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[发明专利]一种发光二极管元件-CN202210941809.9在审
发明人：王进;吴俊毅;钟秉宪;王笃祥 -专利权人： 天津三安光电有限公司
申请日： 2018-09-25 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：一种发光二极管元件，其包括半导体序列，半导体序列一侧为出光面，另一侧包括半导体的电流扩展层，半导体序列包括第一导电性半导体层、活性层和第二导电性半导体层，其特征在于：电流扩展层为掺杂的导电性半导体层，电流扩展层远离出光面的一侧的部分区域形成凹处，凹处内设置有透明绝缘层，透明绝缘层的另一侧和电流扩展层非凹处设置有反射层。通过在电流扩展层的部分区域形成凹处，凹处内填充有透明绝缘层，透明绝缘层和电流扩展层非凹处部分的一侧有反射层，降低半导体序列辐射的光经过掺杂形成的电流扩展层时被吸收的负面影响，增加出光效率。
一种发光二极管元件

[发明专利]一种发光二极管元件-CN202210941937.3在审
发明人：王进;吴俊毅;钟秉宪;王笃祥 -专利权人： 天津三安光电有限公司
申请日： 2018-09-25 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：一种发光二极管元件，其包括半导体序列，半导体序列一侧为出光面，另一侧包括半导体的电流扩展层，半导体序列包括第一导电性半导体层、活性层和第二导电性半导体层，其特征在于：电流扩展层为掺杂的导电性半导体层，电流扩展层远离出光面的一侧的部分区域形成凹处，凹处内设置有透明绝缘层，透明绝缘层的另一侧和电流扩展层非凹处设置有反射层。通过在电流扩展层的部分区域形成凹处，凹处内填充有透明绝缘层，透明绝缘层和电流扩展层非凹处部分的一侧有反射层，降低半导体序列辐射的光经过掺杂形成的电流扩展层时被吸收的负面影响，增加出光效率。
一种发光二极管元件

[发明专利]发光二极管，发光二极管封装体和发光装置-CN202210927219.0在审
发明人：尹涛涛;王进;郭桓邵;彭钰仁;王笃祥 -专利权人： 天津三安光电有限公司
申请日： 2022-08-03 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明公开发光二极管，发光二极管封装体和发光装置，所述发光二极管包括：半导体外延叠层，具有相对的第一表面和第二表面，所述第一表面上包含共晶区域和出光区域，自所述第一表面至第二表面包含依次堆叠的第一类型半导体层、有源层和第二类型半导体层；反射层，形成于所述半导体外延叠层的第二表面上；第一共晶电极，形成于所述半导体外延叠层的第一表面的共晶区域，与所述第一导电类型半导体层电连接；第二共晶电极，形成于所述半导体外延叠层的第一表面的共晶区域，与所述第二导电类型半导体层电连接。所述发光二极管为水平结构，可实现某些领域（如头戴式显示用光源）特定产品要求的水平焊线方式，实现头戴式显示用光源等领域的应用。
发光二极管封装发光装置

[发明专利]发光二极管和发光装置-CN202210852154.8在审
发明人：陈劲华;王彦钦;徐翀;陈沙沙;林坤德;许凯晴;侯世杰;黄少华;郭桓邵;彭钰仁 -专利权人： 天津三安光电有限公司
申请日： 2022-07-20 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开发光二极管和发光装置，所述发光二极管包括半导体外延叠层，具有相对的第一表面和第二表面，自第一表面至第二表面方向包含依次堆叠的第一类型半导体层、有源层和第二类型半导体层；所述有源层包括n个周期的量子阱结构，每个周期的量子阱结构包括依次沉积的阱层和势垒层，所述势垒层的带隙大于阱层的带隙；其特征在于：靠近第一表面一侧至少一个周期的势垒层的带隙小于靠近第二表面一侧至少一个周期的势垒层的带隙；靠近第一表面一侧至少一个周期的阱层的厚度大于靠近第二表面一侧至少一个周期的阱层的厚度。本发明可提升载流子在量子阱结构中的均匀分布，从而提升发光二极管的发光亮度和发光效率，同时可提升发光二极管的稳定性及抗老化性能。
发光二极管发光装置

[发明专利]一种半导体发光元件-CN202210900522.1在审
发明人：张思;于水利;武晨明;林坤德;郭桓邵;丘建生 -专利权人： 天津三安光电有限公司
申请日： 2020-12-18 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01L33/08 文献下载
摘要：本发明公开半导体发光元件，包含半导体外延叠层，具有第一表面和与其相对的第二表面，包含第一导电型半导体层、第二导电型半导体层和位于两者之间的活性层；通孔，至少贯穿所述第一导电型半导体层、第二导电型半导体层和活性层；电性连接结构，设于所述通孔内，延伸至所述第一导电型半导体层的第一表面上，与所述第一导电型半导体层形成电连接；第一电极金属层，设于所述半导体外延叠层的第二表面之上，与所述电性连接结构相连接；其特征在于：至少一段通孔露出所述第一导电型半导体层，所述第一段通孔侧壁与所述第一表面的夹角为θ1，0°＜θ1≤90°。本发明可改善电流扩展的均匀性，提升半导体发光元件的发光亮度的均匀性和发光效率。
一种半导体发光元件

