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[发明专利]磁性存储元件和磁性存储器-CN201110173481.2有效
发明人：山根一阳;细见政功;大森广之;别所和宏;肥后丰;内田裕行 -专利权人：索尼公司
申请日： 2011-06-23 - 公布日： 2012-01-25 - 主分类号： G11C11/15 文献下载
摘要：本发明涉及磁性存储元件和包括该磁性存储元件的磁性存储器。所述磁性存储元件包括：基准层，其磁化方向固定为预定方向；记录层，其磁化方向由于对应于记录信息的方向上的自旋注入而变化；中间层，其将所述记录层与所述基准层隔开；以及热发生器，其用于加热所述记录层，其中，所述记录层的材料是在150℃时的磁化强度是在室温时的磁化强度的至少50％，且在150℃～200℃的温度范围内的磁化强度是在室温时的磁化强度的10％～80％的磁性材料。本发明能够在不降低信息保持性的情况下减小自旋注入引起磁化反转所需的电流。
磁性存储元件存储器

[发明专利]存储装置-CN201110185434.X有效
发明人：肥后丰;内田裕行;大森广之;别所和宏;细见政功;山根一阳 -专利权人：索尼公司
申请日： 2011-06-30 - 公布日： 2012-01-11 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种存储装置，所述存储装置含有包括以形成阵列的方式布置的存储器件的单元阵列。各所述存储器件具有：用于基于磁体的磁化状态存储信息的存储层；具有固定的磁化方向的磁化固定层；位于所述存储层与所述磁化固定层之间的隧道绝缘层，在将信息写入到所述存储层的操作中，产生在所述存储层和所述磁化固定层的层叠方向上流动的写入电流，以改变所述存储层的磁化方向，所述单元阵列被分为多个单元块，任意一个特定的所述存储器件的所述存储层的热稳定性的值是含有所述特定的存储器件的所述单元块所特有的。本发明的存储装置能够增大存储器件中能够进行的写入操作的次数并且能够增加存储在存储器件中的信息的保持时间的长度。
存储装置

[发明专利]存储元件、存储元件的制造方法以及存储器-CN201110125939.7有效
发明人：内田裕行;细见政功;大森广之;别所和宏;肥后豊;山根一阳 -专利权人：索尼公司
申请日： 2011-05-16 - 公布日： 2012-01-11 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明公开了存储元件、存储元件的制造方法以及存储器。所述存储元件包括：存储层，其用于基于磁性材料的磁化状态来保持信息；以及磁化固定层，其相对所述存储层设置，且在所述磁化固定层与所述存储层之间设有隧道势垒层，其中，所述隧道势垒层具有0.1nm～0.6nm的厚度以及小于0.5nm的界面粗糙度，并且通过在堆叠方向上施加电流并注入自旋极化电子来改变所述存储层的磁化方向，由此在所述存储层中存储信息。本发明的实施例能够提供可使功耗降低的存储元件和存储器。
存储元件制造方法以及存储器

[发明专利]存储装置-CN201110144813.4有效
发明人：肥后丰;细见政功;大森广之;别所和宏;山根一阳;内田裕行 -专利权人：索尼公司
申请日： 2011-05-30 - 公布日： 2011-12-28 - 主分类号： G11C11/15 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于自旋转矩磁化反转将信息存储在存储元件中的存储装置。所述存储装置包括存储元件，所述存储元件包括：存储层，其用于根据磁性材料的磁化状态保存信息；固定磁化层，其隔着非磁性层设置在所述存储层上，所述固定磁化层的磁化方向固定在与膜表面平行的方向上；和磁性层，其隔着非磁性层设置在所述存储层的与所述固定磁化层相对的一侧上，所述磁性层的磁化方向垂直于所述膜方向。所述存储装置还包括布线，通过所述布线使电流在所述存储元件的各层的层叠方向上流经所述存储元件。所述存储装置具有写入操作的高可靠性且能够进行高速操作。
存储装置

[发明专利]存储元件的驱动方法和存储装置-CN201110126196.5无效
发明人：别所和宏;细见政功;大森广之;肥后丰;山根一阳;内田裕行 -专利权人：索尼公司
申请日： 2011-05-12 - 公布日： 2011-12-21 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明涉及存储元件的驱动方法和存储装置。对于存储元件的驱动方法，所述存储元件具有多个磁性层并通过利用自旋矩磁化反转进行记录，所述驱动方法包括以下步骤：向所述存储元件施加脉冲电压，所述脉冲电压的极性与施加记录脉冲电压时的所述记录脉冲电压的极性相反。所述驱动方法和所述存储装置均能够抑制电击穿。
存储元件驱动方法装置

