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[发明专利]半导体开关器件、制造方法及半导体装置-CN202210846401.3在审
发明人：黄汇钦;吴龙江;曾健忠 -专利权人： 天狼芯半导体（成都）有限公司
申请日： 2022-07-19 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本申请适用于半导体器件领域，提供了一种半导体开关器件、制造方法及半导体装置，所述半导体开关器件的制造方法包括：形成漏极层，在漏极层的一侧表面形成电子迁移层，在电子迁移层远离漏极层的一侧表面形成源极层，在源极层上形成贯通至电子迁移层远离漏极层的一侧表面的凹槽，其中，凹槽的至少部分内侧壁所在平面与电子迁移层靠近源极层的表面所在平面形成的夹角为钝角，在凹槽内形成栅极，栅极与源极层绝缘设置。通过上述方案，使得凹槽底部的尖端放电缺陷问题得到改善，避免导致半导体器件区域的损伤，从而提高半导体器件的性能。
半导体开关器件制造方法装置

[发明专利]一种增强型氮化镓HEMT器件及其制备方法-CN202210782570.5在审
发明人：黄汇钦;吴龙江 -专利权人： 天狼芯半导体（成都）有限公司
申请日： 2022-07-05 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本申请属于功率器件技术领域，提供了一种增强型氮化镓HEMT器件及其制备方法，增强型氮化镓HEMT器件包括氮化镓层、氮化镓帽层、氮化硅层、源极区、漏极区、P型掺杂区、栅极层、场板延伸层以及气桥场板层，通过在与P型掺杂区互不接触的位置设置场板延伸层，采用气桥场板层连接于源极区与场板延伸层，可以在形成栅极层时同时沉积金属形成场板延伸层，并通过调节场板延伸层的面积完成漏极端与栅极端之间的电场调节，避免了气桥场板层与氮化硅之间无法形成大面积接触，且容易发生脱落导致开路的问题，提升了功率器件的可靠性和性能。
一种增强氮化 hemt 器件及其制备方法

[实用新型]变压器结构、平板变压器以及电子设备-CN202220694733.X有效
发明人：曾健忠 -专利权人： 天狼芯半导体（成都）有限公司
申请日： 2022-03-28 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01F27/28 文献下载
摘要：本实用新型属于变压器技术领域，提供了一种变压器结构、平板变压器以及电子设备，其中，变压器结构包括PCB板、原边绕组、副边绕组，PCB板至少包括依次层叠设置的第一金属层、第二金属层，原边绕组设置于第一金属层，副边绕组设置于第二金属层，通过设置原边绕组与副边绕组的走线方向相反，使得副边绕组的感应磁场与原边绕组的感应磁场相反，实现磁性相消，从而从结构设计上减小变压器的EMI，避免额外增加抑制元器件的使用，达到有效降低EMI的效果。
变压器结构平板以及电子设备

[实用新型]一种万用表测量线及测量组件-CN202220712289.X有效
发明人：方洪福 -专利权人： 天狼芯半导体（成都）有限公司
申请日： 2022-03-28 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： G01R1/06 文献下载
摘要：本申请提供了一种万用表测量线，包括第一连接线、第二连接线、连接主线和连接器，所述第一连接线包括电连接的第一导线和探针，所述探针用于触碰所述待测量端；所述第二连接线包括电连接的第二导线和夹头，所述夹头用于夹持所述待测量端；所述连接主线包括电连接的第三导线和连接头，所述连接头用于连接至万用表；所述连接器包括连接板，所述连接板与所述第一导线、所述第二导线及所述第三导线均电连接，以使得所述第一导线与所述第二导线均和所述第三导线电连接。本申请还提供了一种测量组件，包括万用表和两根万用表测量线，两根万用表测量线均与万用表可拆卸连接。本申请解决用户在使用万用表时由于需要频繁更换测量线而导致工作效率低的问题。
一种万用表测量组件

[发明专利]一种平面氮化镓器件及其制备方法-CN202210711355.6在审
发明人：黄汇钦;吴龙江 -专利权人： 天狼芯半导体（成都）有限公司
申请日： 2022-06-22 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本申请属于半导体技术领域，提供了一种平面氮化镓器件及其制备方法，平面氮化镓器件包括：源极区、漏极区、沟道层、势垒层、钝化层和栅极区；其中，源极区包括源极主体和多个源极单元；漏极区包括漏极主体和多个漏极单元；栅极区包括栅极主体和多个栅极单元；其中，每个栅极单元分段设置，且每个栅极单元设置于对应的多个漏极单元与多个源极单元之间。通过每个栅极单元分段设置，且每个栅极单元设置于对应的多个漏极单元与多个源极单元之间，将栅极单元进行分段设置，其中，在器件的边缘区域与中间区域使用不同的栅极结构，可以解决现有的氮化镓器件都容易在边缘区域发生击穿效应，导致器件无法继续工作的问题。
一种平面氮化器件及其制备方法

