科技有限公司
申请日： 2022-05-13 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： G01N22/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种射频损耗的无损检测系统及方法，微波发射装置包括依次设置的微波发射器、微波调制器以及微波聚焦器，微波发射器所射出的微波经过微波调制器和微波聚焦器照射至样品台上的待检测样品；探测波发射装置包括依次设置的探测波发射器、探测波调制器以及探测波聚焦器，探测波发射器所射出的探测波经过探测波调制器和探测波聚焦器照射至待检测样品；探测波照射至所述待检测样品上所射出的光信号经由光接收装置转化为电学信号，测量装置根据电学信号对待检测样品进行检测。本申请中的检测方式具有非接触和无损的特点，避免对压电薄膜材料进行加工成器件后再进行射频损耗检测的传统破坏性检验，降低时间和经济成本，提高研发生产效率。
射频损耗无损检测系统方法

[实用新型]一种基于激光扫描技术的接触网基础信息采集装置-CN202220021835.5有效
发明人：孙树光;官琪;孔霞;赵磊;吕乃全 -专利权人：中国铁路济南局集团有限公司
申请日： 2022-01-06 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： G01B11/14 文献下载
摘要：本实用新型适用于轨道交通测量技术领域，提供了一种基于激光扫描技术的接触网基础信息采集装置，包括：支柱识别模块，所述支柱识别模块包括两组激光发射器和线阵相机，且每组中的所述激光发射器和线阵相机处于同一平面；经纬度采集装置，用于接收并记录车体的经纬度的实时信息；速度里程检测装置，用于计算车辆运行速度及行走距离；数据处理模块和主机单元，所述数据处理模块用于对速度信号的采集和处理，所述主机单元为工业控制计算机。该装置在随车辆移动过程中对接触网支柱进行准确高效地扫描识别，自动采集当前支柱的定位信息，智能化程度高。利用采集的定位信息对接触网线路基础数据进行修正完善，建立接触网线路定位信息数据库，检测数据与接触网支柱可准确对应。
一种基于激光扫描技术接触基础信息采集装置

[实用新型]一种园林绿化用的水分灌溉自控设备-CN202220329956.6有效
发明人：孟景;宋希英;于园珊;孔霞;王丽芳 -专利权人：济南柏深园林工程有限公司
申请日： 2022-02-18 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： A01G25/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种园林绿化用的水分灌溉自控设备，包括绿化主体和水仓，所述绿化主体的内部设置有电控仓体，所述绿化主体的外侧均匀设置有种植坡，所述水仓设置于电控仓体的内部下端，所述水仓的上端面右侧固定有连接泵体，所述连接泵体的输出端连接有引导管，所述引导管的上端固定有分导管，所述分导管的上端固定有灌溉喷头一，所述水仓的上端面左侧设置有控制机构。通过设置的湿度检测模块可以对种植坡底部的湿度进行检测，若湿度达到指定数值时，可以通过控制机构命令连接泵体关闭，从而使得设备具有自控效果，使其智能化效果增加，设置的水位检测模块可以对调节杆的位置进行把控，以便于后续通过进水管对水体进行补给。
一种园林化用水分灌溉自控设备

[实用新型]一种园林景观用生态修复枯叶处理装置-CN202220494593.1有效
发明人：孔霞;宋希英;李娜;于园珊;张琳琳 -专利权人：济南柏深园林工程有限公司
申请日： 2022-03-07 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： B08B5/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及园林景观技术领域，且公开了一种园林景观用生态修复枯叶处理装置，其结构包括设备壳体,所述设备壳体的侧面固定安装有波纹管，所述波纹管远离设备壳体的一端固定连接有收取口，所述设备壳体的顶面开设有通风口，所述通风口的内部固定安装有通风窗，所述设备壳体的正面安装有控制钮和收取箱。该园林景观用生态修复枯叶处理装置，通过电机带动扇叶转动，在扇叶的转动下带动空气从通风口排出，在设备壳体内部以及收取口形成负风压，枯叶在负风压的作用下，通过收取口和波纹管，进入到设备壳体内部，枯叶经过二级滤网时被二级滤网格挡，枯叶落下，顺着斜板落入滑件顶面，达到了对园林中枯叶进行清理的效果，简单高效。
一种园林景观生态修复枯叶处理装置

