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[发明专利]存储单元及具有其的3D存储器装置-CN202110918232.5在审
发明人：杨志祥;龙翔澜;简维志;郑政玮;布莱斯凯·马修 -专利权人：旺宏电子股份有限公司;国际商用机器公司
申请日： 2021-08-11 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供一种存储单元，形成在第一电极与第二电极之间的柱体结构中，包含叠层封装结构。在一示例中，该柱体包含电性串联于第一电极与第二电极之间的双向阈值开关材料的一主体、多个碳系中间层、多个金属层、和相变化存储器材料的一主体。叠层封装结构环绕该柱体。叠层介电封装结构包括至少三个共形层，包含一第一层材料、不同于第一层材料的一第二层材料的一第二共形层、和不同于第二层材料的一第三层材料的一第三共形层。
存储单元具有存储器装置

[发明专利]包含硫的切换装置、存储器装置及集成电路存储器装置-CN202110011018.1在审
发明人：郑怀瑜;郭奕廷;龙翔澜;郑政伟;布莱斯凯·马修 -专利权人：旺宏电子股份有限公司;国际商用机器公司
申请日： 2021-01-06 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：一种包含硫的切换装置、存储器装置及集成电路存储器装置。所述切换装置具有第一电极、第二电极以及在第一电极与第二电极之间的切换层，切换层使用掺杂有抑制氧化的元素的硫族化物组成物来形成，其引起改进的可制造性及合格率。对于基于AsSeGeSi、或包含硒或砷的其他硫族化物材料、或包含硒或砷及硅的其他硫族化物材料的选择器材料，经添加以抑制氧化的元素可为硫。
包含切换装置存储器集成电路

[发明专利]双向阈值开关、交叉点存储器设备及其制造方法-CN202010570327.8在审
发明人：郭奕廷;郑怀瑜;龙翔澜;郑政玮 -专利权人：旺宏电子股份有限公司;国际商用机器公司
申请日： 2020-06-19 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种双向阈值开关、交叉点存储器设备及其制造方法，其中双向阈值开关由Si、Ge、Se、As以及特定含量的硫属元素组成，在存在水蒸汽的情况下，所述硫属元素有效地钝化组成物的氧化，其中硫属元素包括但不限于Te、S或其组合。在一或多个实施例中，硫属元素为S。在一或多个实施例中，硫属元素为Te。在一或多个实施例中，按原子百分比计，硫属元素的有效含量大于1％。在一或多个实施例中，按原子百分比计，硫属元素的有效含量小于10％。在一或多个实施例中，按原子百分比计，双向阈值开关包括10％的Si、15％的Ge、40％的Se、30％的As以及5％的硫属元素。
双向阈值开关交叉点存储器设备及其制造方法

[发明专利]存储器系统及其操作方法-CN202010299254.3在审
发明人：简维志;龚南博;龙翔澜;马修·乔瑟夫·布莱特史凯;克里斯多福·米勒 -专利权人：旺宏电子股份有限公司;国际商用机器公司
申请日： 2020-04-16 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：一种存储器系统及其操作方法，具体为一种多层单元的一选择器一控制器三维交叉点存储器系统，包括至少一个多层单元的一选择器一电阻器结构，此结构包括相变存储器单元以及阈值开关选择器的叠层配置。导电位线与双向阈值开关选择器电性连通，而导电字线则与相变存储器单元信号连通。控制器与位线以及字线电性连通。控制器是设置以从不同电压脉冲的族群中选择至少一个电压脉冲，此族群包括读取脉冲、部分设定脉冲、设定脉冲、部分复位脉冲以及复位脉冲，且控制器还设置以将已选择的至少一电压脉冲传送到至少一个多层单元的一选择器一电阻器结构。
存储器系统及其操作方法

[发明专利]薄膜的形成方法-CN201880003097.8有效
发明人：畠中正信;小川洋平;李建昌;加藤伸幸;山田贵一;约翰·罗森 -专利权人：株式会社爱发科;国际商用机器公司
申请日： 2018-05-11 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： C23C16/32 文献下载
摘要：本发明的薄膜的形成方法，其包含第一工序和第二工序；在该第一工序中，是将成膜对象的温度设为200℃以上，并从第一状态变成第二状态；该第一状态是将成膜材料和载流气体供给至该成膜对象从而使该成膜材料附着于该成膜对象；该第二状态是从第一状态中将供给该成膜材料除外；在第二工序中，将成膜对象的温度设为200℃以上，并从第三状态变成第四状态；该第三状态是将氢气和载流气体供给至成膜对象，使成膜材料还原；该第四状态是从该第三状态将供给氢气除外。成膜材料是从由Al(CxH2x+1)3、Al(CxH2x+1)2H、Al(CxH2x+1)2Cl构成的组中选择的任一者。交替重复第一工序和第二工序，在成膜对象的表面形成铝原子的含量在20原子％以上的碳化铝膜。
薄膜形成方法

