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[发明专利]存储元件、存储装置-CN201280057904.7无效
发明人：内田裕行;细见政功;大森广之;别所和宏;肥后丰;浅山徹哉;山根一阳 -专利权人：索尼公司
申请日： 2012-10-31 - 公布日： 2014-07-23 - 主分类号： H01L21/8246 文献下载
摘要：为了获得提供一种具有优良的均衡性能并同时确保热稳定性的存储元件。存储元件设置有分层结构体，所述分层结构体包括存储层、磁化固定层和中间层。所述存储层具有与膜面垂直的磁化，其中所述磁化的方向根据信息而改变。所述磁化固定层具有成为存储在所述存储层中的信息的基准的、与所述膜面垂直的磁化。所述中间层由非磁性材料形成并设置在所述存储层与所述磁化固定层之间。所述存储层包括多层结构层，非磁性材料和氧化物层压在所述多层结构层中，所述存储层的磁化的方向通过在所述分层结构体的层压方向上施加电流来改变，从而将信息记录在所述存储层中。
存储元件装置

[发明专利]存储元件和存储设备-CN201210487966.3在审
发明人：山根一阳;细见政功;大森广之;别所和宏;肥后丰;浅山彻哉;内田裕行 -专利权人：索尼公司
申请日： 2012-11-26 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明公开了存储元件和存储设备。提供了一种具有分层结构的存储元件，包括具有与其磁化方向对应于信息发生改变的薄膜面相垂直的磁化的存储层，并包括Co-Fe-B磁层和至少一个非磁层；其中通过使电流以分层结构的层压方向流动来改变存储层的磁化方向，以便将信息记录到存储层中，具有与成为存储在存储层的信息的基础的薄膜面相垂直的磁化的磁化固定层，和由非磁性材料形成的位于存储层和磁化固定层之间的中间层，还包括氧化物层、Co-Fe-B磁层和非磁层层压而成的层状结构。
存储元件设备

[发明专利]存储元件和存储设备-CN201210484675.9有效
发明人：肥后丰;细见政功;大森广之;别所和宏;浅山徹哉;山根一阳;内田裕行 -专利权人：索尼公司
申请日： 2012-11-23 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明提供了一种存储元件和存储设备。存储元件包括分层结构：存储层，其具有根据信息来变化的磁化方向，通过在分层结构的层压方向上施加电流来改变磁化方向以将信息记录在存储层中，存储层包括第一铁磁层，其具有倾斜于与膜表面垂直的方向的磁化方向，键合层，其层压在第一铁磁层上，以及第二铁磁层，其层压在键合层上并经由键合层与第一铁磁层键合，第二铁磁层具有倾斜于与膜表面垂直的方向的磁化方向；磁化固定层，其具有固定的磁化方向；中间层，其被配置在存储层与磁化固定层之间，并与第一铁磁层接触；以及覆盖层，其与第二铁磁层接触。
存储元件设备

[发明专利]存储元件和存储装置-CN201210479162.9有效
发明人：肥后丰;细见政功;大森广之;别所和宏;浅山徹哉;山根一阳;内田裕行 -专利权人：索尼公司
申请日： 2012-11-22 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明涉及存储元件和存储装置，其中，该存储元件具有分层构造，包括：存储层，其中磁化方向对应于信息而改变，通过在分层构造的层叠方向上施加电流来改变磁化方向，从而将信息记录在存储层中；磁化固定层，其中磁化方向固定；中间层，由非磁性材料形成并且设置在存储层和磁化固定层之间；以及垂直磁性各向异性诱导层；该存储层包括依次层叠的第一铁磁性层、第一结合层、第二铁磁性层、第二结合层和第三铁磁性层。
存储元件装置

[发明专利]存储元件和存储装置-CN201210487968.2无效
发明人：山根一阳;细见政功;大森广之;别所和宏;肥后丰;浅山彻哉;内田裕行 -专利权人：索尼公司
申请日： 2012-11-26 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明公开了存储元件和存储装置。一种存储元件包括分层结构。该分层结构包括存储层、磁化固定层和中间层。存储层具有与膜面垂直的磁化，其中该磁化的方向取决于信息而改变，并且该磁化的方向通过在分层结构的层压方向上施加电流而被改变从而将信息记录在存储层中。磁化固定层具有成为存储层中所存储的信息的基础的、与膜面垂直的磁化，并且具有包括非磁层和至少两个铁磁层的层压铁钉合结构。该非磁层包括Cr。中间层由非磁材料形成并且被设置在存储层和磁化固定层之间。
存储元件装置

