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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体集成电路的制造方法-CN201710647370.8有效
发明人：余德伟;罗加聘;姚亮吉;张文;杨育佳;方子韦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-08-01 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：一种半导体器件的制造方法包括提供衬底，该衬底包括从衬底延伸的第一鳍元件和第二鳍元件。在第一鳍元件和第二鳍元件上方形成第一层，其中第一层包括缝隙。对衬底实施激光退火工艺以去除第一层中的缝隙。基于第一层的高度来调整在激光退火工艺期间施加到第一层的能量。本发明实施例涉及半导体集成电路的制造方法。
半导体集成电路制造方法

[发明专利]用于超薄界面介电层的多层清除金属栅极堆叠件-CN201210024406.4有效
发明人：刘冠廷;姚亮吉;奧野泰利;万幸仁 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2012-02-03 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明公开的是多层清除金属栅极堆叠件及其制造方法。在一个实例中，设置在半导体衬底上方的栅极堆叠件包括设置在半导体衬底上方的界面介电层、设置在界面介电层上方的高k介电层、设置在高k介电层上方的第一导电层以及设置在第一导电层上方的第二导电层。该第一导电层包括设置在高k介电层上方的第一金属层、设置在第一金属层上方的第二金属层以及设置在第二金属层上方的第三金属层。第一金属层包括将氧杂质从界面介电层中清除的材料，而第二金属层包括吸收第三金属层中的氧杂质并且阻止氧杂质扩散到第一金属层中的材料。本发明提供用于超薄界面介电层的多层清除金属栅极堆叠件。
用于超薄界面介电层多层清除金属栅极堆叠

[发明专利]具有高K栅极介电层的半导体器件及其制造方法-CN201110350730.0在审
发明人：李昆育;姚亮吉;奥野泰利;万幸仁 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2011-11-08 - 公布日： 2013-03-06 - 主分类号： H01L29/49 文献下载
摘要：本发明涉及的是集成电路制造，并且更具体地涉及的是带有高k栅极介电层的半导体器件。用于半导体器件的示例性的结构包括衬底和设置在该衬底上方的栅极结构。该栅极结构包括介电部分和设置在该介电部分上方的电极部分，并且该介电部分包括在衬底上的碳掺杂的高k介电层以及与电极部分相邻的无碳的高k介电层。本发明还提供具有高k栅极介电层的半导体器件的制造方法。
具有栅极介电层半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201010183402.1有效
发明人：许俊豪;姚亮吉;官大明 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2010-05-18 - 公布日： 2011-07-20 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供半导体装置及其制造方法，具体地，提供制造IC装置的氟钝化方法及装置。在一实施例中，一种半导体装置的制造方法，包含提供一基材及以氢氟酸及醇类的混合物钝化此基材的一表面，以形成一氟钝化表面。此方法还包含形成一栅极介电层于此氟钝化表面上，及接着形成一金属栅极电极于此栅极介电层上。另外，本发明也揭示以此方法制造的半导体装置。本发明的优点是在无需牺牲栅极氧化层的整体厚度或介电常数的前提下降低漏电流。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]具有多层高介电常数薄膜的介电层的制造方法-CN200710195393.6无效
发明人：余振华;姚亮吉 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2007-12-17 - 公布日： 2009-02-18 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：本发明是有关于一种具有多层高介电常数薄膜的介电层的制造方法，其包括以下步骤：(a)形成一高介电常数薄膜于一基底上；(b)以等离子体氮化该高介电常数薄膜；(c)重复步骤(a)，形成另一高介电常数薄膜于先前形成的该高介电常数薄膜上；(d)重复步骤(b)，氮化最后形成的高介电常数薄膜。本发明以逐层氮化以及逐层回火的方式，将氮离子掺杂至多层高介电常数薄膜之中。
具有多层介电常数薄膜介电层制造方法