[发明专利]具有高耐久性的相变存储器的集成电路及其制造方法-CN201610756717.8有效
发明人：龙翔澜;金完起;马修·必实凯;林仲汉 -专利权人：旺宏电子股份有限公司;国际商用机器公司
申请日： 2016-08-30 - 公布日： 2020-01-21 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：一种具有高耐久性的相变存储器的集成电路及其制造方法。本发明公开一种交叉点阵列中的存储单元，其具有较佳的耐久性。各存储单元设置于第一导体及第二导体之间，包括开关与相变材料柱体串联。此柱体在接近第二导体的一端具有富碲材料，而在接近第一导体的另一端具有富锑材料，其中电流方向自第一导体流向第二导体。
具有耐久性相变存储器集成电路及其制造方法

[发明专利]相变化存储器元件的制作方法及集成电路存储器元件-CN201610765557.3在审
发明人：龙翔澜;郑怀瑜;马修·必实凯 -专利权人：旺宏电子股份有限公司;国际商用机器公司
申请日： 2016-08-30 - 公布日： 2017-09-22 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：一种相变化存储器元件的制作方法及集成电路存储器元件。该相变化存储器元件为具有复合存储器单元的相变化存储器元件，包括第一存储材料层和第二存储材料层。此复合存储器由基本的相变化材料所组成，例如硫属化合物，以及一或多种添加剂。第一存储材料层采用无氧气氛所形成；第二存储材料层采用含氧气氛所形成。使用无氧气氛可防止第一电极的电极表面被氧化。
相变存储器元件制作方法集成电路

[发明专利]存储器装置及其制造方法-CN201210098457.1有效
发明人：赖升志;龙翔澜;玛特·伯维奇 -专利权人：旺宏电子股份有限公司;国际商用机器公司
申请日： 2012-04-06 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种存储器装置及其制造方法，该存储器装置包括接点配置、绝缘层、多个侧壁电极以及存储器材料，接点配置具有多个上表面，绝缘层位于该接点配置之上并具有一沟道，该沟道的配置中，至少具有一侧壁排列于多个接点的上表面，侧壁电极位于沟道的侧壁上并且具有多个电极上表面，其分别于接点中接触接点配置的上表面，侧壁电极分别包括氮化钽层以及电极材料层，氮化钽层是由TaxNy组成，其中y大于x，电极材料层比氮化钽层具有较低电阻及较低热阻，存储器材料与侧壁电极的电极上表面相接触。多个第二侧壁电极亦可形成沟道的一第二侧壁，第二侧壁位于接点配置里的多个第二接点上。
存储器装置及其制造方法

[发明专利]富含锗的GST-212相变存储器材料-CN201210112127.3无效
发明人：郑怀瑜;龙翔澜;施彦豪;西蒙·拉梧;马修·J·布雷杜斯克 -专利权人：旺宏电子股份有限公司;国际商用机器公司
申请日： 2012-04-17 - 公布日： 2013-01-23 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明是关于一种相变材料，包括GexSbyTez，其中Ge(锗)的原子浓度x介于30％～65％的范围之间，Sb(锑)的原子浓度y介于13％～27％的范围之间，以及Te(碲)的原子浓度z介于20％～45％的范围之间。此材料的富含锗族也描述于此。一种包括此材料、适于整合电路的存储器装置也描述于此。该GST-212族的相变存储器材料具有比GST-225相变存储器材料较高的结晶温度。
富含 gst 212 相变存储器材料

[发明专利]高耐用度相变存储器装置及其操作方法-CN201210195841.3有效
发明人：杜姵莹;吴昭谊;李明修;金相汎;林仲汉 -专利权人：旺宏电子股份有限公司;国际商用机器公司
申请日： 2012-06-14 - 公布日： 2012-12-26 - 主分类号： G11C11/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种高耐用度相变存储器装置及其操作方法，该相变基础存储器装置及用于操作这类装置的方法克服了设定或复位失效模式且导致了增进的耐用度、可靠度及数据储存表现。高电流修复操作响应于相变存储器单元的设定或复位失效而进行。较高电流修复操作可提供足够的能量以反转在相变材料中可在重复的设定及复位操作后发生的组成改变。通过反转这些组成改变，本文所描述的技术可恢复经历过设定或复位失效的存储器单元，藉此延长存储器单元的耐用度。如此一来，将提供具有高循环耐用度的相变基础存储器装置及用于操作这类装置的方法。
耐用相变存储器装置及其操作方法

