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[实用新型]一种具有消菌杀毒功能的空调出风口-CN202223517301.0有效
发明人：黄进文;唐海罗 -专利权人： 四川美阔电子科技有限公司
申请日： 2022-12-28 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： F24F13/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有消菌杀毒功能的空调出风口，包括壳体，壳体内设有与空调连接的通道，通道截面尺寸沿流体流经方向增大，通道内设有杀菌模块和光触媒模块；杀菌模块包括电路灯板，电路灯板上设有透气孔和紫外光发光器件，紫外光发光器件沿通道朝向光触媒模块照射。本实用新型利用设置的紫外光发光器件产生的紫外光能够破坏微生物的DNA，可用于空气消毒、物体表面消毒，对绝大部分的细菌、病毒、微菌有效，由光触媒模块与紫外光的光线进行光触媒催化反应，让光触媒与空气中的污染物作用产生出无害的水、二氧化碳，而污染物内的有机化学挥发物则氧化消散于空气中，通过整合紫外光杀菌模块与光触媒模块的空调出风口来达到除臭与杀菌功能。
一种具有杀毒功能调出风口

[实用新型]具光电耦合隔离的智能功率模块及三相全桥驱动电路-CN202223379801.2有效
发明人：黄进文 -专利权人： 四川美阔电子科技有限公司
申请日： 2022-12-05 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H02M1/092 文献下载
摘要：本实用新型公开了具光电耦合隔离的智能功率模块及三相全桥驱动电路，其中，具光电耦合隔离的智能功率模块包括封装为一体的发光二极管、光电二极管、IGBT驱动集成电路及绝缘栅双极型晶体管，发光二极管与光电二极管之间设有透光绝缘层，发光二极管用于输入启动电讯号并将电讯号转换成光讯号，透光绝缘层用于透过光讯号并传输给光电二极管，光电二极管用于接收光讯号并转换成电讯号，光电二极管将其转换的电讯号传输至IGBT驱动集成电路，IGBT驱动集成电路用于将其接收到的电讯号放大并发送至绝缘栅双极型晶体管，绝缘栅双极型晶体管接收放大后的电讯号作为驱动其启动的电流讯号。本实用新型体积尺寸小，成本低，电路性能稳定。
光电耦合隔离智能功率模块三相驱动电路

[实用新型]一种功率器件驱动模块-CN202223255070.0有效
发明人：黄进文 -专利权人： 四川美阔电子科技有限公司
申请日： 2022-12-06 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种功率器件驱动模块，包括封装为一体的隔离器、PWM控制电路及功率器件，其中，隔离器用于隔离低压侧与高压侧，隔离器通过其低压侧输入控制电讯号并将输入的控制电讯号转换成光讯号或电磁讯号，隔离器通过其高压侧将光讯号或电磁讯号转换为电讯号并放大，隔离器高压侧将其输出的电讯号传输至PWM控制电路，PWM控制电路将其接收的电讯号转换成PWM驱动讯号并放大后传输至功率器件，功率器件接收放大后的PWM驱动讯号作为驱动其开启或关断的电信号。本实用新型体积尺寸小、成本低，寄生效应小，电路性能稳定，能改善电池充电过程中的能量损耗，以节省充电时间。
一种功率器件驱动模块

[发明专利]一种氮化镓功率器件结构及制备方法-CN202110650222.8在审
发明人：叶荣辉;黄进文;李俊峰;蔡文钦 -专利权人： 四川美阔电子科技有限公司
申请日： 2021-06-10 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化镓功率器件结构及制备方法，解决了现有技术中器件温度易升温，且易存在电流崩塌现象的问题。本发明包括衬底、AlGaN势垒层、栅介质层，所述衬底上表面设有第一微阱结构，所述第一微阱结构平行设置多组；所述AlGaN势垒层上表面上设有第二微阱结构，所述第二微阱结构平行设置多组，所述栅介质层生长在所述AlGaN势垒层上，所述栅介质层的下表面平行设置多组凹槽且与所述AlGaN势垒层上表面的第二微阱结构相嵌合；所述衬底为Si衬底，所述Si衬底上表面被刻蚀形成所述第一微阱结构，所述第一微阱结构的横截面为倒梯形，且倒梯形斜边角度为54°。本发明具有器件散热效果好，改善电流崩塌现象等优点。
一种氮化功率器件结构制备方法

