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[发明专利]薄膜体声谐振器和半导体器件-CN201910328542.4有效
发明人：李亮;吕鑫;梁东升;刘青林;马杰;高渊;丁现朋;冯利东;商庆杰;钱丽勋;李丽 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2019-04-23 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H03H3/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，公开了一种薄膜体声谐振器和半导体器件。该薄膜体声谐振器包括衬底；多层结构，形成于所述衬底上，所述多层结构由下至上依次包括下电极层、压电层、上电极层和多个横向特征，所述多个横向特征包括多个台阶结构，所述多个台阶结构具有不同的宽度且连续地堆叠在所述上电极层上；其中，在所述衬底和所述多层结构之间形成有腔体，所述腔体包括位于所述衬底上表面之下的下半腔体和超出所述衬底上表面并向所述多层结构突出的上半腔体。上述薄膜体声谐振器通过设置具有下半腔体和上半腔体的腔体，且下半腔体整体位于衬底上表面之下，上半腔体整体位于衬底上表面之上，从而形成一种新型的谐振器结构，且具有较好的性能。
薄膜谐振器半导体器件

[发明专利]薄膜体声波谐振器和滤波器-CN201910328576.3有效
发明人：李亮;吕鑫;梁东升;刘青林;马杰;高渊;丁现朋;冯利东;商庆杰;钱丽勋;李丽 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2019-04-23 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H03H9/17 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，公开了一种薄膜体声波谐振器和滤波器。该谐振器包括衬底；多层结构，形成于所述衬底上，所述多层结构由下至上依次包括下电极层、压电层和上电极层；其中，所述压电层包括掺杂多种稀土元素的压电材料，用以改进压电层的压电特性，在所述衬底和所述多层结构之间形成有腔体，所述腔体包括位于所述衬底上表面之下的下半腔体和超出所述衬底上表面并向所述多层结构突出的上半腔体。上述谐振器通过设置具有下半腔体和上半腔体的腔体，且下半腔体整体位于衬底上表面之下，上半腔体整体位于衬底上表面之上，从而形成一种新型的谐振器结构，且具有较好的性能。
薄膜声波谐振器滤波器

[发明专利]谐振器及滤波器-CN201910328545.8有效
发明人：李亮;李宏军;吕鑫;梁东升;刘青林;马杰;高渊;丁现朋;冯利东;崔玉兴;张力江;刘相伍;杨志;商庆杰;钱丽勋;李丽;卜爱民;王强;付兴昌 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2019-04-23 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H03H3/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，公开了一种谐振器及滤波器。该谐振器包括衬底、下电极层、上电极层和环；其中，环设置在所述下电极层或所述上电极层的表面上。所述衬底和所述下电极层之间形成有具有下半腔体和上半腔体的腔体，且下半腔体整体位于衬底上表面之下，上半腔体整体位于衬底上表面之上；通过设置环及腔体，使谐振器形成一种新型的谐振器结构，具有较好的性能。
谐振器滤波器

[发明专利]谐振器和滤波器-CN201910329129.X有效
发明人：李亮;吕鑫;梁东升;刘青林;马杰;高渊;丁现朋;冯利东;商庆杰;钱丽勋;李丽 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2019-04-23 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H03H3/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，公开了一种包括桥部的堆叠式声学谐振器和滤波器。该谐振器包括衬底；多层结构，形成于所述衬底上，所述多层结构由下至上依次包括第一电极层、第一压电层、第二电极层、第二压电层和第三电极层；和桥部，设置在所述第一电极层和第三电极层之间；其中，在所述衬底和所述多层结构之间形成有腔体，所述腔体包括位于所述衬底上表面之下的下半腔体和超出所述衬底上表面并向所述多层结构突出的上半腔体。上述谐振器通过设置具有下半腔体和上半腔体的腔体，且下半腔体整体位于衬底上表面之下，上半腔体整体位于衬底上表面之上，从而形成一种新型的谐振器结构，且具有较好的性能。
谐振器滤波器