[发明专利]发光二极管及发光装置-CN202210893622.6在审
发明人：李维环;陈劲华;蒙成;贾月华;王笃祥;刘晓峰;吴超瑜;郭桓邵 -专利权人： 天津三安光电有限公司
申请日： 2022-07-27 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种发光二极管，其包括外延结构，外延结构具有相对的第一表面和第二表面，外延结构沿第二表面到第一表面的方向起依次包括N型半导体层、发光层和P型半导体层，其中，P型半导体层包括复合欧姆接触层和电流扩展层，电流扩展层位于复合欧姆接触层与发光层之间，复合欧姆接触层中参杂In和C。借此，可以提升尾端接触层的晶体质量，减少位错的吸光以提升光效，提升打线的品质，进而提升发光二极管的质量。
发光二极管发光装置

[发明专利]倒装发光元件-CN202110291462.3有效
发明人：熊伟平;王鑫;吴志伟;高迪;吴俊毅;王笃祥 -专利权人： 天津三安光电有限公司
申请日： 2019-08-29 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明公开一种倒装发光元件，其结构自下而上包含：透明衬底、透明键合层、外延层、绝缘保护层、第一焊接电极、第二焊接电极，所述外延层包含p型导电层、量子阱、n型导电层，其中p型导电层与透明键合层相接，接触面为粗化面，所述外延层边缘被蚀刻，直至透明键合层也被蚀刻减薄形成台阶，减薄后的透明键合层表面至少低于所述粗化面的最低点，n型导电层、量子阱的部分区域被蚀刻，直至露出p型导电层，所述绝缘保护层覆盖上述结构，第一焊接电极、第二焊接电极通过绝缘保护层通孔分别与p型导电层、n型导电层接触。本发明提高倒装发光元件的可靠性。
倒装发光元件

[发明专利]一种半导体发光元件-CN202080005593.4有效
发明人：张思;于水利;武晨明;林坤德;郭桓邵;丘建生 -专利权人： 天津三安光电有限公司
申请日： 2020-12-18 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： H01L33/08 文献下载
摘要：本发明公开半导体发光元件，包含半导体外延叠层，具有第一表面和与其相对的第二表面，包含第一导电型半导体层、第二导电型半导体层和位于两者之间的活性层；通孔，至少贯穿所述第一导电型半导体层、第二导电型半导体层和活性层；电性连接结构，设于所述通孔内，延伸至所述第一导电型半导体层的第一表面上，与所述第一导电型半导体层形成电连接；第一电极金属层，设于所述半导体外延叠层的第二表面之上，与所述电性连接结构相连接；其特征在于：至少一段通孔露出所述第一导电型半导体层，所述第一段通孔侧壁与所述第一表面的夹角为θ1，0°＜θ1≤90°。本发明可改善电流扩展的均匀性，提升半导体发光元件的发光亮度的均匀性和发光效率。
一种半导体发光元件

[发明专利]一种半导体发光元件及其制备方法-CN202210643784.4在审
发明人：郑宏;张东炎;汤国梁;李慧文;金超;潘冠甫;王笃祥 -专利权人： 天津三安光电有限公司
申请日： 2020-07-23 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体发光元件，包括半导体外延叠层，具有第一表面和与第一表面相对的第二表面以及连接第一表面和第二表面的侧壁，包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层和位于第一导电型半导体层和第二导电型半导体层之间的活性层；所述第二导电型半导体层侧壁的粗糙度大于活性层侧壁的粗糙度。本发明通过两步蚀刻法对所述半导体外延叠层的侧壁进行分段蚀刻，可有效改善侧壁粗化引起的漏电问题。
一种半导体发光元件及其制备方法

[发明专利]一种微型发光元件及其制作方法-CN202010360418.9有效
发明人：蔡景元;钟秉宪;吴俊毅 -专利权人： 天津三安光电有限公司
申请日： 2018-05-04 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01L33/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种微型发光元件及其制作方法，利用临时衬底对砷化镓、磷化镓、磷化铟衬底制作的微型发光元件的外延结构进行转移，去除外延生长衬底后，再进行后续的微型发光元件的制备工艺，相对于传统的外延结构制备芯片结构的工艺，能够有效避免湿法腐蚀去除生长衬底时对外延侧面的腐蚀。
一种微型发光元件及其制作方法