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN200710193991.X有效
发明人：余振华;姚亮吉 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2007-11-29 - 公布日： 2009-02-11 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置的制造方法，包括：提供半导体衬底；在该衬底上形成高介电常数介电层；在该高介电常数介电层上形成富硅薄膜；对该富硅薄膜实施处理步骤，其中至少部分该富硅薄膜通过导入掺杂物而键合至该高介电常数介电层；以及在该富硅薄膜之上形成导电层。本发明能够减少费米能阶钉扎的数量，降低费米能阶钉扎效应，从而提升整体装置的操作效率。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN200710186914.1有效
发明人：余振华;林正堂;姚亮吉 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2007-11-13 - 公布日： 2008-12-03 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体结构的形成方法，包含：提供半导体衬底；形成栅极介电层于上述半导体衬底上；形成含金属层于上述栅极介电层上；以及形成复合层于上述含金属层上。形成上述复合层的步骤包含：形成未掺杂的硅层，其实质上不含P型与N型的掺杂物；及形成硅层邻接于上述未掺杂的硅层。形成上述硅层的步骤包含就地掺杂第一掺杂物(或是需要换成：形成一硅层；然后形成未掺杂的硅层)。上述方法还包含执行退火的步骤，使上述硅层中的上述第一掺杂物扩散至上述未掺杂的硅层中。本发明的优点包含增加有效栅极电压、改善驱动电流、与改善调整所形成的金属氧化物半导体装置的栅极的功函数的能力。
半导体结构形成方法

[发明专利]互补式金氧半导体元件及其制造方法-CN200710167311.7有效
发明人：余振华;姚亮吉;林正堂 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2007-10-22 - 公布日： 2008-11-26 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明是关于一种互补式金氧半导体元件及其制造方法。一种具有功函数值约等于或小于4.3或4.4eV的P型金属材料层形成于高介电系数介电层之上，部分的N型金属层添加例如是氧、氮、碳、硅或其他物后，转换成P型金属材料，成为一具有高功函数值值约等于或大于4.7或4.8eV的P型金属材料。利用这项技术可使一碳化钽薄膜转换成碳氮化钽、碳氮化钽、或碳氮氧化钽。包括原始N型金属部分和已转换的P型金属部份的材料层利用单一图刻操作以同时在未转换的N型金属区域和已转换的P型金属区域形成半导体元件。
互补式金氧半导体元件及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN200710088958.0有效
发明人： 姚亮吉;金鹰;陶宏远;陈世昌;梁孟松 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2007-03-26 - 公布日： 2008-04-23 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置包括：一半导体基底，包括一第一有源区以及一第二有源区；一第一硅化结构，形成于该第一有源区，其中该第一硅化结构具有一第一金属浓度；以及一第二硅化结构，形成于该第二有源区，其中该第二硅化结构具有一第二金属浓度，该第二金属浓度不等于该第一金属浓度。本发明的半导体装置及其制造方法在简化整体CMOS制造工艺整合的同时，达到调整PMOS与NMOS装置之间功能的特性，并且本发明所揭示的技术也可在相同的集成电路中提供具有不同栅极高度的栅极。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]具有连续接触蚀刻停止层的金属氧化物半导体元件-CN200710102170.0有效
发明人： 姚亮吉;王祥保;林焕哲;徐鹏富;金鹰;陶宏远 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2007-04-29 - 公布日： 2008-04-23 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体结构，包括一基板，一栅极堆栈于该基板上，一源极/漏极区域邻近该栅极堆栈，一源极/漏极硅化物区域于该源极/漏极区域上，一保护层于该源极/漏极硅化物区域上，其中位于该栅极堆栈上的一区域大致上无该保护层，以及一接触蚀刻停止层具一应力于该保护层上，且延伸于该栅极堆栈上。
具有连续接触蚀刻停止金属氧化物半导体元件