[发明专利]声学谐振器和滤波器-CN201910328566.X有效
发明人：李亮;钱丽勋;吕鑫;梁东升;刘青林;马杰;高渊;丁现朋;冯利东;崔玉兴;张力江;刘相伍;杨志;商庆杰;李宏军;李丽;卜爱民;王强;付兴昌 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2019-04-23 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H03H3/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，具体公开一种声学谐振器和滤波器。该谐振器包括衬底；多层结构，形成于所述衬底上，所述多层结构由下至上依次包括下电极层、压电层和上电极层；以及桥部，其与所述多层结构的末端相邻，且与所述上电极层的一部分重叠，其中，在所述衬底和所述多层结构之间形成有腔体，所述腔体包括位于所述衬底上表面之下的下半腔体和超出所述衬底上表面并向所述多层结构突出的上半腔体。上述谐振器通过设置具有下半腔体和上半腔体的腔体，且下半腔体整体位于衬底上表面之下，上半腔体整体位于衬底上表面之上，从而形成一种新型的谐振器结构，且具有较好的性能。
声学谐振器滤波器

[发明专利]具有晶种层的谐振器、滤波器及谐振器制备方法-CN201910328580.X有效
发明人：李亮;李丽;吕鑫;梁东升;刘青林;马杰;高渊;丁现朋;冯利东;崔玉兴;张力江;刘相伍;杨志;商庆杰;李宏军;钱丽勋;卜爱民;王强;付兴昌 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2019-04-23 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H03H3/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，公开了一种具有晶种层的谐振器、滤波器及谐振器制备方法。该谐振器包括衬底；多层结构，形成于所述衬底上，所述多层结构由下至上依次包括晶种层、下电极层、压电层和上电极层；其中，在所述衬底和所述多层结构之间形成有腔体，所述腔体包括位于所述衬底上表面之下的下半腔体和超出所述衬底上表面并向所述多层结构突出的上半腔体。上述谐振器通过设置具有下半腔体和上半腔体的腔体，且下半腔体整体位于衬底上表面之下，上半腔体整体位于衬底上表面之上，从而形成一种具有晶种层的新型的谐振器结构，且具有较好的性能。
具有晶种层谐振器滤波器制备方法

[发明专利]谐振器和滤波器-CN201910329118.1有效
发明人：李亮;吕鑫;梁东升;刘青林;马杰;高渊;丁现朋;冯利东;商庆杰;钱丽勋;李丽 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2019-04-23 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H03H3/04 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，公开了一种谐振器和滤波器。该谐振器包括衬底；多层结构，形成于所述衬底上，所述多层结构由下至上依次包括下电极层、压电层和上电极层；空气翼及空气桥，形成于所述压电层和上电极层之间，所述空气翼具有界定所述谐振器的作用区域的外边界的内边缘；及温度补偿特征，具有正温度系数以用于抵消所述压电层的负温度系数的至少一部分；其中，在所述衬底和所述多层结构之间形成有腔体，所述腔体包括位于所述衬底上表面之下的下半腔体和超出所述衬底上表面并向所述多层结构突出的上半腔体；所述温度补偿特征在所述作用区域外侧延伸达预定长度。上述谐振器具有较好的性能。
谐振器滤波器

[实用新型]SiC沟槽MOSFET器件-CN202223044477.9有效
发明人：李波;刘相伍;廖龙忠;陟金华;张志国;安国雨;付兴中;刘佳霖;张力江;周国;商庆杰;高昶;冯旺 -专利权人：北京国联万众半导体科技有限公司;中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2022-11-16 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种SiC沟槽MOSFET器件，包括衬底层，所述衬底层的上侧有外延形成的N‑漂移区，所述N‑漂移区的上表面形成有栅区沟槽，所述栅区沟槽的底部和侧壁形成有二氧化硅层，所述沟槽内二氧化硅层上的剩余间隙被栅极多晶硅填充，所述栅区沟槽的左右两侧均有一个P阱区域，每个所述P阱区域上分别形成N+区域和P+区域，所述多晶硅的上表面形成有栅极，所述栅极的两端延伸到所述N+区域边缘，所述P+区域的上表面各形成有一个源极，且所述源极延伸到所述N+区域的上表面，所述衬底层的下表面形成有漏极。所述器件中沟槽底部氧化层厚度大于沟槽侧壁氧化层厚度，解决了沟槽拐角处易提前击穿问题，提高了器件可靠性。
sic 沟槽 mosfet 器件