[发明专利]随机数生成装置、随机数生成方法以及安全芯片-CN201010549078.0无效
发明人：大石雄纪;肥后丰;鹿野博司;细见政功;大森广之;山根一阳;别所和宏 -专利权人：索尼公司
申请日： 2010-11-17 - 公布日： 2011-05-25 - 主分类号： G06F7/58 文献下载
摘要：本发明提供了随机数生成装置、随机数生成方法以及安全芯片，该随机数生成装置包括：随机数生成器，被构造为具有多个随机数生成元件，这些随机数生成元件响应于自旋注入电流的供给而生成随机数；以及温度控制器。
随机数生成装置方法以及安全芯片

[发明专利]信息存储元件及其驱动方法-CN201010518624.4无效
发明人： 大森广之;细见政功;别所和宏;肥后丰;山根一阳;大石雄纪 -专利权人：索尼公司
申请日： 2010-10-20 - 公布日： 2011-05-11 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种信息存储元件及其驱动方法，信息存储元件包括：字电极，包括连续形成并且导电的第一磁性材料；非磁性膜，与字电极的第一磁性材料接触地形成；第二磁性材料，经由非磁性膜连接至第一磁性材料；磁化设定机构，设置在字电极的两个端部的至少一个端部附近并且设定字电极的端部的磁化方向；矫顽力减小机构，减小第二磁性材料的矫顽力；以及导电性位电极，形成以兼作第二磁性材料或者与第二磁性材料平行地形成，连续形成位电极以与字电极交叉。
信息存储元件及其驱动方法

[发明专利]磁存储器件的记录方法-CN200980113665.0有效
发明人： 大森广之;细见政功;五十岚实;山元哲也;山根一阳;大石雄纪;鹿野博司 -专利权人：索尼公司
申请日： 2009-04-15 - 公布日： 2011-04-06 - 主分类号： G11C11/15 文献下载
摘要：提供了一种磁存储器件的记录方法，该磁存储器件包括将信息保持为磁体的磁化方向的记录层和相对于记录层提供的磁化基准层，其间设有绝缘层，该磁存储器件利用经由绝缘层流动在记录层和磁化基准层之间的电流记录信息，该记录方法甚至在施加的写入脉冲显著高于反转阈值时也能保持与施加的写入脉冲略高于反转阈值的情况相同的错误率水平。磁存储器件的记录方法包括在记录一条信息时施加在相同方向上的一个或更多主脉冲和一个或更多子脉冲，并且在该一个或更多主脉冲后施加该一个或更多子脉冲，该一个或更多主脉冲的每个都为具有足够来记录信息的脉冲高度和脉冲宽度的脉冲，该一个或更多子脉冲的每个都为满足脉冲宽度短于一个或更多主脉冲以及脉冲高度小于一个或更多主脉冲的至少一个条件的脉冲。
磁存储器记录方法

[发明专利]在磁存储器件中进行记录的方法-CN200980113664.6有效
发明人： 大森广之;细见政功;山元哲也;肥后丰;山根一阳;大石雄纪;鹿野博司 -专利权人：索尼公司
申请日： 2009-04-15 - 公布日： 2011-04-06 - 主分类号： G11C11/15 文献下载
摘要：一种在磁存储器件中进行记录的方法，所述磁存储器件包括可以改变磁化方向并保存作为磁性材料磁化方向的信息的存储层，以及在存储层上配备有插入在其之间的绝缘层且用作磁化方向的基准的磁化基准层。通过使用经由绝缘层在存储层和磁化基准层之间流动的电流来记录信息。即使当施加显著高于反转阈值的写脉冲时，也可以维持通过略高于反转阈值的写脉冲所实现的、范围为10到25的写误差率。在2ns或更多时间内，写脉冲下降处给出的写功率逐渐地减小。在减小期间，写脉冲电压的减小率最好保持为低，直到下降处的写脉冲电压变得低于磁存储器件的反转阈值电压为止。
磁存储器进行记录方法

[发明专利]非易失性存储器及其记录方法-CN201010219837.7无效
发明人： 大森广之;山元哲也;细见政功;肥后丰;山根一阳;别所和宏;鹿野博司;五十岚实;大石雄纪;楠真一郎 -专利权人：索尼公司
申请日： 2010-06-24 - 公布日： 2011-01-05 - 主分类号： G11B5/39 文献下载
摘要：一种非易失性存储器及其记录方法，该非易失性存储器包括记录电路，该记录电路电执行信息存储器件的信息的记录，该信息存储器件具有被连接至用于信息记录的电源的电阻变化，该方法包括以下步骤：在信息存储器件的记录电路的输出阻抗大于信息存储器件的低电阻状态下的电阻值的条件下，通过记录电路记录低电阻状态下的信息；以及在信息存储器件的记录电路的输出阻抗小于信息存储器件的高电阻状态下的电阻值的条件下，通过记录电路记录在高电阻状态下的信息。
非易失性存储器及其记录方法