[发明专利]一种平面型功率MOS器件及其制备方法-CN202210713117.9在审
发明人：黄汇钦;吴龙江 -专利权人： 天狼芯半导体（成都）有限公司
申请日： 2022-06-22 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本申请属于半导体技术领域，提供了一种平面型功率MOS器件及其制备方法，平面型功率MOS器件包括：半导体衬底、N型阱区、P型阱区、栅极氧化层、栅极金属层、源极区、P型掺杂区、隔离区、漏极区以及栅极冗余区、漏极冗余区、源极冗余区中的至少一项。通过在平面型功率MOS器件中设置栅极冗余区、漏极冗余区、源极冗余区中的至少一项；使得平面型功率MOS器件边缘区域的击穿效应大大减小，减小平面型功率器件的电场和应力，并且，由于栅极冗余区、漏极冗余区、源极冗余区只是设置在平面型功率MOS器件的边缘区域，所以同时保留了平面型功率MOS器件中间区域的性能，最大限度地保留了器件的性能，同时提升了功率MOS器件的耐压能力。
一种平面功率 mos 器件及其制备方法

[发明专利]一种氮化镓功率器件及其制备方法-CN202210782596.X在审
发明人：黄汇钦;吴龙江 -专利权人： 天狼芯半导体（成都）有限公司
申请日： 2022-07-05 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本申请属于功率器件技术领域，提供了一种氮化镓功率器件及其制备方法，氮化镓功率器件包括氮化镓层、氮化镓帽层、氮化硅层、源极区、漏极区、第一栅极层、第二栅极层、预埋场板层以及气桥场板层，通过将面积小于所述第二栅极层的面积的第一栅极层设于第二栅极层与氮化镓帽层之间，并同时在与第二栅极层互不接触的位置设置预埋场板层，并采用气桥场板层连接于源极区与预埋场板层，可以在只增加一道光罩的成本下，设计出一套工艺流程同时完成漏极端与栅极端之间的电场调节，提升了功率器件的可靠性和性能。
一种氮化功率器件及其制备方法

[发明专利]一种平面型功率器件及其制备方法-CN202210711362.6在审
发明人：黄汇钦;吴龙江 -专利权人： 天狼芯半导体（成都）有限公司
申请日： 2022-06-22 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本申请属于半导体技术领域，提供了一种平面型功率器件及其制备方法，平面型功率器件包括：半导体衬底、N型阱区、P型阱区、栅极氧化层、栅极金属层、源极区、隔离区、漏极区以及反型层。N型阱区和P型阱区均位于半导体衬底上；栅极氧化层位于N型阱区和P型阱区上；栅极金属层位于栅极氧化层上；源极区与栅极氧化层接触；隔离区设于漏极区与栅极氧化层之间，反型层设于N型阱区与漏极区之间；且反型层的掺杂类型与漏极区的掺杂类型不同。本申请通过在漏极区和N型阱区之间设置反型层，如此操作可以在不增大平面型功率器件的基础上提升平面型功率器件的耐压能力，解决了现有的平面型功率器件存在体积较大，耐压性能差的问题。
一种平面功率器件及其制备方法

[发明专利]一种大电流功率器件及其制备方法、集成电路-CN202210612434.1在审
发明人：曾健忠 -专利权人： 天狼芯半导体（成都）有限公司
申请日： 2022-05-31 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H02M1/00 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，主要提供了一种大电流功率器件，包括：多个全控型功率器件、多个补偿电容模块以及电容测量模块。其中，多个全控型功率器件的第一端共接，多个全控型功率器件的第二端共接；多个补偿电容模块与多个全控型功率器件一一对应，每个补偿电容模块设于对应的全控型功率器件的控制端和第一端之间；电容测量模块用于测量每个全控型功率器件的控制端与第一端之间的寄生电容，并根据寄生电容控制对应的补偿电容模块的电容值，以使全控型功率器件的第一端与控制端之间的电容相等，使得多个全控型功率器件在并联情况下具有匹配的开关速度特性，避免了大电流功率器件出现开关功耗过大、容易出现涌浪电流等问题。
一种电流功率器件及其制备方法集成电路

[发明专利]纳米片器件的结构、制造方法及电子设备-CN202210339960.5在审
发明人：曾健忠 -专利权人： 天狼芯半导体（成都）有限公司
申请日： 2022-04-01 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种纳米片器件的结构、制造方法及电子设备，属于半导体技术领域，通过包括第一纳米片堆叠部以及栅极结构；第一纳米片堆叠部在水平面呈H型，包括平行交替设置的多个牺牲层和多个纳米片层；其中，在纳米片层中，第一半导体类型区、第二半导体类型区以及第三半导体类型区沿横向方向依次排列，且第二半导体类型区位于H型的横线位置的中间；在垂直方向上与第二半导体类型区重叠的牺牲层的区域镂空，且在镂空区域环绕第二半导体类型区设置栅极结构；从而避免了纳米线的复杂制作工艺，简化了器件设计并降低了成本。且第二半导体类型区的宽长比可调，使得纳米片功率器件的栅极宽长比可调，提高了纳米片功率器件设计的灵活性。
纳米器件结构制造方法电子设备