[发明专利]以相变存储材料为基础的高密度存储装置及其制造方法-CN201210036939.4有效
发明人：龙翔澜 -专利权人：旺宏电子股份有限公司;国际商用机器公司
申请日： 2012-02-17 - 公布日： 2012-10-24 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种以相变存储材料为基础的高密度存储装置及其制造方法。该存储装置包括一电极阵列，该电极阵列包括电极材料的薄膜板，多层带材，包括一存储材料层以及一顶部电极层，是经排列作为在该电极阵列中的各栏上的位线，该多层带材具有一主要本体以及一凸部，该凸部的宽度小于该主要本体的宽度并自对准于该薄膜板的接触表面上，在该凸部中存储材料接触在该电极阵列的该对应栏中的电极的薄膜板的该远程上的表面，该装置可以使用在上该接触表面上的自对准形态中的一镶嵌工艺而制作。
相变存储材料基础高密度装置及其制造方法

[发明专利]形成掺杂相变材料的复合靶溅射-CN201210021915.1有效
发明人：郑怀瑜;陈介方;龙翔澜;施彦豪;西蒙·拉梧;马修·J·布雷杜斯克 -专利权人：旺宏电子股份有限公司;国际商用机器公司
申请日： 2012-01-31 - 公布日： 2012-08-08 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了是有关于以包括硫族化物材料的相变材料为基础的用于存储器装置的制造方法，以及使用于这类装置的用于形成掺杂硫族化物材料的方法。溅射靶材具有硅或另一半导体，或以硅为基础或其它以半导体为基础的添加物的相变材料层，使用包括硅或其它半导体以及相变材料的复合溅射靶材而形成。硅或其它半导体的浓度高于所形成的层中的硅或其它半导体的特定浓度5倍以上。对于在锗锑碲型相变材料中的以硅为基础的添加物，溅射靶材可包括超过40原子百分比的硅。以硅为基础的或其它以半导体为基础的添加物在沉积期间，在溅射腔室可使用复合溅射靶材及例如氧气或氮气的反应性气体气流而形成。
形成掺杂相变材料复合溅射

[发明专利]形成PCRAM自对准位线方法及自对准深刻蚀方法-CN201210022861.0有效
发明人：马修·J·布雷杜斯克;陈介方;陈士弘;艾瑞克·A·约瑟;林仲汉;麦可·F·罗弗洛;龙翔澜;亚历桑德罗·G·史克鲁特;杨敏 -专利权人：旺宏电子股份有限公司;国际商用机器公司
申请日： 2012-01-10 - 公布日： 2012-08-08 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种形成PCRAM自对准位线方法及自对准深刻蚀方法。其中，形成与相变材料对齐的位线的方法，包括于下电极的部分形成牺牲材料的基座以及形成相邻于牺牲材料的至少一介电材料，其中至少一介电材料具有一上表面，其实质地与牺牲材料基座的上表面共面。对至少一介电材料以及下电极具选择性地移除牺牲材料的基座以对下电极的露出表面提供开口。于下电极的露出表面上形成相变材料，并且将开口以导电填充材料填充。亦提供自对准回蚀程序。
形成 pcram 对准方法深刻

[发明专利]一种用来制造具有柱状底电极相变化存储装置的方法-CN200810074221.8有效
发明人：龙翔澜;陈介方;陈逸舟;陈士弘;蓝中弘;乔瑟夫;艾瑞克安德鲁;史克鲁特;亚历桑德罗加布里尔;马修J·布雷杜斯克;柏尔;杰弗里威廉;汉普D·汤玛斯;菲利普;骞鲍里斯 -专利权人：旺宏电子股份有限公司;国际商用机器公司;奇梦达股份有限公司
申请日： 2008-02-13 - 公布日： 2012-06-27 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：本发明公开了一种用来制造伞状相变化存储器的方法，在一衬底上制造一底电极材料柱，而该衬底包含一导电接点阵列与存取电路电性连接。沉积一电极材料层并与该导电接点阵列可靠的电性连结。刻蚀电极材料以在对应的导电接点上形成一电极材料柱图案。接着，在该图案上沉积一介电材料以及平面化，以提供一电极表面并裸露出该电极柱的顶表面。接着沉积一可编程电阻材料，例如：硫属化物或其它相变化材料，之后再沉积一顶电极材料层。本发明是描述一种底表面大于顶表面的电极柱的装置。
一种用来制造具有柱状电极相变存储装置方法

[发明专利]电流相对于由电极定义的轴横向流动的相变化只读存储器-CN201110285521.2无效
发明人：龙翔澜;林仲汉 -专利权人：旺宏电子股份有限公司;国际商用机器公司
申请日： 2011-09-23 - 公布日： 2012-04-18 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种电流相对于由电极定义的轴横向流动的相变化只读存储器装置，该装置具有相变化结构，相变化结构包括介于电极的接触表面与介电结构之间的薄部分。举例来说，薄部分的最大厚度小于电极的接触表面的最大宽度。于另一范例中，相变化结构围绕介电结构。几种变化例改善了相变化结构与电极之间的接触。
电流相对于电极定义横向流动相变只读存储器

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