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[发明专利]一种改进的反步法控制器及参数整定方法-CN202111182531.3在审
发明人：王素珍;辛诚;王焱平 -专利权人：青岛理工大学
申请日： 2021-10-11 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： G05B19/042 文献下载
摘要：本发明公开一种改进的反步法控制器及参数整定方法，该控制器运用一种非线性跟踪微分器作为滤波器，改善了原有反步法控制的复杂性爆炸问题。通过自抗扰控制算法中的线性扩张状态观测器逼近非线性函数，使被控非线性系统线性化，减低系统复杂程度。通过反步法实现对高阶系统的有效控制，提升了控制系统的自适应性。通过改进的连续动作强化学习器整定控制器的参数，避免了繁琐的人工经验整定，使控制效果得到优化，提高了整定效率，并且保证了整定过程中系统的稳定性，提高了参数整定过程中的安全性。本发明适应于不确定性非线性系统的跟踪控制，尤其适应于高阶非线性系统的运动控制，以及大时滞系统的过程控制，如：无人飞行器姿态控制、化工反应器、供暖系统温度控制等。
一种改进步法控制器参数方法

[发明专利]用以消除共模突波干扰的主动负载主宰电路-CN200810173899.1有效
发明人： 王焱平;王燕晖;陈培元 -专利权人：绿达光电股份有限公司
申请日： 2008-11-21 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：本发明是关于一种用以消除共模突波干扰的主动负载主宰电路，其偏压于一第一电压和一第二电压之间，且一共模突波伴随其间。该主动负载主宰电路包括一对提升电路及一对主动负载电路。该共模突波是经由该对提升电路的对称结构而对消。至少一SET信号及至少一RESET信号反应于一脉冲信号或一互补脉冲信号而提供给一闩锁器。至少一SET信号或一RESET信号可被提升至该第一电压或拉低至该第二电压。该SET信号与该RESET信号的电压差足够驱动一闩锁器。
用以消除共模突波干扰主动负载主宰电路

[实用新型]数控气爆泉-CN200920119859.9无效
发明人： 王焱平;鲁定尧;陈燕群;石昌连;贾志学 -专利权人：宁波市佳音机电科技有限公司
申请日： 2009-05-13 - 公布日： 2010-03-24 - 主分类号： B05B17/08 文献下载
摘要：本实用新型涉及景观或音乐喷泉设备领域，是一种数控气爆泉，是针对现有喷泉或跑泉结构欠佳导致水柱形态效果不理想的技术问题而设计的。其设计要点是该数控气爆泉的设有至少一组数控阀、进水器、储水器、万向喷头、单向阀、气囊组成的气爆发生器，气爆发生器的单向阀与气管连接，气管与储气筒连接，储气筒与空压机连接。空压机的气体经过储气筒、气管、单向阀快速充满气囊，通过后台电脑控制数控阀通电和万向喷头转向，高压气体将储水器的水从万向喷头快速喷出，并伴随“砰”的声响。其对水质的要求较低，喷泉变化灵活多样、速度快、响声大、水柱高、气势宏伟，适用于商业广场、酒店、公园等大型公共场所的景观布置和气氛渲染。
数控气爆泉

[实用新型]水帘系统-CN200920117436.3有效
发明人： 王焱平;鲁定尧;陈燕群 -专利权人：宁波市佳音机电科技有限公司
申请日： 2009-04-10 - 公布日： 2010-01-13 - 主分类号： B05B17/00 文献下载
摘要：涉及景观设备领域的一种水帘系统，是针对现有水帘系统的图案和水景造型单一不变的技术问题而设计的。该水帘系统包括水帘形成、接收、辅助部分和水帘控制系统，水帘系统的水帘形成部分与水帘接收部分通过水帘架连为一体，通过水帘控制系统控制水帘形成、接收、辅助部分的工作；水帘形成部分设有上水箱组件，水帘接收部分设有下水箱组件；其要点在于所述上水箱组件的上水箱设有电磁阀，电磁阀与喷头连接；下水箱组件的下水箱内设有水泵，下水箱通过水泵的水管与上水箱连接；下水箱上设有过滤网框，海绵置于过滤网框内。本实用新型设计合理，结构简单，节能环保，水帘图案变化和水景造型灵活多样，适用于商场、公园等大型公共场所的景观布置。
水帘系统