[发明专利]一种半导体衬底、电子元器件以及半导体衬底的制备方法-CN202110113127.4有效
发明人：杨超;李真宇;孔霞;李洋洋 -专利权人：济南晶正电子科技有限公司
申请日： 2021-01-27 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请提供了一种半导体衬底、电子元器件以及半导体衬底的制备方法，半导体衬底从上至下依次包括：薄膜层、绝缘层、缺陷层以及衬底层；缺陷层包括至少一层多晶硅层以及至少一层非晶硅层；多晶硅层以及非晶硅层交替层叠设置。本申请实施例提供的半导体衬底，在多晶硅层中插入非晶硅层，由于非晶硅层中不含有晶粒，因此，有效解决了多晶硅材料引发的应力过大、抛光纹等现象。
一种半导体衬底电子元器件以及制备方法

[发明专利]电光晶体薄膜及其制备方法-CN202010889148.0有效
发明人：张秀全;刘桂银;王金翠;李真宇;杨超;连坤;孔霞 -专利权人：济南晶正电子科技有限公司
申请日： 2020-08-28 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： G02F1/03 文献下载
摘要：本申请提供一种电光晶体薄膜及其制备方法，包括：依次层叠的衬底层、隔离层、补偿层和功能薄膜层；功能薄膜层的折射率大于补偿层的折射率，其中，补偿层为掺杂无机材料，掺杂无机材料是指在无机材料中掺杂有轻质量离子，轻质量离子是指相对原子质量小于无机材料中任一元素的相对原子质量的离子。功能薄膜层为掺杂电光晶体材料，掺杂电光晶体材料是指在电光晶体材料中掺杂有重质量离子，重质量离子是指相对原子质量大于电光晶体材料中任一元素的相对原子质量的离子。通过在在补偿层中掺杂轻质量离子、在功能薄膜层中掺杂重质量离子的方式，提供一种具有更大折射率差的电光晶体薄膜，使得折射率差不再受限于材料本身折射率的约束。
电光晶体薄膜及其制备方法

[实用新型]一种提花布用布料拉伸装置-CN202123019683.X有效
发明人：陈鹏;朱红卫;蒋勋红;孔霞;章雪梅 -专利权人：宜兴市中长色织有限公司
申请日： 2021-12-03 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： B65H18/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种提花布用布料拉伸装置，涉及提花机布料拉伸领域，包括提花机本体，所述提花机本体上表面前端两侧对称开设有传送带凹槽，所述传送带凹槽内设置有橡胶传送带，所述橡胶传送带上表面高于提花机本体，所述提花机本体前端固定连接有滑杆，所述滑杆上端滑动连接有滑块，所述滑块右侧螺纹连接有螺纹杆，所述螺纹杆贯穿滑块且底部与提花机本体转动连接。设置滚筒和滑块，可以使提花布在滑动过程中两侧受有轻微压力，两侧设置橡胶传送带，在布料传送过程中，两侧橡胶传送带向外侧传动，可以使提花布两侧都受有摩擦力，持续对布料施加外加拉力，使布料在横向上保持平整，避免提花布在传送时出现横向褶皱，影响提花布收卷。
一种提花布料拉伸装置

[发明专利]基于等离子体刻蚀的黑化单晶压电复合薄膜及其制备方法-CN202111641490.X在审
发明人：郑姗姗;李真宇;连坤;刘亚明;孔霞 -专利权人：济南晶正电子科技有限公司
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： H01L41/253 文献下载
摘要：本申请公开一种基于等离子体刻蚀的黑化单晶压电复合薄膜及其制备方法，包括准备压电晶圆和衬底基板，其中，所述压电晶圆为铌酸锂晶圆或钽酸锂晶圆；利用离子注入‑键合法或者键合‑研磨抛光法，制备得到单晶压电复合薄膜，其中，所述单晶压电复合薄膜包括依次层叠的衬底基板和目标厚度的薄膜层；对所述单晶压电复合薄膜中薄膜层进行等离子体刻蚀处理，其中，所述等离子体刻蚀处理所使用的等离子体包括还原性等离子体和/或惰性等离子体；对黑化后的薄膜层研磨抛光处理，得到黑化单晶压电复合薄膜。通过等离子体刻蚀方法对薄膜层处理，使薄膜层内氧空位浓度提升，从而实现修复薄膜层的黑化或者抑制薄膜层的白化。
基于等离子体刻蚀黑化单晶压电复合薄膜及其制备方法