[发明专利]一种双结型场板的功率器件-CN202110650228.5在审
发明人：叶荣辉;黄进文;李俊峰;蔡文钦 -专利权人： 四川美阔电子科技有限公司
申请日： 2021-06-10 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种双结型场板的功率器件，包括第一结型场板与第二结型场板，所述第一结型场板设置在功率器件的栅极与漏极之间，且生长在势垒层上，与所述栅极接触；所述第二结型场板与沟道层接触设置；所述第二结型场板设置在沟道层与缓冲层之间，或设置在缓冲层里面；本发明的有益效果为优化横向的电场分布使其具有类似RESURF效果，提升了击穿电压；不会引入附加的寄生电容，保证了器件的工作频率和开关速度，同时提升击穿电压和器件的可靠性。
一种双结型场板功率器件

[发明专利]晶体管外延层制作方法-CN202010165542.X在审
发明人：谢思义;黄进文;李俊峰 -专利权人： 四川美阔电子科技有限公司
申请日： 2020-03-11 - 公布日： 2020-06-26 - 主分类号： H01L21/225 文献下载
摘要：本发明公开了晶体管外延层制作方法，晶体管外延层制作方法包括至少以下过程：对晶体基板进行一次或多次离子植入处理，使得离子掺杂深度达到第一预定深度；对离子植入处理后的晶体基板进行高温化扩散处理，使得离子掺杂深度达到第二预定深度并稳定，以此得到离子掺杂深度达到第二预定深度的晶体管外延层。本发明采用多次、多种形式的物理渗透的方式，可以以低成本、高质量的构造出大深度的掺杂层。其先采用高能量离子植入技术，可以解决离子由外界进入基板内部的突变问题，再配合低成本的高温扩散渗透，使其离子自由扩散渗透形成更加深的掺杂层。
晶体管外延制作方法

[发明专利]平面型场效晶体管及其制作方法-CN202010165765.6在审
发明人：谢思义;黄进文;李俊峰 -专利权人： 四川美阔电子科技有限公司
申请日： 2020-03-11 - 公布日： 2020-06-23 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了平面型场效晶体管及其制造方法，平面型场效晶体管包括外延层EPI，所述外延层EPI分为终端区和主动区，其特征在于，终端区内设置有横向掺杂结构VLD、多晶硅场板Polv、金属场板Metal；横向掺杂结构VLD从外延层EPI的表面朝向外延层EPI的内部生长形成；多晶硅场板Polv Field Plate从外延层EPI的表面朝向外延层EPI的外部生长形成；金属场板Metal Field Plate从外延层EPI的表面朝向外延层EPI的外部生长形成。
平面型场效晶体管及其制作方法

[发明专利]一种光电晶体及光电晶体阵列-CN201910604106.5在审
发明人：叶荣辉 -专利权人： 四川美阔电子科技有限公司
申请日： 2019-07-05 - 公布日： 2019-10-08 - 主分类号： H01L31/11 文献下载
摘要：本发明提供一种光电晶体，主要包括集电极区、基极区及发射极区，其中基极区设置在集电极区内，而发射极区则设置在基极区内，并以基极区隔开发射极区及集电极区。基极区包括第一基极区及第二基极区，其中第一基极区位于发射极区的垂直投影位置，而第二基极区则设置在发射极区的周围。此外第一基极区的掺杂浓度大于第二基极区，使得光电晶体具有较高的崩溃电压、较高的频率响应、较大的增益及较高的光灵敏度。
基极区发射极区光电晶体集电极区垂直投影位置光电晶体阵列崩溃电压光灵敏度频率响应集电极隔开掺杂

[实用新型]一种集成肖特基二极管的平面型场效晶体管-CN201920251219.7有效
发明人：叶荣辉 -专利权人： 四川美阔电子科技有限公司
申请日： 2019-02-27 - 公布日： 2019-08-02 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种集成肖特基二极管的平面型场效晶体管，解决了现有金氧半场效晶体管在应用于高压或高速切换频率时，制作成本高，增加漏电流，降低金氧半场效晶体管的稳定性，产品的结构复杂，产品体积大且良率低的问题。本实用新型包括基板，所述基板的上表面设置有磊晶层，所述磊晶层上形成有第一介电层，所述第一介电层的部分表面形成有至少一个闸极，未被闸极覆盖的所述磊晶层上掺杂形成有至少一个本体，所述本体的部分区域掺杂形成有至少一个源极区，所述第一介电层和所述闸极上形成有第二介电层，所述第二介电层上设置有源极，所述基板、磊晶层、本体及源极区均为半导体。本实用新型具有排除累计电荷快，产品构造简单及体积小等优点。
介电层磊晶层本实用新型基板闸极金氧半场效晶体管肖特基二极管场效晶体管平面型源极区表面形成产品构造高速切换区域掺杂电荷漏电流上表面体积小良率源极半导体掺杂覆盖制作应用

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