[发明专利]一种半导体发光元件及其制备方法-CN202010717794.9有效
发明人：郑宏;张东炎;汤国梁;李慧文;金超;潘冠甫;王笃祥 -专利权人： 天津三安光电有限公司
申请日： 2020-07-23 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体发光元件，包括半导体外延叠层，具有第一表面和与第一表面相对的第二表面以及连接第一表面和第二表面的侧壁，包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层和位于第一导电型半导体层和第二导电型半导体层之间的活性层；所述第二导电型半导体层侧壁的粗糙度大于活性层侧壁的粗糙度。本发明通过两步蚀刻法对所述半导体外延叠层的侧壁进行分段蚀刻，可有效改善侧壁粗化引起的漏电问题。
一种半导体发光元件及其制备方法

[发明专利]发光二极管和发光装置-CN202210485205.8在审
发明人：陈劲华;王彦钦;郭桓邵;彭钰仁 -专利权人： 天津三安光电有限公司
申请日： 2022-05-06 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H01L33/04 文献下载
摘要：本发明公开发光二极管和发光装置，所述发光二极管包括半导体外延叠层，具有相对的第一表面和第二表面，自第一表面至第二表面方向包含依次堆叠的第一电流扩展层、第一覆盖层、有源层、第二覆盖层和第二电流扩展层；其特征在于：所述第一覆盖层包含由第一子层和第二子层交替堆叠形成的超晶格结构；所述第一子层由组合式Alx1Ga1‑x1InP材料组成；第二子层由Alx2Ga1‑x2InP材料组成，其中0＜x1＜x2≤1。本发明第一覆盖层和或第二覆盖层采用超晶格结构，可提升半导体外延叠层的晶体质量和发光二极管的电流扩展的均匀性，从而提升发光二极管的发光效率和发光亮度。
发光二极管发光装置

[发明专利]一种发光二极管-CN202010993400.2有效
发明人：刘士伟;徐瑾;何安和;王庆;林素慧;彭康伟;洪灵愿 -专利权人： 天津三安光电有限公司
申请日： 2020-09-21 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： H01L33/24 文献下载
摘要：一种发光二极管，包括：衬底；两个以上半导体发光序列层，堆叠于所述衬底上，相邻所述半导体发光序列层之间通过沟槽隔离；每一个半导体发光序列层包括依次堆叠在衬底上的第一导电类型半导体层、发光层和第二导电类型发光层；第一导电类型半导体层的部分表面为第一台面，所述第一台面未被发光层覆盖而露出；桥接结构，为透明导电层，一部分位于其中一个半导体发光序列层的第一台面上，并且所述桥接结构自所述一个半导体发光序列层的第一台面延伸跨过所述沟槽至相邻的另一半导体发光序列层上的第二导电类型半导体层上；金属接触电极，位于其中一个半导体发光序列层的第一台面上，所述的金属接触电极同时接触所述第一台面和桥接结构的所述一部分。
一种发光二极管

[发明专利]一种制造适于转移的半导体发光元件结构的方法-CN202210269119.3在审
发明人：蒙成;蔡景元;吴俊毅 -专利权人： 天津三安光电有限公司
申请日： 2019-06-24 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种制造适于转移的半导体发光元件结构的方法，其包括：（1）在一临时衬底的一面侧获得单元化的阵列式半导体发光元件，每一半导体发光元件包括一释放层，释放层具有水平的延伸部分位于每一半导体发光元件至少一侧并覆盖在临时衬底上；（2）制作支撑结构在每一半导体发光元件至少一侧，支撑结构的底部或侧壁与释放层水平的延伸部分接触式连接；（3）粘接一支撑基板在支撑结构的上方；（4）移除临时衬底，使释放层的水平延伸部分以及多个半导体发光元件的表面从同一侧被暴露，获得适于转移的支撑的半导体发光元件阵列。
一种制造适于转移半导体发光元件结构方法

[发明专利]发光二极管及发光装置-CN202180005916.4在审
发明人：吴志伟;王燕云;熊伟平;高迪;郭桓邵;彭钰仁 -专利权人： 天津三安光电有限公司
申请日： 2021-12-10 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01L33/24 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种发光二极管和发光装置，本发明提供的发光二极管中，包含有源层的第一台体通过限定在同等面积下的周长与面积比γ满足使得在同等的有源层发光面积下，第一台体的侧面暴露出来部分更少，从而减少在小电流发光二极管中因侧壁缺陷产生的光吸收以及非辐射复合的问题，此外，非平面的出光面可以提高发光二极管的侧壁出光几率，进一步提高了发光二极管的外部发光效率。
发光二极管发光装置