[发明专利]SiC沟槽MOSFET器件及其制备方法-CN202211434790.5在审
发明人：李波;刘相伍;廖龙忠;陟金华;张志国;安国雨;付兴中;刘佳霖;张力江;周国;商庆杰;高昶;冯旺 -专利权人：北京国联万众半导体科技有限公司;中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2022-11-16 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种SiC沟槽MOSFET器件及其制备方法，包括如下步骤：在清洗后的SiC外延片上完成对P阱区域、N+区域、P+区域的离子注入及高温激活；在外延片对应栅区的位置通过刻蚀形成栅区沟槽；在SiC外延层上表面淀积一层二氧化硅，淀积厚度大于等于沟槽开口宽度的一半，使沟槽闭合；光刻定义侧壁剩余厚度，使用干刻设备刻蚀沟槽侧壁多余厚度的二氧化硅层，使沟槽底部氧化层厚度大于沟槽侧壁氧化层厚度并淀积多晶硅；多晶硅刻蚀及源接触孔刻蚀，保留沟槽内的多晶硅；完成源、漏端的欧姆接触和栅电极的制备。所述方法可以更好的控制槽栅氧化层的形貌，使沟槽底部氧化层厚度大于沟槽侧壁氧化层厚度，解决沟槽拐角处易提前击穿问题，提高器件可靠性。
sic 沟槽 mosfet 器件及其制备方法

[发明专利]体声波谐振器、其制作方法和半导体器件-CN201910329139.3有效
发明人：李亮;钱丽勋;吕鑫;梁东升;刘青林;马杰;高渊;丁现朋;冯利东;崔玉兴;张力江;刘相伍;杨志;商庆杰;李宏军;李丽;卜爱民;王强;付兴昌 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2019-04-23 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，公开了一种体声波谐振器、其制作方法和半导体器件。该体声波谐振器包括衬底；多层结构，形成于所述衬底上，所述多层结构由下至上依次包括下电极层、压电层和上电极层；其中，在所述衬底和所述多层结构之间形成有腔体；所述下电极层或所述上电极层的内部设有凹槽，所述凹槽内部填充有与对应电极层的电极材料不同的填充材料。上述谐振器通过设置具有下半腔体和上半腔体的腔体，在所述下电极层或所述上电极层的内部设置凹槽，凹槽内部填充与对应电极层的电极材料不同的填充材料，形成了一种新型的体声波谐振器结构，且具有较好的性能。
声波谐振器制作方法半导体器件

[发明专利]高迁移率的SiC MOSFET器件及其制作方法-CN202211472747.8在审
发明人：廖龙忠;杨志虎;吕鑫;刘相伍;陟金华;张力江;吴嘉兴;周国;付兴中;商庆杰;刘佳佳;吕孟山 -专利权人：北京国联万众半导体科技有限公司;中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2022-11-16 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种高迁移率的SiC MOSFET器件及其制作方法，所述方法包括如下步骤：清洗SiC外延片，清除圆片表面沾污；在圆片表面制备掩膜，之后进行P阱离子注入。进行P+和N+的注入，注入完成后退火激活注入离子；在圆片表面淀积一层poly Si，淀积结束后在氧化，并退火，生成SiO2；刻蚀掉P+区域和N+区域多余的SiO2，露出源极区域；将电极区域进行涂胶‑曝光‑显影，之后采用溅射的方法沉积金属体系，之后去除光刻胶完成正面金属化的制作；淀积一层Si3N4保护层，隔离栅源区域，并刻蚀电极区域完成正面制作。在背面溅射金属并形成背面欧姆接触，完成背面金属电极制作。所述方法可以有效减少栅中存在的碳团簇和近界面陷阱密度，使得沟道载流子迁移率明显增高，进而使得电流能力明显提升。
迁移率 sic mosfet 器件及其制作方法

