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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]存储元件和存储器-CN200810084068.7有效
发明人：山根一阳;细见政功;大森广之;山元哲也;肥后丰;大石雄纪;鹿野博司 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2008-03-14 - 公布日： 2008-09-17 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明提供了一种存储元件和存储器。该存储元件包括存储层和磁化固定层。存储层基于磁性材料的磁化状态来保持信息。磁化固定层通过由绝缘材料制成的中间层形成在存储层上。利用通过沿堆叠方向注入自旋极化电子引起的存储层的磁化方向的改变来将信息记录在存储层上。存储层受到的有效去磁场的等级小于存储元件的饱和磁化等级。
存储元件存储器

[发明专利]存储器件和存储器-CN200810006185.1无效
发明人：肥后丰;五十岚实;细见政功;大森广之;山元哲也;山根一阳;大石雄纪;鹿野博司 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2008-02-21 - 公布日： 2008-08-27 - 主分类号： H01L27/22 文献下载
摘要：本发明公开了存储器件和具有这种存储器件的存储器，其中，该存储器件包括基于磁体的磁化状态在其上保存信息的存储层、通过非磁性层形成在存储层上的具有固定磁化方向的磁化固定层以及邻近磁化固定层的两端形成的两条金属配线。在存储器中，通过使电流沿堆叠方向流过来改变存储层的磁化方向，以将信息记录在存储层上。通过本发明的存储器，通过降低用于记录的消耗功率以较小电功率来记录信息。
存储器件存储器

[发明专利]存储元件和存储器-CN200810004149.1有效
发明人：山根一阳;五十岚实;细见政功;大森广之;山元哲也;肥后丰;大石雄纪;鹿野博司 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2008-01-18 - 公布日： 2008-07-23 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明提供了一种存储元件和存储器，其中，该存储元件包括：用于根据磁性材料的磁化状态来保存信息的存储层；以及磁化方向固定的磁化固定层，其中，通过非磁性层相对于存储层来放置磁化固定层。通过沿层压方向施加电流来改变存储层的磁化方向，从而将信息记录在存储层中。在磁化固定层中或在磁化固定层与存储层相对的相对侧上形成分别具有沿层压方向的磁化分量和具有沿互不相同方向的磁化的多个磁化区域。
存储元件存储器

[发明专利]存储元件和存储器-CN200710302358.X无效
发明人：细见政功;大森广之;五十岚实;山元哲也;肥后丰;山根一阳;大石雄纪;鹿野博司 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2007-12-25 - 公布日： 2008-07-02 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明披露了一种存储元件，该存储元件具有：存储层，基于磁性材料的磁化状态来保持信息；磁化固定层，具有铁磁层；以及中间层，介于存储层与磁化固定层之间，并由绝缘体构成。在该存储元件中，自旋极化电子沿堆叠方向注入以改变存储层的磁化方向，从而将信息记录在存储层中，并且形成存储层的铁磁层的电阻率为8×10^－7Ωm或更大。
存储元件存储器

[发明专利]存储元件和存储器-CN200710198739.8有效
发明人：肥后丰;细见政功;大森广之;山元哲也;山根一阳;大石雄纪;鹿野博司 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2007-12-12 - 公布日： 2008-06-18 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明提供了一种存储元件和存储器，其中，存储元件包括存储层、磁化固定层、自旋阻挡层、和自旋吸收层。存储层基于磁性材料的磁化状态来存储信息。通过隧道绝缘层对存储层设置磁化固定层。自旋阻挡层抑制自旋极化电子的扩散，并被设置在存储层与磁化固定层相对的一侧上。自旋吸收层由引起自旋抽运现象的非磁性金属层形成，并被设置在自旋阻挡层与存储层相对的一侧上。通过使电流沿层压方向流动注入自旋极化电子来改变存储层中的磁化方向，从而将信息记录在存储层中，并且自旋阻挡层包括从氧化物、氮化物、氟化物中选出的至少一种材料。
存储元件存储器

[发明专利]存储器-CN200710107617.3无效
发明人：肥后丰;细见政功;大森广之;山元哲也;山根一阳;大石雄纪;鹿野博司 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2007-05-22 - 公布日： 2007-11-28 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明披露了一种存储器，其包括：存储元件，具有基于磁性材料的磁化状态保持信息的存储层；以及电连接至存储元件的导体。在该存储器中，通过中间层对存储层设置磁化固定层，该中间层由绝缘体形成，并且自旋极化电子沿堆叠方向注入以使存储层的磁化方向反转，从而将信息记录在存储层中。还对导体设置磁性材料，以增强由于电流在导体中流动而产生的磁场，并且将漏磁场施加至存储层，以偏离存储层的磁化方向，并且沿堆叠方向的电流通过导体流入存储元件中，从而注入自旋极化电子。
存储器

