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[发明专利]一种尖晶石微米颗粒的球差矫正TEM样品制备方法-CN202010215865.5有效
发明人：王磊;曲迪;姬静远;白国人;陈帅;陈景春 -专利权人： 天津华慧芯科技集团有限公司
申请日： 2020-03-24 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： G01N23/2005 文献下载
摘要：本发明公开了一种尖晶石微米颗粒的球差矫正TEM样品制备方法，属于材料加工技术领域，其特征在于，包括如下步骤：S1、制样和筛选颗粒，其中，制样过程：首先准备一片1cm×1cm硅片，用牙签或棉签蘸取适量粉末样品，将粉末样品蹭在上述硅片上；然后用高压氮气枪间断的吹5～10次；最后用双面碳胶带将硅片固定在样品台上；筛选颗粒过程：首先，进样后，移动样品台，在SEM下寻找单独的、无磨损的、待观察的截面垂直于硅片表面的颗粒；然后，通过旋转样品台，将要提取的颗粒截面方向转平；S2、沉积pt保护层；S3、挖大槽；S4、U形切，S5、提取薄片；S6、放样；S7、减薄和低电压清洗。
一种尖晶石微米颗粒矫正 tem 样品制备方法

[发明专利]一种在二维材料上加工光栅的方法-CN202110798895.8有效
发明人：王磊;曲迪;陈帅;王俊;李宗宴;李文喆;刘新鹏 -专利权人： 天津华慧芯科技集团有限公司
申请日： 2021-07-15 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： G02B5/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种在二维材料上加工光栅的方法，属于半导体材料加工技术领域，其特征在于，包括如下步骤：S1、FIB加工套刻标记；S2、SEM拍照；S3、制作加工版图；S4、片源预处理；S5、涂胶；S6、EBL套刻；S7、显影；S8、RIE刻蚀；S9、去胶。本发明通过FIB在待加工位置周边直接刻蚀标记，然后将包括标记和待加工位置的SEM照片导入画图软件，根据SEM照片可以直观的判断出待加工位置的相对坐标和方向，然后通过EBL自动套刻的方式，将图形曝光在待加工区域。该方法可以实现加工位置误差小于500nm，角度误差小于0.1°；并且该方法工艺步骤较少，成本低，出错率低。
一种二维材料加工光栅方法

[发明专利]一种可实现端面低粗糙度的光学调制器结构及制备方法-CN202210780612.1有效
发明人：陈帅;乔石珺;曲迪;宋学颖;于帅;李玉源;杨磊;于坤鹏;庞传青;陈景春 -专利权人： 天津华慧芯科技集团有限公司
申请日： 2022-07-05 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种可实现端面低粗糙度的光学调制器结构及制备方法，属于集成光学技术领域，其特征在于，从下到上依次包括：衬底层、光学过渡层、光学功能层、电光互联层、涂覆缓冲层、黏着固定层和陪片；其中：所述光学过渡层的材料折射率不高于光学功能层的材料折射率；所述光学功能层为导光层；所述电光互联层为电信号传输通路。本发明为解决不同材料的光学调制器封装过程中端面粗糙的问题；采用优化的结构配合加工工艺得到低粗糙度的端面，可适用于各种类型材料的光学调制器的封装工艺。
一种实现端面粗糙光学调制器结构制备方法

[实用新型]一种光学及半导体器件端面磨抛夹具-CN202221392521.2有效
发明人：陈帅;乔石珺;曲迪;宋学颖;于帅;李玉源;杨磊;于坤鹏;庞传青;陈景春 -专利权人： 天津华慧芯科技集团有限公司
申请日： 2022-05-26 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： B24B41/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种光学及半导体器件端面磨抛夹具，属于光学器件磨抛技术领域，包括固定待磨抛器件的夹片；其特征在于，还包括外壳，所述外壳上开设有放置待磨抛器件的放置孔，在所述外壳上安装有：调节夹片和固定待磨抛器件之间距离的螺丝；带动螺丝沿直线运动的动力杆；所述动力杆与夹片之间为垂直关系；带动第一动力杆同步运动的转动杆；其中：所述转动杆和动力杆之间通过联动机构连接；所述动力杆和转动杆之间为平行关系。本实用新型通过一个动力杆带动螺丝进退，进而实现对夹片的运动控制，保证了夹片受力的均匀性。
一种光学半导体器件端面夹具