[发明专利]存储器-CN201010207322.5无效
发明人：鹿野博司;肥后丰;山元哲也;大森广之;细见政功;楠真一郎;大石雄纪;山根一阳;别所和宏;五十岚实 -专利权人：索尼公司
申请日： 2010-06-18 - 公布日： 2010-12-29 - 主分类号： H01L27/22 文献下载
摘要：一种存储器，包括多个存储设备，每个存储设备都包括隧道磁阻效应器件，该隧道磁阻效应器件包含：磁化自由层，其中，磁化方向能够被反转；隧道阻挡层，包括绝缘材料；以及磁化固定层，相对于所述磁化自由层介由所述隧道阻挡层进行设置，具有固定的磁化方向。该存储器还包括：随机存取存储区，其中，使用存储设备的磁化自由层的磁化方向来记录信息；以及只读存储区，其中，根据存储设备的隧道阻挡层是否存在击穿来记录信息。
存储器

[发明专利]存储装置和存储器-CN201010201355.9有效
发明人：山根一阳;细见政功;鹿野博司;大森广之;五十岚;山元哲也;别所和宏;肥后丰;大石雄纪;楠真一郎 -专利权人：索尼公司
申请日： 2010-06-09 - 公布日： 2010-12-22 - 主分类号： G11C11/02 文献下载
摘要：本发明公开了存储装置和存储器。存储装置包括：存储层，基于磁性材料的磁化状态来保持信息；第一中间层和第二中间层，被设置为夹置存储层并且均由绝缘体形成；第一固定磁性层，被设置在第一中间层的与存储层相对的侧上；第二固定磁性层，被设置在第二中间层的与存储层相对的侧上；以及非磁性导体层，被设置在第一中间层或者第二中间层和存储层之间，存储装置被配置为，在堆叠方向上向其注入自旋极化电子以改变存储层的磁化方向，从而将信息存储在存储层中。
存储装置存储器

[发明专利]电阻变化型存储装置-CN200910251375.4无效
发明人：五十岚实;肥后丰;细见政功;鹿野博司;楠真一郎;大森广之;大石雄纪;山元哲也;山根一阳 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2009-12-03 - 公布日： 2010-06-23 - 主分类号： G11C11/15 文献下载
摘要：本发明公开了一种电阻变化型存储装置，其包括：堆叠体，其构成隧道磁阻效应元件，所述隧道磁阻效应元件具有磁化方向在其中可切换的磁性层并且形成在导电层上，并且所述堆叠体包括在利用由电流注入造成的旋转转移效应来执行数据写入的电阻变化型存储单元中。所述堆叠体形成为使得连接堆叠体各个层中心的线相对于与所述堆叠体形成在其上的所述导电层的表面相垂直的方向倾斜。
电阻变化存储装置

[发明专利]阻抗可变型存储装置-CN200910251369.9无效
发明人：五十岚实;肥后丰;细见政功;鹿野博司;楠真一郎;大森广之;大石雄纪;山元哲也;山根一阳 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2009-12-03 - 公布日： 2010-06-23 - 主分类号： G11C11/15 文献下载
摘要：一种阻抗可变型存储装置，包括通过利用基于注入电流的自旋转移效应来写入数据的阻抗可变型存储单元；和产生多个写入脉冲和用于规定写入脉冲之间的电平的偏置脉冲的合成脉冲并且在写入时提供所述合成脉冲至所述存储单元的驱动电路。
阻抗变型存储装置

[发明专利]存储元件及存储器-CN200880024446.0有效
发明人：细见政功;大森广之;五十岚实;山元哲也;肥后豊;山根一阳;大石雄纪;鹿野博司 -专利权人：索尼公司
申请日： 2008-06-30 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： H01L21/8246 文献下载
摘要：本发明提供了一种不需要增大写入电流就能提高热稳定性的存储元件和存储器。该存储器的构造包括：存储元件(3)，具有根据磁性物质的磁化状态保持信息的存储层(17)，其中，在存储层(17)上设置磁化固定层(31)，其间插入有中间层(16)，中间层(16)由绝缘体形成，并且存储层(17)的磁化方向M1通过在层压方向上注入自旋极化的电子而发生改变，从而将信息记录到存储层(17)，并将变形从存在于存储层(17)周围且热膨胀系数小于存储层(17)的绝缘层施加到存储层(17)上；以及配线，用于提供在存储元件(3)的层压方向上流动的电流。
存储元件存储器