[发明专利]存储元件和存储器-CN200710097364.6无效
发明人：山元哲也;大森广之;细见政功;肥后丰;山根一阳;大石雄纪;鹿野博司 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2007-05-11 - 公布日： 2007-11-14 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种存储元件，该存储元件包括基于磁性材料的磁化状态而保持信息的存储层。在该存储元件中，通过中间层为所述存储层设置磁化固定层；中间层由绝缘体形成；自旋极化电子沿堆叠方向被注入，以改变存储层的磁化方向，从而将信息记录在存储层中；以及形成存储层的铁磁性层具有1×10^－5或更大的磁致伸缩常数。
存储元件存储器

[发明专利]存储元件和存储器-CN200710096904.9有效
发明人：细见政功;大森广之;山元哲也;肥后丰;山根一阳;大石雄纪;鹿野博司 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2007-04-16 - 公布日： 2007-10-24 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明提供了一种存储元件。该存储元件包括基于磁性材料的磁化状态来保持信息的存储层，其中，通过中间层为该存储层提供磁化固定层，该中间层由绝缘体形成，以堆叠方向注入自旋极化电子来改变存储层的磁化方向，以将信息记录在存储层中，以及使微细氧化物分散在形成了存储层的铁磁层的整个或部分中。
存储元件存储器

[发明专利]存储元件和存储器-CN200610148694.9在审
发明人：细见政功;大森广之;鹿野博司 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2006-08-07 - 公布日： 2007-05-23 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明提供一种存储元件，其包括基于磁性物质的磁化状态保持信息的存储层，和为该存储层设置的磁化固定层，在两者之间具有中间层，所述中间层由绝缘体组成。将自旋－极化电子在层－叠加方向上注入，以由此改变所述存储层的磁化方向，使得信息记录在存储层中。包括在存储层中的至少一种铁磁层主要由CoFeTa组成，并且具有在1原子百分比(原子％)到20原子％范围中的Ta含量。
存储元件存储器

[发明专利]使用磁阻效应的磁传感器和磁头，其制造方法与磁再现装置-CN02141416.5无效
发明人：菅原伸浩;吉川将寿;大森广之 -专利权人：索尼株式会社;株式会社东芝
申请日： 2002-08-30 - 公布日： 2003-03-26 - 主分类号： G11B5/39 文献下载
摘要：具有磁通量感应薄片的“电流垂直于平面”类型的第一和第二个磁阻效应元件(1)和(2)，通过非磁性中间间隙层(3)以这样的方式层叠在一起它们的磁通量感应薄片彼此靠近。然后，使磁阻变化特征彼此相反，以便第一和第二个磁阻效应元件的输出之间的微分输出可以作为磁传感器输出而产生或者第一和第二个磁阻效应元件的输出之间的微分输出可以作为外部电路配置中的微分输出而产生。如此，分辨率可以通过下列配置得到改进在该配置中，决定分辨率的间隙长度可以不受磁阻效应元件的厚度限制。因此，施加于MR磁传感器中的分辨率上的限制可以得到改进。
使用磁阻效应传感器磁头制造方法再现装置

[发明专利]磁头及其制造方法-CN94113426.1无效
发明人：山元哲也;大森广之;杉山康成;庄子光治 -专利权人：索尼公司
申请日： 1994-12-29 - 公布日： 2001-08-15 - 主分类号： G11B5/31 文献下载
摘要：将两个半头（９）与（３９）固定在一起制成一个磁头，在半头的基板（１）与（３１）上的玻璃层（４）与（３４）中形成凹入部分（１０）与（４０），并在凹入部分中形成螺旋线圈图案（１１）与（４１）。线圈图案上复盖绝缘保护膜（２３）与（５３）。在线圈图案的内侧端部的位置的玻璃层（４）上形成多个斜面（４b、３４b），借此形成多个凸出物（４a、３４a）。线圈图案内侧端部位于凸出物（４a、３４a）上，并在其上形成有金膜（１６）与（４６）。这些金膜互相连接，并将线圈图案（１１）与（４１）连接成一个线圈。
磁头及其制造方法

[发明专利]磁头-CN94119760.3无效
发明人： 大森广之;山元哲也;杉山康成;庄子光治 -专利权人：索尼公司
申请日： 1994-12-09 - 公布日： 2001-01-24 - 主分类号： G11B5/31 文献下载
摘要：一种磁头在这磁头的线端和其他装置之间易于进行电连接，并适合于磁记录／重现设备的批量生产和可靠性高。该磁头包括一对相互面对的底板，在至少其中一个底板上形成薄膜线圈，在同一底板上形成与薄膜线圈连接的线端部；另一底板的一部分被切去和在这切去部分露出线端部分，在切出部，线端部分形成在与磁头主表面成钝角相交的表面上。$#!
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