[发明专利]晶体管及半导体装置的制作方法-CN200710129200.7有效
发明人： 姚亮吉;陶宏远;陈世昌;梁孟松 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2007-07-13 - 公布日： 2008-04-09 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供一种晶体管及半导体装置的制作方法。上述半导体装置的制作方法，包括形成第一栅极堆叠层，其包含第一及第二含硅层，且具有介于该第一及第二含硅层之间的第一蚀刻停止层，其中该第一含硅层的高度至少为该第一栅极堆叠层高度的1/3。上述半导体装置的制作方法，还包括移除该第二含硅层及该第一蚀刻停止层；以及进行反应该第一含硅层与第一金属的步骤，以硅化该第一含硅层。因此，可形成具有不同栅极高度的全硅化物栅极。较薄的第一含硅层可提供在硅化时较低的热预算，以及在全硅化物栅极中较佳的硅化浓度的均匀度。
晶体管半导体装置制作方法

[发明专利]气体供应装置-CN200710093756.5无效
发明人： 姚亮吉;陈佳麟;王铭芳;游明丰;李昆池;陈世昌 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2007-04-18 - 公布日： 2007-10-24 - 主分类号： C23F1/08 文献下载
摘要：本发明提供一种气体供应装置，包括：一第一气体来源，提供惰性载气且连接于一第一管线；一第二气体来源，提供无水反应气体且连接于一第二管线；一第三气体来源，提供具有化学成份的气体且连接于一第三管线；一主管线，连接于该第一管线、第二管线及第三管线，以供应一混合气体，其中该混合气体是具有惰性载气、无水反应气体及具有化学成份的气体；及一温度控制器，位于该第二管线上。本发明所述的气体供应装置，具有良好蚀刻均匀性且又具低污染的优势洁净制程。
气体供应装置

[发明专利]半导体元件制造方法及电容器的制造方法-CN200610003147.1有效
发明人： 姚亮吉;杨铭和;陈世昌;梁孟松 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2006-02-16 - 公布日： 2006-12-06 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体元件制造方法及电容器的制造方法，具体涉及一种使用激光瞬间退火制造半导体元件的方法，包括提供一具有一表面的半导体基底，形成一栅极介电层于半导体基底的表面上，对栅极介电层进行一激光退火制程，在激光瞬间退火制程之后，图形化栅极介电层且至少形成一栅极介电结构。之后，形成一源极和漏极区以形成一晶体管，并通过连接源极和漏极区以形成一电容器。本发明所述半导体元件制造方法及电容器的制造方法，在较少的聚集性、扩散性和热预算成本下，对栅极介电层或电容器介电层进行退火，以得到较佳的电性。
半导体元件制造方法电容器

[实用新型]金属氧化物半导体场效应晶体管-CN200420112318.0无效
发明人：王志豪;陈尚志;王焱平;邱显光;姚亮吉;胡正明 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2004-11-01 - 公布日： 2006-06-14 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种金属氧化物半导体场效应晶体管，包括：位于基底上的高介电常数栅极介电质，以及位于该栅极介电质上的栅极电极，且栅极介电质突出于栅极电极外。栅极的每一侧形成有深源极和深漏极，其具有浅延伸区。深源极与深漏极区通过选择性原位掺杂外延法或离子注入法形成，延伸区通过选择性原位掺杂外延法形成。延伸区位于栅极下方并与栅极介电质接触。栅极介电质的材料以及其突出至栅极电极外的程度可以选择，以使外延及其相关步骤不会引发栅极电极与源极/漏极延伸区间发生桥接而导致的短路。
金属氧化物半导体场效应晶体管

[发明专利]金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法-CN200410086769.6有效
发明人：王志豪;陈尚志;王焱平;邱显光;姚亮吉;胡正明 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2004-11-01 - 公布日： 2005-09-21 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法。该金属氧化物半导体场效应晶体管包括：位于基底上的高介电常数栅极介电质，以及位于该栅极介电质上的栅极电极，且栅极介电质突出于栅极电极外。栅极的每一侧形成有深源极和深漏极，其具有浅延伸区。深源极与深漏极区通过选择性原位掺杂外延法或离子注入法形成，延伸区通过选择性原位掺杂外延法形成。延伸区位于栅极下方并与栅极介电质接触。栅极介电质的材料以及其突出至栅极电极外的程度可以选择，以使外延及其相关步骤不会引发栅极电极与源极/漏极延伸区间发生桥接而导致的短路。
金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法

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