[发明专利]存储元件和存储设备-CN201210152403.9有效
发明人：内田裕行;细见政功;大森广之;别所和宏;肥后丰;浅山徹哉;山根一阳 -专利权人：索尼公司
申请日： 2012-05-16 - 公布日： 2012-11-28 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明提供了一种存储元件和存储装置。其中，该存储元件包括：存储层，具有垂直于其膜面的磁化，并通过磁性物质的磁化状态保持信息；磁化钉扎层，具有被用作存储在存储层中的信息的基准的、垂直于其膜面的磁化；非磁性物质中间层，设置在存储层和磁化钉扎层之间；以及帽层，设置在存储层附近并且与中间层相反的一侧，并且包括至少两个氧化物层。该存储元件被配置为，通过使用在包括存储层、中间层和磁化钉扎层的层结构的层压方向上流动的电流所产生的自旋扭矩磁化反转来反转存储层的磁化从而存储信息。
存储元件设备

[发明专利]存储元件和存储装置-CN201210143618.4有效
发明人： 大森广之;细见政功;别所和宏;肥后丰;山根一阳;内田裕行;浅山徹哉 -专利权人：索尼公司
申请日： 2012-05-09 - 公布日： 2012-11-21 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明公开了存储元件和存储装置，该存储元件包括存储层，利用磁性物质的磁化状态来保持信息；磁化固定层，具有用作存储在存储层中的信息的基准的磁化；中间层，设置于存储层和磁化固定层之间并且由非磁性物质形成；磁性耦合层，被设置为邻接于磁化固定层并且与中间层相对；以及高矫顽力层，被设置为邻接于磁性耦合层，其中，通过利用伴随着在包括存储层、中间层和磁化固定层的层结构的层压方向上流动的电流所产生的自旋扭矩磁化反转，使存储层的磁化反转来存储信息，以及磁性耦合层为两层层压结构。
存储元件装置

[发明专利]存储元件和存储装置-CN201210135732.2无效
发明人： 大森广之;细见政功;别所和宏;肥后丰;山根一阳;内田裕行;浅山徹哉 -专利权人：索尼公司
申请日： 2012-05-03 - 公布日： 2012-11-14 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明提供了存储元件和存储装置，该存储元件包括：存储层，具有垂直于层表面的磁化并且基于磁性材料的磁化状态来存储信息；磁化固定层，具有用作被存储在存储层中的信息的基准并且垂直于层表面的磁化；中间层，由非磁性材料形成并且介于存储层和磁化固定层之间；矫顽力强化层，被设置成与存储层相邻并且在中间层的相反侧，并且由Cr、Ru、W、Si和Mn中的至少一种形成；以及自旋势垒层，由氧化物形成，并且被设置成与矫顽力强化层相邻并且在存储层的相反侧。利用由在包括存储层、中间层以及磁化固定层的层结构的层压方向上流动的电流所引起的自旋扭矩磁化反转将存储层的磁化反转，从而存储信息。
存储元件装置

[发明专利]存储元件和存储装置-CN201210129098.1无效
发明人：别所和宏;细见政功;大森广之;肥后丰;山根一阳;浅山徹哉;内田裕行 -专利权人：索尼公司
申请日： 2012-04-27 - 公布日： 2012-11-07 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明涉及存储元件和存储装置，其中，该存储元件包括：存储层，基于磁性材料的磁化状态来存储信息；磁化固定层，具有用作存储在存储层中的信息的基准的磁化；中间层，由非磁性材料形成，并且介于存储层和磁化固定层之间；保护层，被设置为与存储层相邻并且在中间层的相反侧；以及金属保护层，被设置为与保护层相邻并且在存储层的相反侧。
存储元件装置

[发明专利]存储元件和存储器装置-CN201210023215.6无效
发明人：内田裕行;细见政功;大森广之;别所和宏;肥后丰;浅山彻哉;山根一阳 -专利权人：索尼公司
申请日： 2012-01-20 - 公布日： 2012-08-08 - 主分类号： G11C13/06 文献下载
摘要：本发明涉及存储元件和存储器装置。一种存储元件，包括：存储层，其具有垂直于膜表面的磁化，并且所述存储层的磁化的方向根据信息而变化；磁化固定层，其具有垂直于膜表面的磁化，用作为存储在所述存储层中的所述信息的基准；以及绝缘层，由非磁性体形成并布置在所述存储层和所述磁化固定层之间。所述磁化固定层具有其中非磁性层夹持在具有磁性反平行连接的层叠铁销结构的上下铁磁性层之间的结构。通过沿着包括所述存储层、所述绝缘层和所述磁化固定层的层结构的层叠方向注入自旋极化电子来改变所述存储层的磁化的方向，并且在所述存储层上执行信息的记录。
存储元件存储器装置