[发明专利]JFET注入型N沟道SiC MOSFET器件及其制备方法-CN202211434734.1在审
发明人：刘相伍;王永维;陟金华;廖龙忠;安国雨;周国;冯旺;张力江;付兴中;商庆杰;高昶 -专利权人：北京国联万众半导体科技有限公司;中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2022-11-16 - 公布日： 2023-02-24 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种JFET注入型N沟道SiC MOSFET器件及其制备方法，所述方法包括如下步骤：在外延层上淀积第一介质层作为离子注入缓冲层；将JFET区上方的第二介质层刻蚀，刻蚀后进行JFET区离子注入；淀积第三介质层，再大面积刻蚀第三介质层并终止于第二介质层，腐蚀第二介质层，自对准形成P阱注入图形，进行P阱注入；再淀积第四介质层，对第四介质层进行光刻形成N型重掺杂源区图形，自对准形成沟道；腐蚀掉第三介质层与第四介质层，光刻形成P型重掺杂接触区，进行离子注入；热氧化形成栅介质层，通过LPCVD淀积多晶硅作栅极完成正面结构。所述方法避免了光刻精度不足，且光刻步骤少，易于精确控制沟道长度，并能够降低JFET电阻，提升器件性能。
jfet 注入沟道 sic mosfet 器件及其制备方法

[发明专利]数字式MEMS扬声器的制作方法-CN202111363603.4在审
发明人：杨志;董春晖;商庆杰;张力江 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2021-11-17 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种数字式MEMS扬声器的制作方法，属于微电子技术领域，包括气阀结构的制作方法，气阀结构的制作方法包括：在SOI片的顶层结构层刻蚀获得镂空的固定网格结构；在固定网格结构的镂空及表面沉积介质材料，获得第一绝缘层；在第一绝缘层上刻蚀互联孔；在第一绝缘层上制作多晶硅薄膜，并在互联孔内形成导电硅膜；在多晶硅薄膜上刻蚀获得镂空的活动网格结构，活动网格结构与固定网络结构在图形上形成互补；在多晶硅薄膜上制作Pad引线图形；在SOI片的底层支撑层上刻蚀气流通气孔；去除通气孔对应部位的介质材料，以构成气流通道。本发明基于微电子机械加工工艺制作，能够实现扬声器小体积、高性能、一致性和批量制造中低成本的优点。
数字式 mems 扬声器制作方法

[发明专利]数字式MEMS扬声器装置-CN202111365002.7在审
发明人：杨志;董春晖;商庆杰;张力江 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2021-11-17 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H04R19/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种数字式MEMS扬声器装置，属于微电子技术领域，包括包括：气阀结构，所述气阀结构包括依次层叠的硅衬底、固定网格结构、第一绝缘层和活动网格结构，硅衬底至少设有一个通气孔，固定网格结构包括与通气孔对应的第一像素单元，第一像素单元包括多个与通气孔连通的第一气阀孔；活动网格结构包括与第一像素单元对应的第二像素单元，第二像素单元包括与第一气阀孔呈错位布置的第二气阀孔。本发明提供的数字式MEMS扬声器装置，基于气流控制原理，鉴于MEMS技术高精度、批量化和低成本的技术特点，可以获得芯片级的数字式扬声器产品，该扬声器具有小体积、高性能、一致性和批量制造中低成本的优点。
数字式 mems 扬声器装置

[发明专利]基于立体电感的双层硅基滤波器的制作方法-CN202010273934.8有效
发明人：董春晖;杨志;商庆杰;丁现朋;张晓磊;王敬轩;李丰;钱丽勋;李海剑;李宏军 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2020-04-09 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： H01P1/20 文献下载
摘要：本发明适用于滤波器制作技术领域，提供了一种基于立体电感的双层硅基滤波器的制作方法，该方法包括：通过在上硅片上制备立体电感对应的电路结构，在下硅片上分别多个电容、在传输线交叉位置制备空气桥结构以及在所述立体电感对应的金属层上制备立体电感对应的电路结构，将上硅片和下硅片中立体电感对应的电路结构进行对位键合，获得双层硅基滤波器，从而可以获得体积较小的基于立体电感的双层硅基滤波器，并且在制备基于立体电感的双层硅基滤波器的过程中不需要人工干预，因此可以实现批量生成，提高生产效率。
基于立体电感双层滤波器制作方法

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