[实用新型]电磁泵-CN200820120783.7无效
发明人：鲁定尧;王焱平;陈燕群 -专利权人：宁波市佳音机电科技有限公司
申请日： 2008-07-04 - 公布日： 2009-04-22 - 主分类号： F04B17/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种电磁泵，是针对电磁泵密封结构欠佳、电磁线圈不能旋转而设计的。设计要点是隔磁管一端连接泵芯座，另一端连接进水压板，泵芯座连接出水压板，其对应的连接处设有密封圈；隔磁管内设有弹簧、活动泵芯、第一阀芯、泵芯弹簧、压盖；泵芯座内设有第二阀芯、泵芯座弹簧、泵芯座压盖；壳体内设有电磁线圈，电磁线圈连接导磁套；导磁套连接隔磁管，导磁套的中段设有隔磁套；电磁线圈在壳体内能旋转；进水压板和出水压板通过螺丝压紧固定壳体。本实用新型的具有密封性能良好，电磁线圈在壳体内可旋转，引线外接方便的特点，适用于小家电液体输送装置配套。
电磁

[实用新型]金属氧化物半导体场效应晶体管-CN200420112318.0无效
发明人：王志豪;陈尚志;王焱平;邱显光;姚亮吉;胡正明 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2004-11-01 - 公布日： 2006-06-14 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种金属氧化物半导体场效应晶体管，包括：位于基底上的高介电常数栅极介电质，以及位于该栅极介电质上的栅极电极，且栅极介电质突出于栅极电极外。栅极的每一侧形成有深源极和深漏极，其具有浅延伸区。深源极与深漏极区通过选择性原位掺杂外延法或离子注入法形成，延伸区通过选择性原位掺杂外延法形成。延伸区位于栅极下方并与栅极介电质接触。栅极介电质的材料以及其突出至栅极电极外的程度可以选择，以使外延及其相关步骤不会引发栅极电极与源极/漏极延伸区间发生桥接而导致的短路。
金属氧化物半导体场效应晶体管

[发明专利]晶体管及形成应变沟道元件的方法-CN200510085273.1有效
发明人：黄怡君;王焱平;柯志欣 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2005-07-22 - 公布日： 2006-04-19 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种晶体管及形成应变沟道元件的方法，所述应变沟道晶体管包括第一材料所组成的基底。一由第二材料所组成的源极区是形成在基底的第一凹陷中，且一由第二材料所组成的漏极区是形成在基底的第二凹陷中。一由第一材料形成的应变沟道区是位于源极区和漏极区之间。一形成在应变沟道区上的堆叠栅极包括一位于一栅极介电层上的栅电极。一沿着栅电极侧壁的栅极间隙壁位于源极区和漏极区的至少的部分区域上。一盖层可形成于第二材料上，且源极区和漏极区可硅化。本发明是保存应变沟道元件的完整栅极结构。特别是，可避免或是减少栅极结构的损坏。
晶体管形成应变沟道元件方法

[发明专利]局部金属硅化的取代栅极-CN200510072300.1有效
发明人：王志豪;王焱平;胡正明 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2005-05-30 - 公布日： 2006-02-01 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：一种完全金属硅化的取代栅极的形成工艺，用以制造出含有均匀厚度的金属硅化的栅极。首先，形成栅极介电质于基材之上。之后，形成含硅层于栅极介电质之上。接着，形成介电层于含硅层之上。然后，形成顶层于介电层之上。将栅极介电质、含硅层、介电层与顶层图案化为栅极堆，再沿着此栅极堆的一边形成间隙壁。最后去除顶层与介电层，之后再沉积金属层在含硅层之上并且硅化此金属层。
局部金属硅取代栅极

[发明专利]金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法-CN200410086769.6有效
发明人：王志豪;陈尚志;王焱平;邱显光;姚亮吉;胡正明 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2004-11-01 - 公布日： 2005-09-21 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法。该金属氧化物半导体场效应晶体管包括：位于基底上的高介电常数栅极介电质，以及位于该栅极介电质上的栅极电极，且栅极介电质突出于栅极电极外。栅极的每一侧形成有深源极和深漏极，其具有浅延伸区。深源极与深漏极区通过选择性原位掺杂外延法或离子注入法形成，延伸区通过选择性原位掺杂外延法形成。延伸区位于栅极下方并与栅极介电质接触。栅极介电质的材料以及其突出至栅极电极外的程度可以选择，以使外延及其相关步骤不会引发栅极电极与源极/漏极延伸区间发生桥接而导致的短路。
金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法

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