[发明专利]一种可实现端面低粗糙度的激光器结构及其制作方法-CN202210783937.5有效
发明人：陈帅;乔石珺;曲迪;宋学颖;于帅;李玉源;杨磊;于坤鹏;庞传青;陈景春 -专利权人： 天津华慧芯科技集团有限公司
申请日： 2022-07-05 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01S5/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种可实现端面低粗糙度的激光器结构及其制作方法，属于集成光学技术领域，从下到上依次包括：第二陪片、下黏着固定层、下涂覆缓冲层、下电施加层、衬底层、过渡层、功能层、上包层、上电施加层、上涂覆缓冲层、上黏着固定层和第一陪片；衬底层用于支撑晶圆，过渡层是衬底层和功能层之间的过渡层；功能层通过激励层、谐振层、导光层，产生并增强输出光信号；上电施加层和下电施加层配合为施加电场提供金属信号通路；上涂覆缓冲层、下涂覆缓冲层在磨抛过程中起到保护和支撑作用；上黏着固定层和下黏着固定层将芯片与第一陪片、第二陪片固定，第一陪片、第二陪片使得在夹具中，芯片受力均匀，避免芯片表面局部应力过大导致芯片碎裂。
一种实现端面粗糙激光器结构及其制作方法

[发明专利]一种双层胶掩膜分步刻蚀亚纳米级精度波导工艺-CN202210582973.5在审
发明人：王磊;曲迪;李宗宴;付通;王谦;于帅;宋学颖 -专利权人： 天津华慧芯科技集团有限公司
申请日： 2022-05-26 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： G02B6/136 文献下载
摘要：本发明公开了一种双层胶掩膜分步刻蚀亚纳米级精度波导工艺，属于光芯片加工技术领域，包括：一、准备LNOI片；二、旋涂HSQ/ZEP：在LNOI片上旋涂HSQ/ZEP双层胶，ZEP为底层胶；对ZEP的厚度进行调控；三、光刻显影HSQ：利用电子束曝光波导图形，显影去除未曝光的HSQ；四、干法刻蚀ZEP：对刻蚀参数进行调控；五、分步刻蚀LN：首先利用CHF3和Ar等离子体进行短时间的常规刻蚀，然后利用CHF3等离子体进行更短时间的刻蚀，即利用化学刻蚀的各向同性减小LN波导的侧壁起伏，然后重复步骤五，直至完成刻蚀；六、去除HSQ/ZEP：采用丁酮溶液去除HSQ/ZEP掩膜。
一种双层胶掩膜分步刻蚀纳米精度波导工艺

[发明专利]一种图形拆分分步电子束光刻工艺-CN202210582969.9在审
发明人：李宗宴;王磊;李文喆;刘新鹏;孙峥;左胜阳;曲迪;宋学颖;于帅 -专利权人： 天津华慧芯科技集团有限公司
申请日： 2022-05-26 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种图形拆分分步电子束光刻工艺，属于半导体加工技术领域，其特征在于，使用JEOL JBX‑9500FS电子束光刻机，ZEP 520A光刻胶，完成如下工艺：S1、将小间隔尺度的图形拆分成m×n个小间隔尺度重复单元图形的矩阵；S2、将拆分后的小间隔尺度重复单元图形再次拆分成若干个大间隔尺度的重复单元图形；S3、先分步曝光初始矩阵点的若干个大间隔尺度的重复单元图形，再分步曝光同行相邻矩阵点的若干个大间隔尺度的重复单元图形，直到逐个逐行分步完成m×n个矩阵点的曝光，得到目标图形。
一种图形拆分分步电子束光刻工艺