[发明专利]一种高电阻率的复合衬底及其制备方法-CN202111627242.X在审
发明人：杨超;胡文;李真宇;孔霞;刘亚明 -专利权人：济南晶正电子科技有限公司
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本申请提供一种高电阻率的复合衬底及其制备方法，包括对硅衬底表面进行等离子体处理，将等离子体处理后的硅衬底置于含有水分的环境中，形成表面吸附有水分子的硅衬底层和在吸附有水分子的硅衬底表面上制备多晶硅层，在硅衬底层与多晶硅层之间生成介质层，获得复合衬底。本申请通过采用等离子体处理与制备多晶硅相结合的方式在硅衬底与多晶硅界面制备氧化硅薄膜介质层，抑制在后续的高温制备工艺中多晶硅层晶粒重构的程度，保持多晶硅层的稳定和载流子陷阱的富集，使多晶硅层保持较高的载流子捕获能力。
一种电阻率复合衬底及其制备方法

[发明专利]一种复合衬底的制备方法、复合衬底以及电子元器件-CN202111585905.6在审
发明人：李真宇;杨超;孔霞;刘亚明;韩智勇;陈明珠;郑珊珊;姜传晓 -专利权人：济南晶正电子科技有限公司
申请日： 2021-12-20 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本申请提供一种复合衬底的制备方法、复合衬底以及电子元器件。其中复合衬底的制备方法包括：通过先在衬底上制备第一多晶硅薄膜层，然后通过第一次退火使第一多晶硅薄膜层的晶粒进一步长大获得多晶硅晶籽层，在多晶硅晶籽层上继续制备第二多晶硅薄膜层，改善因晶格匹配度低导致的衬底层对晶粒的影响，提高晶格匹配度，减少第一多晶硅薄膜层和第二多晶硅薄膜层中晶格大小的差异，提高多晶硅层的电阻均匀性。同时，通过对第二多晶硅薄膜层进行第二次退火处理，可以抑制后续高温工艺阶段多晶硅晶粒的重构程度，减少多晶硅晶格大小差异，得到一种靠近衬底层与绝缘层处晶粒尺寸大且分布均匀的多晶硅层。
一种复合衬底制备方法以及电子元器件

[发明专利]一种MPCVD单晶金刚石表面缺陷修复生长方法-CN202111603967.5在审
发明人：朱嘉琦;李一村;代兵;孔霞;郝晓斌 -专利权人：宜昌中碳未来科技有限公司;哈尔滨工业大学
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： C30B29/04 文献下载
摘要：一种MPCVD单晶金刚石表面缺陷修复生长方法，本发明是针对MPCVD单晶金刚石生长过程中表面缺陷难以去除、降低生长层晶体品质的问题。缺陷修复生长方法：一、采用激光加工的方法将单晶金刚石籽晶表面的缺陷区域切除，形成方形凹坑；二、金刚石籽晶放置于管式炉中高温处理；三、采用掩膜的方法，在凹坑内填充生长单晶铱；四、将镀铱的金刚石籽晶转移到生长设备中，点燃等离子体；五、控制生长气压、金刚石籽晶温度和甲烷含量，施加直流偏压，促进异质外延单晶铱表面的高密度形核生长；六、进行MPCVD单晶金刚石的同质外延生长。本发明通过电子束蒸发在缺口区域镀单晶铱，消除原有缺陷的影响，得到高品质的单晶金刚石外延生长层。
一种 mpcvd 金刚石表面缺陷修复生长方法

[发明专利]一种黑化单晶压电复合薄膜及其制备方法-CN202111412421.1在审
发明人：郑姗姗;李真宇;刘亚明;孔霞 -专利权人：济南晶正电子科技有限公司
申请日： 2021-11-25 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L41/253 文献下载
摘要：本申请公开一种黑化单晶压电复合薄膜及其制备方法，包括：通过离子注入法向第一晶圆注入离子，将第一晶圆与衬底基板键合，得到键合体；对键合体热处理，得到单晶压电复合薄膜；在单晶压电复合薄膜的薄膜层上铺设第二晶圆或还原纸，得到预制备体；将预制备体掩埋于黑化粉末中；在还原炉内，对掩埋于黑化粉末中的单晶压电复合薄膜黑化还原热处理；去除第二晶圆或还原纸，得到黑化单晶压电复合薄膜。本申请通过对经过热处理后的单晶压电复合薄膜，再进行黑化还原热处理，这样，可以保证最终制备得到的黑化单晶压电复合薄膜中黑化的薄膜层具有较低的热释电系数和电阻率。
一种黑化单晶压电复合薄膜及其制备方法