|
|
钻瓜专利网为您找到相关结果 56个，建议您 升级VIP下载更多相关专利
- [发明专利]半导体封装件-CN201811398329.2有效
-
姜明杉;金镇洙;朴庸镇;高永宽;薛镛津
-
三星电子株式会社
-
2018-11-22
-
2023-05-23
-
H01L23/552
- 本公开提供了一种半导体封装件。半导体封装件包括：支撑构件，包括树脂主体和至少一个无源组件，树脂主体具有彼此背对的第一表面和第二表面并且具有腔，所述至少一个无源组件嵌入树脂主体中并且具有从第一表面暴露的连接端子；第一连接构件，设置在树脂主体的第一表面上，并且具有设置在树脂主体的第一表面上的第一绝缘层以及位于第一绝缘层上并连接到连接端子的第一重新分布层；第二连接构件，设置在第一连接构件上并覆盖腔，并且具有设置在第一连接构件上并覆盖腔的表面的第二绝缘层以及位于第二绝缘层上并连接到第一重新分布层的第二重新分布层；以及半导体芯片，在腔中设置在第二连接构件上。
- 半导体封装
- [发明专利]半导体封装件-CN202110782806.0在审
-
姜明杉;高永燦;金廷锡;赵俸紸
-
三星电子株式会社
-
2021-07-12
-
2022-01-11
-
H01L23/498
- 一种半导体封装件包括：第一重分布结构，其具有第一表面和与第一表面相对的第二表面，并且包括第一绝缘层和设置在第一绝缘层上的第一重分布层；半导体芯片，其设置在第一重分布结构的第一表面上，并且包括电连接到第一重分布层并嵌入在第一绝缘层中的连接焊盘；垂直连接结构，其设置在第一表面上并且电连接到第一重分布层；密封剂，其包封半导体芯片和垂直连接结构中的每一个的至少一部分；第二重分布结构，其设置在密封剂上并且包括连接到垂直连接结构的第二重分布层电；以及连接凸块，其设置在第二表面上并且电连接到第一重分布层。
- 半导体封装
- [发明专利]半导体封装件-CN201910992922.8在审
-
姜明杉;金汶日;高永宽
-
三星电机株式会社
-
2019-10-18
-
2020-10-16
-
H01L23/31
- 本发明提供一种半导体封装件，所述半导体封装件可包括：框架，包括绝缘层、第一柱和第二柱、布线层以及金属板，所述绝缘层具有形成在所述绝缘层的下表面中的腔，所述第一柱和所述第二柱与所述腔间隔开，所述布线层设置在所述绝缘层的上表面上，所述金属板设置在所述腔的上侧上；半导体芯片，具有设置有连接焊盘的第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；包封剂，覆盖所述半导体芯片的至少一部分；以及连接结构，设置在所述框架和所述半导体芯片的所述第一表面上，并包括一个或更多个重新分布层。所述第一柱电连接到所述框架的所述布线层和所述连接结构的所述重新分布层，并且所述第二柱与所述第一柱间隔开。
- 半导体封装
- [发明专利]半导体封装件-CN201910914319.8在审
-
姜明杉;朴庸镇;高永宽;金汶日
-
三星电子株式会社
-
2019-09-25
-
2020-09-29
-
H01L23/31
- 本发明提供一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：半导体芯片，具有位于所述半导体芯片的一个表面上的连接焊盘；第一包封剂，覆盖所述半导体芯片的至少一部分；连接结构，设置在所述半导体芯片的所述一个表面上并且包括电连接到所述连接焊盘的一个或更多个重新分布层。布线结构设置在所述第一包封剂的一个表面上，所述第一包封剂的一个表面与所述第一包封剂的面向所述连接结构的另一表面相对。所述布线结构具有嵌在所述布线结构中的无源组件并且包括电连接到所述无源组件的一个或更多个布线层。所述一个或更多个重新分布层和所述一个或更多个布线层彼此电连接。
- 半导体封装
- [发明专利]多层电容器及其制造方法-CN201710367200.4有效
-
黄美善;姜明杉;李东根
-
三星电机株式会社
-
2017-05-23
-
2020-07-03
-
H01G11/00
- 本发明提供一种多层电容器及其制造方法。所述多层陶瓷电容器包括主体，主体包括介电层、第一内电极和第二内电极，第一内电极和第二内电极交替地堆叠，且介电层介于第一内电极和第二内电极之间。第一外电极和第二外电极位于主体上并分别连接到第一内电极和第二内电极。第一内电极和第二内电极是镀层。多层电容器的制造方法包括制备包括内电极、虚设电极和介电层的多个层叠片。同时堆叠多个层叠片以及位于该层叠片的上方和下方的盖，并随后使多个层叠片和盖固化，以制备固化的产品。根据电容器的尺寸切割固化的产品，以制备内电极和虚设电极部分地暴露的主体。利用镀覆法使用虚设电极作为种子在主体的外表面上形成外电极。
- 多层电容器及其制造方法
|