[发明专利]分布反馈式激光器的新型电流阻挡层结构-CN202010177604.9有效
发明人：曲迪;白国人;王磊;陈帅;张煜;明辰 -专利权人： 天津华慧芯科技集团有限公司
申请日： 2020-03-13 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01S5/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种分布反馈式激光器的新型电流阻挡层结构，属于半导体技术领域，包括：第一种掺杂的半导体层、第二种掺杂的半导体层和电极层；第一种掺杂的半导体层内设置有第一电流阻挡层；第一电流阻挡层上开设有第一开口；第二种掺杂的半导体层内设置有第二电流阻挡层，第二电流阻挡层上开设有第二开口；第一开口位于第二开口的正下方。本发明通过对结区内外加电场分布的调制作用来调控结区内的电子和空穴复合效率，控制激光器的光电输出。通过使电场局限在小孔处来提高小孔区域有源区的电子与空穴浓度，从而提高载流子复合效率，提高发光效率；另一方面在空间上限制了发光区域的大小，使激光器的输出更为聚焦。
分布反馈激光器新型电流阻挡结构

[发明专利]一种集成大面积二维材料器件制备工艺-CN202110370199.7有效
发明人：王磊;曲迪;李宗宴;李文喆;陈帅 -专利权人： 天津华慧芯科技集团有限公司
申请日： 2021-04-07 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成大面积二维材料器件制备工艺，属于半导体加工技术领域，其特征在于，至少包括：S1、预处理；S2、涂胶；S3、电子束曝光；S4、显影；S5、刻蚀；S6、涂胶；S7、套刻；S8、蒸镀；S9、剥离。本发明通过选择合适的光刻胶和显影液，采用光刻胶直接做套刻标记，以及刻蚀二维材料后不去胶直接再涂胶的巧妙方法解决了二维材料吸附力不强、二维材料在显影和剥离等工艺过程容易脱落的技术问题。另外采用电子束光刻的方式，相对于紫外光刻的方式，省去光刻掩模版的制作步骤，非常灵活和便捷，具有非常高的加工效率，同时具有纳米级的加工精度。
一种集成大面积二维材料器件制备工艺

[发明专利]基于HSQ的电子束光刻制备套刻标记的方法-CN202010333134.0有效
发明人：曲迪;王文龙;王磊;白国人;陈帅;隋春雨 -专利权人： 天津华慧芯科技集团有限公司
申请日： 2020-04-24 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于HSQ的电子束光刻制备套刻标记的方法，属于光电子技术领域，其特征在于，至少包括如下步骤：S1、对晶圆进行脱水烘焙；S2、在晶圆上旋涂HSQ光刻胶后进行前烘；S3、电子束曝光；利用HSQ为负性光刻胶的特性，绘制mark曝光版图，用较少的时间曝光，完成对绘制版图的直写后显影；S4、高温坚膜烘焙；S5、根据需求旋涂后续工艺所需的光刻胶，将后续工艺版图按照步骤S3mark曝光版图建立的坐标系进行版图套刻；对顶层光刻胶进行显影；进行后续蒸镀或刻蚀工艺，并去除顶层光刻胶；S6、使用HF加去离子水或氨水：过氧化氢：去离子水溶液去除HSQ mark。
基于 hsq 电子束光刻制备标记方法

[发明专利]分布反馈式激光器的不规则反射镜结构-CN202011457059.5有效
发明人：宋学颖;明辰;白国人;王磊;林海鹏;陈帅;陈景春;曲迪 -专利权人： 天津华慧芯科技集团有限公司
申请日： 2020-12-10 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01S5/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种分布反馈式激光器的不规则反射镜结构，属于半导体技术领域，包括：第一种掺杂的半导体层、反射镜层、第二种掺杂的半导体层、多量子阱有源层和电极层；第一种掺杂的半导体层与多量子阱有源层之间设置有不规则反射镜结构。本发明通过反射镜对结区内光场分布的调制作用来增强光场密度，控制激光器的光电输出；通过在有源层下方加上一层金属反射镜，有源区发出的光子可以再度被反射回量子阱，一定程度上增加了反射回量子阱的光子数量，从而提升进入谐振腔内的光子数量，增加复合辐射的概率，达到提高出光效率和出光强度的效果。而且V型凹槽可以增加反射面积，反射出的光子密度较普通的反射镜高；进一步提高出光效率和出光强度。
分布反馈激光器不规则反射结构