[发明专利]存储元件和存储器装置-CN201210018100.8有效
发明人：内田裕行;细见政功;别所和宏;大森广之;肥后丰;浅山彻哉;山根一阳 -专利权人：索尼公司
申请日： 2012-01-11 - 公布日： 2012-07-25 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明涉及存储元件和存储器装置，该存储元件包括：存储层，其具有与膜表面垂直的磁化，并且所述存储层的磁化方向变化；磁化固定层，其具有与所述膜表面垂直的磁化，用作为信息的基准；以及绝缘层；通过沿着层结构的层叠方向注入自旋极化电子来改变所述存储层的磁化方向，以执行信息的记录，所述存储层接收到的有效退磁场的大小配置为小于所述存储层的饱和磁化量，并且构成所述存储层的铁磁性层材料具有作为基材的CoFeB，并且耐腐蚀元素被加到所述基材中。
存储元件存储器装置

[发明专利]存储元件和存储装置-CN201110461334.5有效
发明人：别所和宏;细见政功;大森广之;肥后丰;山根一阳;内田裕行;浅山彻哉 -专利权人：索尼公司
申请日： 2011-12-30 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： G11C11/02 文献下载
摘要：本发明涉及存储元件和存储装置。存储元件包括：存储层，其具有与膜表面垂直的磁化，该存储层的磁化的方向根据信息而改变；磁化固定层，其具有与用作存储在存储层中的信息的基准的膜表面垂直的磁化；和非磁性物质的绝缘层，绝缘层设置在存储层和磁化固定层之间。在上述存储元件中，使用自旋转矩磁化反转来反转存储层的磁化以存储信息，通过层结构的层叠方向上流动的电流来产生自旋转矩磁化反转，该层结构包括存储层、绝缘层和磁化固定层，存储层在与绝缘层相反一侧上直接具有层，并且该层包括导电氧化物。
存储元件装置

[发明专利]存储元件和存储装置-CN201110461332.6无效
发明人：别所和宏;细见政功;大森广之;肥后丰;山根一阳;内田裕行;浅山彻哉 -专利权人：索尼公司
申请日： 2011-12-30 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： G11C11/02 文献下载
摘要：本发明涉及存储元件和存储装置，该存储元件包括：存储层，该存储层具有与膜表面垂直的磁化，该磁化的方向随信息发生变化；磁化固定层，该磁化固定层具有与膜表面垂直的磁化，该膜表面用作为存储在该存储层中的信息的基体；以及非磁性物质的绝缘层，该绝缘层设置在该存储层与该磁化固定层之间，其中通过使用沿层结构的层叠方向流动的电流所产生的自旋力矩磁化反转来使该存储层的磁化发生反转以存储信息，该层结构包括该存储层、该绝缘层和该磁化固定层，以及该存储层具有包括磁性层和导电氧化物的层叠结构。
存储元件装置

[发明专利]存储元件和存储装置-CN201110401742.1有效
发明人： 大森广之;细见政功;别所和宏;肥后丰;山根一阳;内田裕行;浅山徹哉 -专利权人：索尼公司
申请日： 2011-12-06 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： G11C16/00 文献下载
摘要：本发明涉及存储元件和存储装置。所述存储元件包括：存储层、磁化固定层和绝缘层，通过在包含所述存储层、所述绝缘层和所述磁化固定层的层叠结构的层叠方向上注入自旋极化电子，所述存储层的磁化的方向发生改变并且在所述存储层进行信息的记录，并且在所述存储层与所述磁化固定层中的至少一者中，从与所述绝缘层相接触的界面侧依次形成有Fe膜和含有Ni的膜，并且在加热后形成有Ni和Fe的梯度组分分布。所述存储装置包括上述存储元件和两种类型的布线，并且借助通过所述两种类型的布线在所述层叠方向上流向所述存储元件的电流来注入自旋极化电子。本发明能够实现具有高耐热性、易于应用半导体工艺并且具有优良可生产性的非易失性存储器。
存储元件装置

[发明专利]存储设备和写入控制方法-CN201110386994.1无效
发明人：肥后丰;细见政功;大森广之;别所和宏;山根一阳;内田裕行;浅山徹哉 -专利权人：索尼公司
申请日： 2011-11-29 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明公开存储设备和写入控制方法，该存储设备设置有多对存储块和写入控制部，其中存储块具有存储信息的存储层并且被构造为具有多个存储元件，该多个存储元件利用存储层的磁化取向随着写入电压的施加而变化来将信息存储在存储层中，并且存储块被构造为能够根据输入信息来向一个存储元件选择性地施加写入电压，该写入控制部将要写入到各个存储元件的信息存储在移位寄存器中，从移位寄存器输出一条信息，确定输出的信息是否写入成功，当写入失败时，再次输出相同的信息，当写入成功时，从移位寄存器输出下一条信息。
存储设备写入控制方法