[发明专利]一种介电结构的制备方法、介电结构-CN202210451165.5在审
发明人：曾健忠 -专利权人： 天狼芯半导体（成都）有限公司
申请日： 2022-04-24 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请属于半导体技术领域，提供了一种介电结构的制备方法、介电结构，通过采用第二半导体层作为保护层，对其与衬底之间的第二半导体层进行氧化处理形成介电层，并在第二半导体层的位置形成具有角度的接触金属层，从而提升金属半导体接触部分的金属边缘的半导体反向电场，达到提高功率器件的反向耐压和可靠度的目的。
一种结构制备方法

[发明专利]金半接触器件的结构、制造方法及电子设备-CN202210454849.0在审
发明人：曾健忠 -专利权人： 天狼芯半导体（成都）有限公司
申请日： 2022-04-24 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种金半接触器件的结构、制造方法及电子设备，属于半导体技术领域，通过包括衬底、边缘环结构和金属层；边缘环结构位于衬底中；金属层覆盖衬底且显露边缘环结构；其中，边缘环结构包括n个离子掺杂阱区；n为大于1的自然数；第i离子掺杂阱区位于第i+1离子掺杂阱区中；i为小于n的正整数；由于金属层覆盖所述衬底且显露所述边缘环结构，同时，边缘环结构包括n个离子掺杂阱区；第i离子掺杂阱区位于第i+1离子掺杂阱区中；使得金属层的边缘因嵌套的离子掺杂阱区形成逐渐减弱的电场分布，提高了器件最大反向偏压和器件的可靠度。
接触器件结构制造方法电子设备

[发明专利]纳米片功率器件的结构、制造方法及电力电子设备-CN202210339394.8在审
发明人：曾健忠 -专利权人： 天狼芯半导体（成都）有限公司
申请日： 2022-04-01 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种纳米片功率器件的结构、制造方法及电力电子设备，属于半导体技术领域，通过纳米片堆叠部位于隔离层的上表面，在水平面呈H型，包括平行交替设置的多个牺牲层和多个第二纳米片层；在第二纳米片层中，第一半导体类型区、第二半导体类型区、第三半导体类型区以及第四半导体类型区沿横向方向依次排列，且第二半导体类型区位于H型的横线位置的中间；在垂直方向上与第二半导体类型区重叠的牺牲层的区域镂空，且在镂空区域环绕第二半导体类型区设置栅极结构；第一纳米片层位于隔离层的下表面，在第一纳米片层中，第五半导体类型区、第六半导体类型区以及第七半导体类型区沿横向方向依次排列；提高了开关速度，简化了工艺。
纳米功率器件结构制造方法电力电子设备

[发明专利]纳米片功率器件的结构、制造方法及电力电子设备-CN202210339952.0在审
发明人：曾健忠 -专利权人： 天狼芯半导体（成都）有限公司
申请日： 2022-04-01 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种纳米片功率器件的结构、制造方法及电力电子设备，属于半导体技术领域，通过包括纳米片堆叠部以及栅极结构；纳米片堆叠部在水平面呈H型，包括平行交替设置的多个牺牲层和多个纳米片层；其中，在纳米片层中，第一半导体类型区、第二半导体类型区、第三半导体类型区以及第四半导体类型区沿横向方向依次排列，且第二半导体类型区位于H型的横线位置的中间；纳米片层还包括位于第三半导体类型区的凹角位置的第五半导体类型区；在垂直方向上与第二半导体类型区重叠的牺牲层的区域镂空，且在镂空区域环绕第二半导体类型区设置栅极结构；第五半导体类型区和第三半导体类型区分别为N型区和P型区；提高了纳米片功率器件的反向耐压能力。
纳米功率器件结构制造方法电力电子设备

[发明专利]双端口SRAM单元及SRAM存储器-CN202210339958.8在审
发明人：曾健忠 -专利权人： 天狼芯半导体（成都）有限公司
申请日： 2022-04-01 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： G11C11/416 文献下载
摘要：一种双端口SRAM单元及SRAM存储器，包括第一反相器、第二反相器、第一写传输晶体管、第二写传输晶体管、第一读传输晶体管以及第二读传输晶体管；第一反相器包括第一上拉晶体管和第一下拉晶体管，第二反相器包括第二上拉晶体管和第二下拉晶体管，第一写传输晶体管和第一读传输晶体管均与第一反相器连接，第二写传输晶体管和第二读传输晶体管均与第二反相器连接；其中，第一写传输晶体管的导通电流和第二写传输晶体管的导通电流均通过器件尺寸参数的调整、沟道特性参数的调整和/或栅极特性参数的调整得到增大；在不改变晶圆厂固有的制程下，提高了写数据能力。
端口 sram 单元存储器