[发明专利]一种防光刻胶漂胶和裂胶的工艺-CN202210151780.4在审
发明人：王磊;刘新鹏;李宗宴;李文喆;孙峥;付通;宋学颖;曲迪 -专利权人： 天津华慧芯科技集团有限公司
申请日： 2022-02-18 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种防光刻胶漂胶和裂胶的工艺，属于半导体加工技术领域，包括：S1、选取所需材料的衬底作为待加工晶圆，然后在晶圆上加工套刻标记；S2、在晶圆上沉积过渡层；S3、对晶圆依次进行预处理、旋涂ZEP 520A光刻胶、烘烤，然后对晶圆进行套刻曝光，制作将目标图形线宽扩大后的图形，并对晶圆进行显影，最后进行烘烤坚膜；S4、刻蚀晶圆过渡层；S5、对晶圆进行去胶；S6、对晶圆依次进行预处理、旋涂ZEP 520A光刻胶、烘烤，然后对晶圆进行套刻曝光，制作目标图形，并对晶圆进行显影；S7、沉积目标金属；S8、对晶圆进行剥离；S9、去除过渡层，得到目标结构。本发明能够防止光刻胶漂胶和裂胶。
一种光刻胶漂胶工艺

[发明专利]一种电子束光刻制备亚微米闪耀光栅压印模板及其方法-CN202111361056.6在审
发明人：王磊;李宗宴;李文喆;刘新鹏;孙峥;杨子曦;宋学颖;曲迪 -专利权人： 天津华慧芯科技集团有限公司
申请日： 2021-11-17 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： G02B5/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种电子束光刻制备亚微米闪耀光栅压印模板及其方法，属于半导体技术领域，其特征在于，包括：S1、在片源上涂胶；S2、电子束曝光；S3、显影；S4、SEM表征；S5、制作曝光版图；S6、Beamer软件模拟曝光剂量；S7、二次涂胶；S8、二次电子束曝光；S9、二次显影；S10、坚膜；S11、ICP刻蚀；S12、去胶。本发明提出一种可以制备周期500nm，闪耀角曲率半径10nm的闪耀光栅压模板的方法，并且周期在100nm到500nm之间和闪耀角在10°到50°之间可以连续调节。
一种电子束光刻制备微米闪耀光栅压印模板及其方法

[发明专利]一种双偏振输出量子密钥分发光源及其制备方法-CN202010177597.2有效
发明人：曲迪;余竞航;白国人;王磊;陈帅;陈景春 -专利权人： 天津华慧芯科技集团有限公司
申请日： 2020-03-13 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种双偏振输出量子密钥分发光源及其制备方法，属于半导体技术领域，其特征在于，至少包括如下步骤：S1、以LED外延片为衬底，首先制备5～10微米宽的分隔槽，进而将芯片分为两个独立的发光区域，并填充绝缘介质进行隔离；S2、外延片衬底上制备二氧化硅隔离层，并在发光区域周围腐蚀出电极接触区域；制备出两块金属电极，用于实现两个分区域的分别导通；S3、以上述分隔槽为轴，两边各取一个半圆形区域制备金属线栅，组成圆形发光区域，上述圆形发光区域的直径在20～100微米，两边线栅的方向相差45°；S4、最后制备出微透镜，使两种偏振态的输出光汇聚。
一种偏振输出量子密钥分发光源及其制备方法

[实用新型]一种用于表征样品喷金的截面样品台-CN202022987861.7有效
发明人：王俊;陈帅;白国人;王磊;明辰;林海鹏;陈景春;曲迪 -专利权人： 天津华慧芯科技集团有限公司
申请日： 2020-12-10 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： G01N1/32 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于表征样品喷金的截面样品台，属于半导体材料技术领域，包括抛光样品台底座、截面样品喷金台和截面样品贴片；抛光样品台底座上表面开设有竖直方向上的垂直孔和水平方向上的螺纹孔，垂直孔和螺纹孔连通，螺纹孔内设置有紧固螺丝钉，垂直孔为盲孔；截面样品喷金台包括喷金台底座；喷金台底座的下表面设置有与垂直孔配合用的凸起；喷金台底座的上表面设置有端挡板和位于端挡板两端的侧挡板；端挡板和侧挡板相互垂直；两个侧挡板的相对面上固定截面样品贴片的突起卡槽。本申请将加工样品平面贴在截面样品贴片上，将截面样品贴片平面推入卡槽并与之固定，由于截面样品贴片的凹槽与卡槽的突起部分能够刚好吻合，故能够将其固定。
一种用于表征样品截面

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